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硅料,硅片,太阳能电池片,单晶电池,多晶电池(整片碎片),125电池片,156电池片,单晶电池片,多晶电池片,半导体硅片,太阳能硅片,单晶硅片,多晶硅片,高效/低效太阳能电池片,崩边缺角太阳能电池片,太阳能电池板组件,太阳能电池碎片,单晶碎电池片,多晶碎电池片,破碎电池片,碎硅片,电池扩散碎片,废硅片,电池裸片,抛光片,光刻片,彩片,蓝膜片,单晶硅棒,多晶硅锭,硅块,原生多晶,顶侧边皮料,单晶边皮,多晶边皮,硅头尾料,锅底料,单晶硅,多晶硅等各类硅材料。硅片回收的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。 硅片回收加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。硅片回收技术步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使银浆回收受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。
硅片回收是闽来新能源回收利用由专业机构专业回收废或过期原生多晶硅,125太阳能单晶电池片,156太阳能多晶片(整片,碎片),抛光片,头尾料,半导体硅片,及稀有金属硅片回收工艺流程具体介绍如下:
切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
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因为两者会反应生成硅酸钠(俗称“泡花碱”)硅酸钠又会和水反应生成原硅酸
你说的是这个么 好象是很专业的 我就只能发这个了 不好意思 硅片 目前,在米粒大的硅片上,已能集成15.6万个晶体管。这是何等精细的工程!这是多学科协同努力的结晶,是科学技术进步的又一个里程碑。 微电...
太阳能电池硅片线锯砂浆中硅屑的回收技术研究
多线切割是当前硅太阳能电池片生产的主要工艺。在线切割过程中约有1/2的晶体硅成为锯屑进入到切割砂浆。砂浆中的各种污染物并未进入高纯硅屑晶体内部,因此可以期望通过物理分离、清洗等技术来提取获得高纯硅粉,而不需要通过高耗能的高温化学或相变过程。综述了硅片线切割过程、硅屑形成及废砂浆特性,评述了从线切割废砂浆中回收高纯硅粉的研究现状和进展,包括本研究组近期的研究结果。
硅片背面铜污染的清洗
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。