等离子刻蚀机湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点

2018/06/19240 作者：佚名

导读： 1. 硅片水平运行，机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小);2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);3. 传动滚抽易变形(PVDF，PP材质且水平放置易变形);4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子

1. 硅片水平运行，机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小);

2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);

3. 传动滚抽易变形(PVDF，PP材质且水平放置易变形);

4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。

此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:

直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀