电磁混响室的系统造价低，测试时间短，对真实电磁环境的模拟更有效，并且在电磁兼容测试中，混响室在测试的准确性、可重复性以及测试不确定度等方面具有独特的优势。目前混响室已被大量用于辐射抗扰度测试，但在辐射发射测试方面，其测试的机理和方法还有待作深入研究。本项目针对电磁混响室用于辐射发射测试的若干基础问题进行研究，包括辐射总功率的计算方法和标准辐射源的理论计算研究、混响室校准过程和校准参数对辐射总功率测试的影响规律研究、以及替代法用于混响室辐射总功率测试的研究三方面内容。通过这些研究，提出混响室用于辐射发射测试的新计算模型和标准辐射源，确立校准过程的各种细节对混响室辐射发射测试的测试不确定度的影响规律，建立针对混响室辐射发射测试的替代法测试方法，建立完善的混响室辐射发射测试规范。从而使混响室辐射发射测试结果能够与其他场地测试结果相比对，推动工业界接受并掌握混响室用于辐射发射测试的技术。 2100433B

电磁混响室是继电波暗室、吉赫兹横电磁波传输（GTEM）室、开阔场之后提出的电磁兼容性测试新技术与新平台。混响室测试平台能以较小的输入功率产生较高的场强，产生的电磁环境与电子设备内部真实电磁场分布情况极为接近，是一种理想的电磁环境效应试验平台，非常适合用来开展电子装备的电磁环境效应和电磁防护加固研究。然而，国内混响室研究起步较晚，相关技术、理论还不很成熟，限制了我国混响室技术的应用和发展。为此，我们翻译了法国混响室领域专家Philippe Besnier教授的Electromagnetic Reverberation Chambers专著，相信《高新科技译丛：电磁混响室》的出版将为广大电磁兼容研究人员提供重要参考。

《高新科技译丛：电磁混响室》从统计理论和实践应用两方面对混响室进行了深入阐释。全书共分为三大部分：第1-4章论述混响室工作的物理机制；第5～7章讨论混响室的使用问题；第8章介绍有关混响室的近期研究工作。《高新科技译丛：电磁混响室》既可供从事电磁兼容测试的工程技术人员参考，又可作为高等院校研究生教材。

第1章混响室在电磁测试中的地位

1.1引言

1.2电磁场与平面波

1.2.1平面波的定义与特性

1.2.2平面波的通用表达式

1.2.3远场的局部平面波近似处理

1.2.4平面波产生的感应现象

1.3有限空间内的电磁测试

1.3.1小矩形环的辐射发射

1.3.2在TEM室进行测试

1.3.3在屏蔽暗室进行测量

1.3.4混响室在有限空间测试中的地位

1.4讨论

1.4.1平面波概念的运用

1.4.2混响室测量的不确定度限值

1.5参考文献

第2章电磁腔体的主要物理特性

2.1引言

2.2一维腔体内模数的减少

2.2.1一维腔体模型

2.2.2一维波动方程求解

2.2.3本征模计算

2.2.4腔体与LC谐振网络比较

2.2.5品质因数对腔体的贡献

2.2.6本征模状态下能量耦合优化

2.2.7障碍物引起的本征模频率偏差

2.2.8模式搅拌的实现方法

2.3空矩形腔体的物理特征

2.3.1混响室的结构描述

2.3.2计算本征模频率

2.3.3第一阶本征模

2.3.4高次模

2.3.5本征模间隔与模密度

2.3.6三维腔体的品质因数

2.3.7腔体的激励条件

2.3.8平面波谱

2.3.9能量损耗对平面波频谱的影响

2.4三维模式搅拌腔体

2.4.1模式搅拌的作用

2.4.2机械搅拌

2.4.3实验验证模偏移

2.5讨论

2.5.1关于混响室几何结构的讨论

2.5.2关于RLC振荡器应用

2.5.3关于模干涉因素的讨论

2.6参考文献

第3章超大尺寸腔体内搅拌波的统计特性

3.1引言

3.2理想随机电磁场的描述

3.2.1电磁场假定为一个随机变量

3.2.2理想随机场假定的基本条件

3.2.3随机变量的通用表达式

3.2.4χ2概率分布

3.2.5场振幅绝对值的概率密度函数

3.2.6功率变量的概率密度函数

3.3理想随机场特性的仿真

3.3.1平面波谱的构建

3.3.2随机试验干涉波的构建

3.3.3中心极限定理的运用

3.4统计检验

3.4.1给定条件下统计采样值N的取值

3.4.2实验数据的概率分布估计

3.4.3方差与均值的估计

3.4.4柯尔莫哥洛夫-斯摩洛夫（K-S）检验

3.5混响室内的功率平衡

3.5.1天线主要特性回顾

3.5.2理想随机场中的接收天线

3.5.3混响室中设备辐射功率的测量

3.6讨论

3.6.1关于理想随机场假设

3.6.2关于用平面波实验来模拟无序场

3.7参考文献

第4章混响室物理与技术参数的影响

4.1引言

4.2混响室主要设计参数

4.2.1腔室结构参数

4.2.2混响室几何和物理参数的影响

4.2.3混响室品质因数影响因素

4.2.4理想随机场分布的空间相关性

4.3常用模式搅拌技术

4.3.1机械搅拌

4.3.2频率搅拌和电子搅拌

4.3.3切换发射天线搅拌

4.3.4调整腔室尺寸搅拌方法

4.4混响室特性

4.4.1混响室特性描述的目的

4.4.2模式搅拌的效率

4.4.3随机场分布的稳定性测量

4.4.4品质因数测量

4.4.5最低可用频率的局限性

4.5讨论

4.5.1关于大数法则

4.5.2大体积被测物的影响

4.6参考文献

第5章混响室抗扰度测试

5.1引言

5.2校准过程

5.2.1场分布统计均匀性测量方法

5.3校准结果实例

5.4混响室内设备辐射抗扰度实施方法

5.4.1受试设备的加载效应

5.4.2EUT对场统计均匀性的影响

5.4.3EUT误动作观测

5.4.4抗扰度测试实例

5.5混响室与电波暗室抗扰度实验比较

5.5.1电波暗室辐射抗扰度辐照方法

5.5.2混响室辐射抗扰度辐照方法

5.6混响室内电场正交分量和总电场

5.7讨论

5.7.1不同标准的统计均匀性限值

5.7.2不同标准搅拌器步数的选择

5.7.3混响室内抗扰度测试的特性

5.8参考文献

第6章混响室辐射发射测试

6.1引言

6.2几个电磁辐射和天线的概念

6.2.1电磁辐射源

6.2.2电磁场与辐射源距离之间的关系

6.2.3电磁辐射强度和方向性

6.2.4极化和局部方向性

6.2.5天线的效率和增益

6.2.6天线有效面积

6.2.7两个天线之间的能量传递平衡——弗利斯表达式

6.2.8球坐标系辐射公式和特性

6.3测量自由空间总辐射功率

6.3.1定义

6.3.2总辐射功率传统测试方法

6.4受试设备无意发射测量

6.4.1混响室校准与总辐射功率测量

6.5总辐射发射功率测量实例

6.5.1校准过程

6.5.2EUT辐射发射测量

6.6辐射发射和总辐射发射功率

6.7天线效率和分集增益测量

6.7.1天线效率测量

6.7.2天线分集增益测量

6.8讨论

6.8.1关于混响室内辐射发射测量

6.8.2关于混响室内射频设备测量

6.9参考文献

第7章混响室屏蔽效能测量

7.1引言

7.2屏蔽效能的定义

7.2.1电缆及连接器的屏蔽效能

7.2.2屏蔽箱体屏蔽效能

7.2.3屏蔽材料屏蔽效能

7.3混响室内屏蔽电缆连接器屏蔽效能测量

7.3.1混响室内电缆电磁耦合

7.3.2电缆和屏蔽连接器的有效面积

7.3.3参考功率与被测电缆感应电流之间的关系

7.3.4屏蔽衰减与转移阻抗之间的转换

7.3.5电缆连接器屏蔽效能测量实例

7.4屏蔽腔体屏蔽效能测量

7.4.1屏蔽腔体电磁耦合

7.4.2屏蔽腔体衰减测量实例

7.5屏蔽材料屏蔽效能测量 2100433B

薄膜晶体管（TFT）是主动驱动平板显示的核心元件，微晶硅TFT性能优于非晶硅，制作工艺比多晶硅简单，是实现AM-OLED的方案之一。 我们的研究由单个TFT器件，到TFT器件的集成，最终实现7英寸的TFT-OLED 显示屏。主要结果如下。 一．微晶硅TFT 器件的研究 1.有源层的研究；（a）研究了生长条件如氢稀释浓度、衬底温度、功率密度和反应气体压强对微晶硅晶化率的影响。（b）采用PECVD双倍频（27.12MHz）直接生长微晶硅薄膜：采用双倍频技术提升微晶硅薄膜的沉积速率，改善薄膜的晶化率，直接生长出高质量的微晶硅薄膜。 2.绝缘层的研究:(a)通过优化工艺参数从而调节表面的粗糙度及薄膜的折射率。将SiNx的折射率控制在1.85-1.90之间，有利于生长高质量的微晶硅薄膜.(b)SiNx绝缘层采用沉积速率“先快后慢”两步沉积工艺，改善绝缘层/有源层之间的界面态， 3.界面的改善:(a) SiNx绝缘层表面采用plasma处理，改善了器件的关态电流，提高开关比，降低了阈值电压。（b）双有源层结构：采用a-Si/uc-Si复合结构薄膜代替uc-Si薄膜作为有源层，改善了关态电流，由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4．基于无重掺杂的新型源漏电极的微晶硅TFT研究：为了避免传统重掺杂电极使用磷烷硼烷等有毒气体，研制安全的欧姆电极.(a)采用铝合金作为源漏电极我们采用铝合金作用源漏电极。(b)制备 Al/LiF源漏电极。在Al电极与μc-Si之间插入LiF薄层，制成Al/LiF源漏电极，其电子注入势垒由Al电极的0.512eV降到0.12eV。优化后TFT性能：迁移率0.5cm2/V.s， 阈值电压0.59V，开关比大于106 。 二．TFT 基板的制作：（a）像素采用2T1C 结构设计。基板尺寸：7英寸。分辨率：VGA 640×RGB（H）×480（V）。驱动电压：6-13V。像素大小：222um×74um。（b）工艺：6 MASK 工艺：制作栅极；形成硅岛；制作源漏电极及沟道；接触孔；制作像素电极 (ITO)；制作平坦化层。 三．TFT-OLED显示屏的制作。 在TFT基板上制备OLED 得到7inch AMOLED彩色显示屏。分辨率：640X480；亮度：165 cd/m2；NTSC：65.5%。项目圆满完成.