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电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范

《电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范》是1994年6月1日实施的一项行业标准。 

电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范基本信息

电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范简介

备案信息

备案号:0063-1994

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电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

湿敏电阻

  • HR202L 5×7×0.7mm
  • 奥松
  • 13%
  • 广州奥松电子有限公司
  • 2022-12-07
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湿敏电阻

  • HR201/202 8×10×0.7mm
  • 奥松
  • 13%
  • 广州奥松电子有限公司
  • 2022-12-07
查看价格

湿敏电阻

  • HR23/31 5×7×0.6mm
  • 奥松
  • 13%
  • 广州奥松电子有限公司
  • 2022-12-07
查看价格

电阻元件系列

  • ZB1
  • 13%
  • 长城电器集团桂林总代理-桂林东海成套机电有限公司
  • 2022-12-07
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电阻元件系列

  • ZB2
  • 13%
  • 长城电器集团桂林总代理-桂林东海成套机电有限公司
  • 2022-12-07
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绕线电阻

  • 300Ω 15W
  • 韶关市2010年7月信息价
  • 建筑工程
查看价格

绕线电阻

  • 300Ω15W
  • 肇庆市2003年3季度信息价
  • 建筑工程
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标准电阻

  • ZX-25
  • 台班
  • 韶关市2010年7月信息价
  • 建筑工程
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10kV小电阻成套装置

  • 干式 接地变容量 420kVA 16Ω
  • 广东2022年2季度信息价
  • 电网工程
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10kV小电阻成套装置

  • 干式接地变容量 420kVA 16Ω
  • 广东2021年4季度信息价
  • 电网工程
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末端电阻

  • 末端电阻
  • 22海湾安全技术股份有限公司
  • 1
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2010-08-02
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电阻

  • 250Ω标准电阻
  • 10个
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2018-03-15
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电阻

  • 75Ω终端电阻;
  • 30个
  • 1
  • 详见品牌表
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2018-04-27
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电子设备避雷器

  • 1、名称:防雷器2、规格:网络/源二合一
  • 29套
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-11-19
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电子设备避雷器

  • 信号避雷器
  • 1个
  • 1
  • 汉光
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-01-14
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电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范常见问题

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电子设备用电阻式湿敏元件空白详细规范文献

舰用电子设备中信息处理箱的热设计 舰用电子设备中信息处理箱的热设计

舰用电子设备中信息处理箱的热设计

格式:pdf

大小:87KB

页数: 未知

本文介绍了信息处理箱适用的环境条件,对采取的散热措施进行了分析计算,以提高舰用电子设备环境适应性和工作的可靠性

舰用电子设备机柜热设计 舰用电子设备机柜热设计

舰用电子设备机柜热设计

格式:pdf

大小:87KB

页数: 未知

电子设备机柜热设计是结构设计的一个重要内容,对提高电子设备的可靠性起着相当重要的作用。本文介绍几种常用的机柜热设计方法,着重介绍了两种适宜舰船电子设备的冷却方法:气水混合冷却和集中供冷风法

电子设备用C 类预调可变电容器空白详细规范编制进程

1998年3月31日,《电子设备用C 类预调可变电容器空白详细规范》发布。

1990年1月1日,《电子设备用C 类预调可变电容器空白详细规范》实施。

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电子设备用固定电阻器内容简介

《中华人民共和国国家标准:电子设备用固定电阻器(第5部分):空白详细规范:精密固定电阻器评定水平E(可供认证用)(GB 5735-1985)》由中国标准出版社出版。

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湿敏陶瓷湿敏机理

湿敏陶瓷1.接触晶粒的界面势垒理论

由于湿敏陶瓷为多孔材料,界面接触主要以点接触为主,这样使n型和p型半导体陶瓷的晶粒内部和表面正负离子所处的状态不同。内部离子对称包围,而表面离子则处于未受异性离子屏蔽的不稳定状态,其电子亲和力发生了变化,表现为表面附近能带上弯(n型)或下弯(p型),在半导体陶瓷晶粒接触处产生双势垒曲线,如下图《半导体的表面势》所示。由于晶粒界面势垒的存在,晶粒界面的电阻比晶粒内部大得多。当湿敏陶瓷晶粒晶界处吸收水分子时,由于水分子是一-种强极性物质,其分子结构不对称,在氢原子的一侧具有很强的正电场,使得表面吸附的水分子可以从半导体表面吸附的O2或O中吸取电子,甚至从满带中直接俘获电子。因此将引起晶粒表面电子能态的变化,从而导致晶粒表面电阻和整个元件的电阻变化。对于p型半导体,主要表现为表面俘获电子,形成表面束缚态的负空间电荷,而在表面内层形成自由态的正电荷,该正电荷被氧的施主能级所俘获,使氧的施主能级密度下降,使下弯的能级变平,耗尽层变薄,表面载流子密度增加,电阻率下降 。

湿敏陶瓷2.质子导电理论

质子导电理论把分子在晶粒表面的吸附分为三个阶段:第一阶段少量水分子在晶粒之间的颈部吸附,表面化学吸附水的一个羟基首先与高价阳离子结合,水离解出的H 与表面的氧离子形成第二个羟基,羟基解离后的质子由一个位置向另一个位置移动,形成了质子导电;第二阶段是水分子物理吸附在羟基上,形成多分子吸附层,由于水分子的极化,相对介电常数增加,导致离解水分子的能量增高,促进了水分子的离解;第三阶段,不仅在颈部的凹面,而且在平表面也吸附了大量水分子,在两极间形成了连续电解质层,导致电导率随含水量的增加而增加。

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