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薄膜刻蚀。 2100433B
可刻蚀各种尺寸形状的样品, 最大面积达1000 cm2。
等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同,它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构,从而具有良好的均匀性及对基质的附着性[1,2].有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多[3,4],本室已...
等离子体又叫做“电浆”,是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质 在人工生成等离子体的方法中,气体放电法比加热的办法更加简便高效,如荧光灯、霓虹灯、电弧焊、电晕放电...
低温等离子体:适合的应用材料的表面清洗活化焊接,油漆,打印,密封,起泡,涂覆及硅化前表面活化处理。气体裂解和高效灭菌加速化学反应产品特点:突破低气压限制,可在大气压下引发等离子体;可对材料连续在线处理...
等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法
等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法——叙述了等离子体刻蚀过程中产生的有害气体以及处理这些有害气体的原理和方法。对燃烧分解、化学中和、 薄膜吸气、等离子体净化及脉冲电晕放电等作了简要的概述。指出等离子体净化和脉冲电晕放电是净化有害气体的...
TEGAL421等离子刻蚀机射频电源的维修及调整
TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的维 修及调整 TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的电路图如下: 各部分电路的作用, DC Power Supply Board 板是一块电源板提供射频源 工作所需的各路电源,包括电子管工作的高低压。 OSICLACTOR Board 板提供 射频源的激励信号, Q1是震荡管,Q4是推动管,Q3,Q2组成脉宽功率调节电路。 V1和 V2是两个输出电子管,提供所需的射频功率。其中 Lv 是低压变压器,机 器一通电,该变压器就被通电。而 BV 是高压变压器,只有在需要射频输出时才 被通电。 Power Coupler 是入射功率和反射功率检测模块。主机背面的电位器 R5 和 R6 用于矫正入射和反射功率的偏差。 Test Port 测试端口用于检测射频电 源的工作参数。 射频电源的调整 射频电源调整的步骤如下: 1. 关闭交流电源。 2. 移除射频电源
1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
1、 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2、下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3、传动滚轴易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4、成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式——需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
等离子刻蚀机的组成一般包括等离子发生器(工业上常用RF激发法),真空室,和电极。
其工作原理是用等离子体中的自由基(radical)去轰击(bombard)或溅射(sputter)被刻蚀材料的表面分子,形成易挥发物质,从而实现刻蚀的目的。也有部分等离子刻蚀机采用反应离子刻蚀技术(Reactive Ion Etching)。