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光导体公布时间

光导体公布时间

1998年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。

光导体造价信息

市场价
信息价
询价

信息布线箱-箱体

规格型号：
产品编号:HV×023D;说明:1N0+1NC/1N0+1NC;规格:亮架:h800HBC系列塑壳断路器附件路器附件;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
海格
材料税率：
13%
供应商：
上海迈驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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信息布线箱-箱体

规格型号：
产品编号:HW030D;说明:固定式三极;规格:亮架:h800HBC系列塑壳断路器附件路器附件;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
海格
材料税率：
13%
供应商：
上海迈驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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信息布线箱-箱体

规格型号：
产品编号:HV×024D;说明:1N0+1NC;规格:亮架:h800HBC系列塑壳断路器附件路器附件;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
海格
材料税率：
13%
供应商：
上海迈驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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铜芯内部布线用导体温度为70℃的单芯实芯导体无护套电缆

规格型号：
RV-1mm2线芯材质:T铜芯;芯数:1;标称截面(mm2):1mm2;执行标准:GB5023-97;额定电压(V):450/750V;
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
鸽牌
材料税率：
13%
供应商：
重庆市江北区嘉陵机电设备有限公司
报价时间：
2022-12-07

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铜芯内部布线用导体温度为70℃的单芯实芯导体无护套电缆

规格型号：
RV-0.5mm2线芯材质:T铜芯;芯数:1;标称截面(mm2):0.5mm2;执行标准:GB5023-97;额定电压(V):450/750V;颜色:单色;
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
鸽牌
材料税率：
13%
供应商：
重庆市江北区嘉陵机电设备有限公司
报价时间：
2022-12-07

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X光脱水烘干

规格型号：
ZTH-340
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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X光脱水烘干

规格型号：
ZTH-340
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

X光脱水烘干

规格型号：
ZTH-340
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

X光脱水烘干

规格型号：
ZTH-340
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2009年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

X光脱水烘干

规格型号：
ZTH-340
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2008年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-15

查看价格

半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

查看价格

半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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亚克力公布栏

规格型号：
55cm*75cm
需求量：
60项
报价数：
3
材料品牌：
中高档品牌
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2017-07-19

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光导体出处

《电气工程名词》第一版。 2100433B

光导体公布时间常见问题

半导体材料和光导纤维？

半导体材料就是所谓的单晶硅。单晶硅就是晶体类型唯一的硅晶体。我们平时遇到的物体比如铁块，看上去方方正正的，但是微观上它是多种晶体类型混在一起的。生活中的晶体一般都是多晶型的。而制作半导体器件用的硅应为...
光导管的光导照明发展历程

在光导照明出现前，天窗采光的方式被广泛用于大型厂房，但天窗采光有容易产生局部聚光现象等缺陷；而自然光光导照明的照明效果不会因光线入射角的变化而改变，且照射面积大、出射光线均匀、无眩光、不会产生局部聚...
发光二极管是导体还是半导体

发光二极管不是导体！发光二极管是一种元件，是用半导体材料制作的一种元件。

光导体公布时间文献

吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响

吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响

吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响

格式：pdf

大小：440KB

页数：未知

本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间 ,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式 .结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间 ,在计算中应该加以考虑 .

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矿井日光浴光导装置

矿井日光浴光导装置

矿井日光浴光导装置

格式：pdf

大小：440KB

页数：未知

在煤矿里，由于工作时间长、劳动强度大、没有阳光照射，煤矿工人常常处于亚健康状态，易骨质疏松。

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半导体激光半导体激光器

半导体激光构造及材料 半导体激光器在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（有源层），是“双异质结接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作为发射镜（谐振腔）使用。在使用材料方面，有镓(Ga)、砷(As)、铟(In)、磷(P)等。此外在多量子阱型中，也使用Ga·Al·As等。 由于具有条状结构，即使是微小电流也会增加活性区域的电子数反转密度， 优点是激发容易呈现单一形式，而且，其寿命可达10~100万小时。 半导体激光条件 半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件： 增益条件：建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现，将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。 要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜。对F-p腔(法布里一拍罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P一n结平面相垂直的自然解理面构成F一P腔。 为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场。这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件。当激光器达到阀值，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出。可见在半导体激光器中，电子和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程对于新型半导体激光器而言，人们公认量子阱是半导体激光器发展的根本动力。量子线和量子点能否充分利用量子效应的课题已延至本世纪，科学家们已尝试用自组织结构在各种材料中制作量子点，而GaInN量子点已用于半导体激光器。另外，科学家也已经做出了另一类受激辐射过程的量子级联激光器，这种受激辐射基于从半导体导带的一个次能级到同一能带更低一级状态的跃迁，由于只有导带中的电子参与这种过程，因此它是单极性器件。

半导体光电办刊成果

半导体光电研究发表 据2018年5月26日中国知网显示，《半导体光电》共出版文献5670篇。 据2018年5月26日万方数据知识服务平台显示，《半导体光电》载文量为3735篇。 半导体光电收录情况 《半导体光电》被中国科学引文数据库、中国学术期刊、INSPEC数据库、Elsevier二次文献Scopus数据库、CA 化学文摘、SA 科学文摘、JST 日本科学技术振兴机构数据库、北京大学《中文核心期刊要目总览》（1992年第一版、1996年第二版、2000年版、2004年版、2008年版、2011年版、2014年版）等收录。 半导体光电影响因子 据2018年5月26日中国知网显示，《半导体光电》总被下载725033次、总被引18968次，（2017版）复合影响因子为0.396，（2017版）综合影响因子为0.253。 据2018年5月26日万方数据知识服务平台显示，《半导体光电》被引量为15112次，下载量为56999次；据2015年中国期刊引证报告（扩刊版）数据显示，《半导体光电》影响因子为0.36，在全部统计源期刊（6127种）中排第2848名，在无线电电子学与电信技术（142种）中排第45名。 半导体光电荣誉勋章 全国中文核心期刊； 连续多年获得工业和信息化部“优秀科技期刊奖”； 信息产业部优秀电子期刊； 重庆市优秀期刊； Caj-cd规范获奖期刊。

半导体泵浦固体激光半导体激光

半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续发射。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laser diode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。 在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（活性层），是“双异质接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作为发射镜（共振腔）使用。在使用材料方面，有镓(Ga)、砷(As)、铟(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中，也使用Ga·Al·As等。 由于具有条状结构，即使是微小电流也会增加活性区域的居量反转密度，优点是激发容易呈现单一形式，而且，其寿命可达10~100万小时。 激光二极体的优点是效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也达到数%~25%，总而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的连续输出波长涵盖了红外到可见光范围，而光脉冲输出达50W（带宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。 2100433B

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