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可刻蚀各种尺寸形状的样品, 最大面积达1000 cm2。
薄膜刻蚀。 2100433B
等离子体隐身技术的原理是利用电磁波与等离子体互相作用的特性来实现的,其中等离子体频率起着重要的作用。等离子体频率指等离子体电子的集体振荡频率,频率的大小代表等离子体对电中性破坏反应的快慢,它是等离子体...
国内外企业利用低温等离子体技术在环保方面开发出了“低温等离子体有机废气净化设备”、“低温等离子体废水净化设备”及“低温等离子体汽车尾气净化技术”。1、低温等离子体在保鲜、杀菌、除臭等方面产品开发,目前...
低温等离子体物理与技术经历了一个由60年代初的空间等离子体研究向80年代和90年代以材料为导向研究领域的大转变,高速发展的微电子科学、环境科学、能源与材料科学等,为低温等离子体科学发展带来了新的机遇和...
等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法
等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法——叙述了等离子体刻蚀过程中产生的有害气体以及处理这些有害气体的原理和方法。对燃烧分解、化学中和、 薄膜吸气、等离子体净化及脉冲电晕放电等作了简要的概述。指出等离子体净化和脉冲电晕放电是净化有害气体的...
TEGAL421等离子刻蚀机射频电源的维修及调整
TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的维 修及调整 TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的电路图如下: 各部分电路的作用, DC Power Supply Board 板是一块电源板提供射频源 工作所需的各路电源,包括电子管工作的高低压。 OSICLACTOR Board 板提供 射频源的激励信号, Q1是震荡管,Q4是推动管,Q3,Q2组成脉宽功率调节电路。 V1和 V2是两个输出电子管,提供所需的射频功率。其中 Lv 是低压变压器,机 器一通电,该变压器就被通电。而 BV 是高压变压器,只有在需要射频输出时才 被通电。 Power Coupler 是入射功率和反射功率检测模块。主机背面的电位器 R5 和 R6 用于矫正入射和反射功率的偏差。 Test Port 测试端口用于检测射频电 源的工作参数。 射频电源的调整 射频电源调整的步骤如下: 1. 关闭交流电源。 2. 移除射频电源
1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
1、 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2、下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3、传动滚轴易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4、成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式——需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
等离子刻蚀机的组成一般包括等离子发生器(工业上常用RF激发法),真空室,和电极。
其工作原理是用等离子体中的自由基(radical)去轰击(bombard)或溅射(sputter)被刻蚀材料的表面分子,形成易挥发物质,从而实现刻蚀的目的。也有部分等离子刻蚀机采用反应离子刻蚀技术(Reactive Ion Etching)。