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导体(conductor)是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子。在外电场作用下,载流子作定向运动,形成明显的电流。
金属是最常见的一类导体。金属原子最外层的价电子很容易挣脱原子核的束缚,而成为自由电子,留下的正离子(原子实)形成规则的点阵。金属中自由电子的浓度很大,所以金属导体的电导率通常比其他导体材料的大。金属导体的电阻率一般随温度降低而减小。在极低温度下,某些金属与合金的电阻率将消失而转化为"超导体"。
电解质的溶液或称为电解液的熔融电解质也是导体,其载流子是正负离子。实验发现,大部分纯液体虽然也能离解,但离解程度很小,因而不是导体。如纯水的电阻率高达10欧·米,比金属的电阻率大10-10倍。但如果在纯水中加入一点电解质,离子浓度大为增加,使电阻率大为降低,成为导体。电解液的电阻率比金属的大得多,这是因为电解液中的载流子浓度比金属小得多,而且离子与周围介质的作用力较大,使它在外电场中的迁移率也要小得多。电解液在通电过程中伴随有化学变化,且有物质的转移,称为第二类导体。它常应用于电化学工业,如电解提纯、电镀等。而把导电过程中不引起化学变化,也没有显著物质转移的导体,如金属,称为"第一类导体"。
气体导体
电离的气体也能导电(气体导电),其中的载流子 是电子和正负离子。通常情形下,气体是良好的绝缘体。如果借助于外界原因,如加热或用X射线、γ射线或紫外线照射,可使气体分子离解,因而电离的气体便成为导体。电离气体的导电性与外加电压有很大关系,且常伴有发声、发光等物理过程。电离气体常应用于电光源制造工业。气体由于外界电离剂作用下的导电称为气体的非自持放电。随着外加电压增大,电流亦增大,电压增大到一定值时非自持放电达到饱和,继续再增加电压到某一定值后电流突然急剧增加,这时即使撤去电离剂,仍能维持导电,气体就由非自持放电过渡到自持放电。气体自持放电的特性取决于气体的种类、压强、电极材料、电极形状、电极温度、两极间距离等多种因素。条件不同,自持放电采取不同的形式,有辉光放电、弧光放电和电晕放电等。气体的非自持放电和自持放电有许多实际应用。
电的绝缘体又称为电介质。它们的电阻率极高,比金属的电阻率大10倍以上。绝缘体在某些外界条件(如加热、加高压等)影响下,会被"击穿",而转化为导体。绝缘体或电介质的主要电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中 。
现今通常把例如锗(Ge)、硅(Si)等一类导体称为半导体。这类导体的电阻率介乎金属与绝缘体之间,且随温度的升高而迅速减小。这类材料中存在一定量的自由电子和空穴,后者可看作带有正电荷的载流子。与金属或电解液的情况不同,半导体中杂质的含量以及外界条件的改变(如光照,或温度、压强的改变等),都会使它的导电性能发生显著变化。
指导电材料在温度接近绝对零度的时候,物体分子热运动下材料的电阻趋近于0的性质。"超导体"是指能进行超导传输的导电材料。
金属是最常见的一类导体。金属中的原子核和内层电子构成原子实,规则地排列成点阵,而外层的 价电子容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子,它们构成导电的载流子。金属中自由电子的浓度很大,每立方厘米约10个,因此金属导体的电阻率很小,电导率很大。金属的电阻率为10-10欧·米,一般随温度降低而减小。金属导电过程中不引起化学反应,也没有显著的物质转移,称为第一类导体。
LED灯是应用半导体材料制作成发光二极体来装配成灯,所以属于半导体;
一、半导体 1.概念:导电性能介乎导体和绝缘体之间,它们的电阻比导体大得多,但又比绝缘体小得多.这类材料我们把它叫做半导体. 2.半导体材料:锗、硅、砷化镓等,都是半导体. 3. 半导体的电学性能: ...
自然界中有两类导电性能截然不同的固体材料,一类具有良好的导电性能,称为导体,金属是常见的导体,电阻率很小,约为10-8~10-6欧·米。另一类的导电性能非常差,称为绝缘体。常见的绝缘体有金刚石、云母、...
关于保护导体和接地导体的说明
关于配电柜 PE铜排及设备的接地导体 截面积选择的说明 一、定义及说明 根据国标 GB 16895.3-2004 规定,对各种保护接地导体作了相应的定义: 说明: 1、 根据以上定义,配电柜内的开关、元器件等设备的接地端子引至地排的导体属于 “接地 导体”。特别注意与其他保护如 “保护导体”、“总接地端子 [总接地母线 ]”等作区别; 2、 根据以上定义,配电柜内的地排属于“保护导体” ; 3、 建筑物中还有配置“总接地端子 [总接地母线 ]”,以及 “等电位联结箱” ,箱中的接地排 即为“保护联结导体” ; 4、 以下数据中规定的保护接地导线截面积以定义来区分。 二、国标 GB7251.1-2005 中的规定 “保护导体” 截面积大小: 说明: 1、 根据以上国标中的描述,配电柜中的接地铜排应按表 3 中的截面积来配置; 2、 保护导体截面积的确定,主要是依据其对地故障电流而产生有害的热
BVR国标导体
截面 国标结构 企标结构 0.75 7/0.37 7/0.34 1 7/0.43 7/0.38 1.5 7/0.52 7/0.48 2.5 21/0.38 19/0.38 4 21/0.48 19/0.48 6 21/0.60 19/0.60 10 7*11/0.38+7/0.38 7*11/0.38 16 12*11/0.38+4/0.38 11*11/0.38 25 11*19/0.38+11/0.38 10*19/0.38 35 15*19/0.38+11/0.38 14*19/0.38 50 8*32/0.48 7*32/0.48+19/0.48 70 10*36/0.48 10*32/0.48+19/0.48 95 15*32/0.48 14*32/.048 120 17*36/0.48 16*36/0.48 150 21*36/0.48 20*36/0.48 185 25*36
导体依靠导体中离子的定向运动(也称定向迁移)而导电,电流通过导体时,导体本身发生化学变化,导电能力随温度升高而增大。顾名思义,这类导体称为离子导体(或称为第二类导体)。电解质溶液、熔融电解质等属于此类。
电子导体能够独立地完成导电任务,而离子导体则不能。要想让离子导体导电,必须有电子导体与之相连接。因此,在使离子导体导电时,不可避免地会出现两类导体相串联的界面。即为了使电流能通过这类导体,往往将电子导体作为电极浸入离子导体中。当电流通过这类导体时,在电极与溶液的界面上发生化学反应,与此同时,在电解质溶液中正、负离子分别向两极移动。
在离子导体中,离子参与导电与固体中的点缺陷密切相关。纯净固体中的点缺陷是本征缺陷,有弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷两类(见点缺陷),前者是空位和填隙原子,后者为单纯的空位。它们的浓度决定于固体的平衡温度以及缺陷的生成能。含有杂质的固体还多出非本征点缺陷,如KCl晶体含有少量CaCl2时,Ca2 是二价离子,为了保持固体电中性,必须存在一个正离子空位(它带一个负电荷),这种空位便是非本征点缺陷。
在外加电场作用下,离子固体中本征的和非本征的点缺陷都会对离子电导作贡献。离子电导率σ与温度T的关系,遵从阿伦尼乌斯定律:
式中σ0为常数,Ea为电导微活能,k为玻耳兹曼常数。
固体中可动离子是阳离子的称为阳离子导体,若是阴离子的则称为阴离子导体。
多数离子导体中可运动的离子是很少的,因而离子电导率都不高。例如,食盐(NaCl),室温下离子电导率仅有10-15Ω-1·cm-1。
固体中除了本征缺陷外,还有由于异价杂质的存在而产生的非本征缺陷。例如,在氟化钙(CaF2)中,如果有三价金属杂质离子存在,就必定会形成相等数量的间隙氟离子,以实现电中性。这些本征的和非本征的点阵缺陷在外电场作用下都会进行长程运动,从而对离子电导率作出贡献。
快离子导体也是一种离子导体,但具有不同于一般离子导体的特征。
本实用新型涉及一种电力电缆,尤其是一种线芯间相互干扰和损耗小的电力电缆,其特征是电缆三根绝缘线芯呈等边三角形排列,绝缘线芯外有多根铜导体相间并列斜绕组成的同心导体,同心导体截面之和大于或等于电缆所需零线截面。
1) 能量分辨率最佳 ;
2) γ射线探测效率较高,可与闪烁探测器相比。
常用半导体探测器有:
(1) P-N结型半导体探测器;
(2) 锂漂移型半导体探测器;
(3) 高纯锗半导体探测器;