LTE上行覆盖增强技术主要包括TTIBundling、ICIC、IRC、4天线接收、TMA等。这里针对TTIBundling进行详细介绍。

LTE中物理层调度的基本单位是1ms，这样小的时间间隔可以使得LTE中应用的时间延迟较小。然而，在某些小区边缘，覆盖受限的情况下，UE由于受到其本身发射功率的限制，在1ms的时间间隔内可能无法满足数据发送的误块率（BLER）要求。例如对于长度为33字节的VOIP数据包（包含L1/L2层的头部信息）在1ms的时间内发送，物理层的速率需要达到312kbit/s。对于某些情况下的LTE小区边缘可能无法达到这一要求。

为此，对于上述情况的VOIP包，LTE中可以在RLC层对其进行分片（Segmentation），对于每一分片采用独立的HARQ进程分别进行传输。

RLC层分片的方法会带来额外的头部开销和系统控制信令的开销。而且，HARQ反馈的错误解码对于RLC层分片的影响也不容忽视。

为此，LTE中提出了TTIBundling的概念，对于上行的连续TTI进行绑定，分配给同一UE。这些上行的TTI中，发送的是相同内容的不同RV版本。这样可以提高数据解码成功的概率，提高LTE的上行覆盖范围，代价是增加了一些时间延迟。eNB只有在收到所有绑定的上行帧以后才反馈HARQ的ACK/NACK，这样就会减少所需的HARQ的ACK/NACK数目，同时由于上行资源进行一次分配，而应用到所有绑定的上行帧，这样上行资源分配的开销也会减少。

TTIBundling模式的配置是通过上层信令中的参数ul-SCH-Config：ttiBundling来进行的。触发条件可以是UE上报了上行功率受限等。TTIBundling模式只对UL-SCH有效。TTIBundling中连续发送的TTI数目，也就是TTIBundle_Size定义为4。对于非TTIBundling的上行帧，存在8个HARQ的进程。对于TTIBundling的HARQ进程，则有4个。LTE中规定TTIBundling重传的时间间隔为16个TTI，也就是16个1ms的子帧。

在图1，中上行子帧0，1，2，3绑定在一起，通过HARQProcess0进行传输。子帧0～3分别发送相同传输块的不同冗余版本RV0、RV1、RV2、RV3。eNB有4ms的处理时间（包括传输延迟）。在子帧7，eNB会通过PHICH来发送ACK或NACK，在本例中是NACK。HARQProcess0对应的TTIBundling将从子帧16开始进行重传。如果在子帧12处，UE接收到DCI格式0的PDCCH，指示上行的资源分配，那么TTIBundling的上行HARQ重传就是自适应的，在指示的资源频带上进行传输，否则就是非自适应的，采用和初次传输相同的上行资源进行传输。

对于普通非绑定的上行子帧，其重传的时间是8ms；对于绑定的上行子帧，其重传的时间为16ms。因此，对于同一UE以及不同UE之间的上行子帧调度，需要避免相互之间的冲突。

覆盖增强LTE概念

LTE（LongTermEvolution，长期演进)，又称E-UTRA/E-UTRAN，和3GPP2UMB合称E3G（Evolved3G）

LTE是由3GPP（The3rdGenerationPartnershipProject，第三代合作伙伴计划）组织制定的UMTS（UniversalMobileTelecommunicationsSystem，通用移动通信系统）技术标准的长期演进，于2004年12月在3GPP多伦多TSGRAN#26会议上正式立项并启动。LTE系统引入了OFDM（OrthogonalFrequencyDivisionMultiplexing，正交频分复用）和MIMO（Multi-Input&Multi-Output，多输入多输出）等关键传输技术，显著增加了频谱效率和数据传输速率（20M带宽2X2MIMO在64QAM情况下，理论下行最大传输速率为201Mbps，除去信令开销后大概为140Mbps，但根据实际组网以及终端能力限制，一般认为下行峰值速率为100Mbps，上行为50Mbps），并支持多种带宽分配：1.4MHz，3MHz，5MHz，10MHz，15MHz和20MHz等，且支持全球主流2G/3G频段和一些新增频段，因而频谱分配更加灵活，系统容量和覆盖也显著提升。LTE系统网络架构更加扁平化简单化，减少了网络节点和系统复杂度，从而减小了系统时延，也降低了网络部署和维护成本。LTE系统支持与其他3GPP系统互操作。LTE系统有两种制式：FDD-LTE和TDD-LTE，即频分双工LTE系统和时分双工LTE系统，二者技术的主要区别在于空中接口的物理层上（像帧结构、时分设计、同步等）。FDD-LTE系统空口上下行传输采用一对对称的频段接收和发送数据，而TDD-LTE系统上下行则使用相同的频段在不同的时隙上传输，相对于FDD双工方式，TDD有着较高的频谱利用率。

LTE/EPC的网络架构如图2所示。

覆盖增强LTE系统结构

LTE采用由eNB构成的单层结构，这种结构有利于简化网络和减小延迟，实现低时延、低复杂度和低成本的要求。与3G接入网相比，LTE减少了RNC节点。名义上LTE是对3G的演进，但事实上它对3GPP的整个体系架构作了革命性的改变，逐步趋近于典型的IP宽带网络结构。

LTE的架构也叫E-UTRAN架构，如图3所示。E-UTRAN主要由eNB构成。同UTRAN网络相比，eNB不仅具有NodeB的功能，还能完成RNC的大部分功能，包括物理层、MAC层、RRC、调度、接入控制、承载控制、接入移动性管理和Inter-cellRRM等。eNodeB和eNodeB之间采用X2接口方式直接互连，eNB通过S1接口连接到EPC。具体地讲，eNB通过S1-MME连接到MME，通过S1-U连接到S-GW。S1接口支持MME/S-GW和eNB之间的多对多连接，即一个eNB可以和多个MME/S-GW连接，多个eNB也可以同时连接到同一个MME/S-GW。

随着数据通信业务需求的迅速增加，移动通信业务由话音业务过渡到话音，数据，图像综合业务阶段。为满足宽带数据通信的需求，无线宽带接入网的建设成为未来移动网络建设重点。LTE作为未来通信发展的大趋势，各大运营商都先后加大了对LTE的投资和研究力度。目前，我国及欧，美，日等一些国家已开始或即将部署LTE网络。

LTE系统不仅要满足多种环境下用户业务的动态速率需求，还需要为各种移动性应用提供可控的上下行无缝覆盖。实际组网中，小区边缘面临着来自其他小区的较大程度的干扰，会对小区边缘用户接入概率，频谱效率和用户体验造成影响。另外，欧洲运营商通过实测发现，LTE系统甚至存在小区边缘用户的VoIP业务服务质量低于第三代移动通信网络的问题。

因此，上下行覆盖增强技术，对于更加有效地推动LTE标准的大规模商用化工作，提升相应的网络效益，促进LTE产业链的健康发展有重要作用。

LTE下行覆盖增强技术主要包括下行4×2/4×4MIMO、RRU上塔、高输出功率等。

对覆盖义齿有不同的描述和名称：如混合式（Hybrid Prosthesis ）修复体、套筒冠式（Telescoped denture）、上盖式（Overlay denture）和覆盖义齿式（Overdenture）。 一般英语称“Overdenture”，描述其覆盖的外形。

1. 根据基牙的功能不同分类

由于覆盖基牙的高度、外形和是否有固位装置是不同的，所起到的支持、稳定、固位

作用是不同的。一般根据基牙的功能不同分为如下几类:

（1）简单覆盖义齿

经过完善的根管治疗，并且其断面在龈上留有一定高度（1.5毫米以上）的残根可以用

作简单覆盖义齿。通过修整根面并将根管口用银汞或树脂充填后，不再进行进一步的处理，在其上制作覆盖义齿，这种覆盖义齿称为简单覆盖义齿。这种覆盖义齿的基牙仅能起到支持作用，能保持根周牙槽骨的高度。一般用于基牙条件较差，牙根较短，松动度明显不适于进一步治疗时；或因为经济原因，患者不希望进一步花费。有时，因为口内余留牙较多，或无牙区牙槽嵴条件较好，估计义齿有足够固位力时，也可对基牙仅作简单覆盖。

（2）根帽式覆盖义齿

基牙经过完善的根管治疗，截冠处理后，在其外表制作一保护的金属根帽，然后在其

上制作覆盖义齿，这种覆盖义齿称为金属根帽式覆盖义齿。这种覆盖义齿的基牙也仅能起到支持作用，能保持根周牙槽骨的高度。比简单覆盖义齿对基牙有一定的保护作用。因为基牙经过截冠、修改外形后，暴露的牙本质容易产生继发龋。

（3）套筒冠式覆盖义齿

基牙外表制作有垂直外壁或有一定聚拢度的外壁的金属内冠，义齿基托组织面安放与

内冠高度吻合的金属外冠，靠内外冠之间的摩擦力产生固位的覆盖义齿称为套筒冠式覆盖义齿。这种覆盖义齿的基牙不仅有支持作用，而且有稳定和固位作用。一般需要有良好的研磨冠制作技术，同时使用贵金属材料较好，因此费用较高。

（4）附着体式覆盖义齿

基牙根面安放附着体，如根帽式附着体、杆卡式附着体、磁性附着体等附着体增加固位作用。制作时需要有附着体预成件，如果与套筒冠技术同时使用，也需应用研磨装置。

2． 根据覆盖义齿的范围不同分类(Classification by Overlap Area of Overdentures )

根据覆盖义齿的范围分类，可分为覆盖全口义齿和覆盖可摘局部义齿两类。前者是指

义齿覆盖在整个牙弓上，外形如全口义齿，保留的天然牙仅有牙根；后者是指义齿覆盖在部分牙弓上，尚有部分天然牙齿保留完整牙冠，外形如局部义齿，保留的天然牙上放置或不放置固位体。

3． 根据覆盖基牙的成分不同分类(Classification by Abutment’s Composition )

（1） 天然牙支持式覆盖义齿

指覆盖基牙是天然牙牙根或牙冠的覆盖义齿，一般没有特指的覆盖义齿均为此类覆盖义齿。

（2）种植体支持式覆盖义齿

指覆盖在由种植体支持的基桩上的覆盖义齿。有时也可由种植体和天然牙根共同支持覆盖义齿。

覆盖规划是室内分布系统建设中的重点内容，首先是要确定覆盖指标，然后确定天线口发射功率，最后确定天线分布。

不同的通信系统有不同的覆盖指标，因此在室内分布建设中，首先要确定系统的边缘覆盖指标。对于GSM系统是边缘场强，对于WCMDA系统是导频信号的RSCP和Ec/Io，对于LTE系统则是RSRP和SNR值。

边缘场强主要取决于接收机的灵敏度、衰落余量和干扰余量。其中接收灵敏度与硬件设备有关，衰落余量及干扰余量与站点结构和网络现状有关，对于不同站点和区域应有相应调整。另外覆盖边缘场强的取定还与宏蜂窝的切换有关系。因此，建议在考虑覆盖时，应考虑不同的区域，设定不同的覆盖边缘场强。对于靠近窗口或建筑物外围的地方，边缘场强要求高一些；而对于建筑物中间区域，可适当低一些。

对于GSM系统只需要考虑边缘场强指标即可。但是对于支持高速数据业务的WCDMA和LTE系统来说，还需要根据不同的覆盖要求确定相应的覆盖指标。对于高数据量、中低数据量和语音覆盖区域有不同的覆盖指标，需要根据实际的覆盖需求来确定。

确定覆盖指标后就需要对天线口发射功率进行设计，天线口发射功率与边缘场强和覆盖目标范围有直接关系，天线口发射功率主要考虑以下几个因素。

国家电磁辐射标准

国家电磁辐射标准规定天线口发射功率不能高于15dBm。

最小耦合损耗（MCL）

MCL定义为基站和手机之间的最小耦合损耗，MCL的降低将会引起基站底噪的抬高，降低基站灵敏度，使其他手机很难接入。

MCL=手机到天线的自由空间损耗 天线到基站接收机的天馈系统损耗。

手机到天线的自由空间损耗通常取值1m的空间损耗。

天线到基站接收机的天馈系统损耗=基站功率−天线口功率。

由此可以算出：

最大天线口功率=基站功率−天馈系统损耗=基站功率−MCL 手机到天线的自由空间损耗。

可根据MCL的要求计算出的为天线口功率的上限，即最大天线口功率（不能超过15dBm）。

边缘场强要求

为了满足在天线覆盖范围内，信号覆盖能够达到边缘场强覆盖的设计要求，可以计算出天线口功率的下限：

天线口功率下限=边缘场强 自由空间损耗 隔断损耗 阴影衰落余量

其中：自由空间损耗=20logf(MHz) 20logd(km) 32.4dB。隔断损耗与建筑物结构材料有关，可以通过模拟测试获取，多径衰落余量一般室内取10dB。

由此可以根据边缘场强计算出天线口发射功率的下限。

综上所述，可以根据计算出的天线口发射功率的上限和下限进行天线分布的设计。

天线分布的设计主要有以下几个原则。

–根据勘测结果和室内建筑结构，设置天线位置和选择天线类型，设置在相邻覆盖目标区的交叉位置，保证其无线传播环境良好，同时遵循天线最少化原则。

–根据覆盖目标和范围以及天线口功率的上下限合理设置天线口功率。

–对于层高较低，内部结构复杂的室内环境，宜选用全向吸顶天线，宜采用低天线输出功率、高天线密度的天线分布方式，以使功率分布均匀，覆盖效果良好，如写字楼、酒店等建筑。

–对于较空旷且以覆盖为主的区域，由于无线传播环境较好，宜采用高天线输出功率、低天线密度的天线分布方式，满足信号覆盖和接收场强值要求即可，如地下车库等区域。

–对于建筑边缘的覆盖，宜采用室内定向天线，避免室内信号过分泄漏到室外而造成干扰，根据安装条件可选择定向吸顶天线或定向板状天线，如建筑一层出入口处、楼宇沿窗区域等。

–对于电梯的覆盖，可采用3种方式：一是在各层电梯厅设置室内吸顶天线；二是在信号屏蔽较严重的电梯或在电梯厅没有安装条件的情况下，在电梯井道内设置方向性较强的定向天线；三是在电梯轿厢内增设发射天线，布放随梯电缆。较常用的为前两种方式。应尽量避免电梯内的切换，以避免电梯运行过程中由于切换造成的掉话。