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感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统

感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统是一种用于物理学领域的工艺试验仪器，于2016年12月20日启用。

感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统基本信息

中文名感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统
产地德国
学科领域物理学
启用日期2016年12月20日
所属类别工艺试验仪器

感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统主要功能

低温工艺，可在温室下进行SiO2淀积。

感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统造价信息

市场价
信息价
询价

增强型D1系列

规格型号：
抽拉式D1增强型DH-DVR0404HG-SR(国内大华主板V1.02)
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
格辉阳
材料税率：
13%
供应商：
四川省格辉阳电气有限责任公司
报价时间：
2022-12-07

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增强型D1系列

规格型号：
抽拉式D1增强型DH-DVR0804HG-SR(国内大华主板V1.02)
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
格辉阳
材料税率：
13%
供应商：
四川省格辉阳电气有限责任公司
报价时间：
2022-12-07

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增强型D1系列

规格型号：
抽拉式D1增强型DH-DVR1604HG-SR(国内大华主板V1.02)
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
格辉阳
材料税率：
13%
供应商：
四川省格辉阳电气有限责任公司
报价时间：
2022-12-07

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增强型高速智能球

规格型号：
功能:红外一体机;参数说明:内置进口SONY机芯，1/4"Exview HAD CCD,彩色480线，最低照度0.7lux,18倍光学变焦f=4.1-73.8mm,12倍电子变倍。彩色转黑白,自动
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
ADT
材料税率：
13%
供应商：
深圳市深安立通科技有限公司江西办事处
报价时间：
2022-12-07

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增强型高速智能球

规格型号：
功能:红外一体机;参数说明:内置进口LG机芯，1/4"SONY CCD,彩色650线，黑白700线,最低照度彩色0.003lux,黑白0.0001lux,23倍光学变焦,12倍电子变倍。彩转黑，感红外。;品种:高速球摄像机;型号:ADT1806C-L23L;有效像素:650线;类型:模拟
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
ADT
材料税率：
13%
供应商：
深圳市深安立通科技有限公司江西办事处
报价时间：
2022-12-07

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自动门感应探头

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
清远市连山县2019年上半年信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自动门感应探头

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
清远市连山县2018年下半年信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

自动门感应探头

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
清远市连山县2018年上半年信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

自动门感应探头

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
清远市连山县2017年上半年信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

自动门感应探头

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
清远市连山县2016年下半年信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电感耦合等离子体质谱仪

规格型号：
参数配置详见附件
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2020-09-21

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等离子体净化装置

规格型号：
1.型号:VBK-HD-13B2.规格:风量=1360/h
需求量：
3台
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-09-29

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等离子体净化装置

规格型号：
1.型号:VBK-HD-13B2.规格:风量=1360/h
需求量：
3台
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-10-15

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电感耦合等离子体质谱仪及配套设备

规格型号：
iCAP RQ
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2021-10-19

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电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)

规格型号：
1000G
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
帕金埃尔默（PE）
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2020-08-04

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感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统技术指标

淀积SiO2，SiN，a-Si；厚度范围10nm~1μm；均匀性10%。

感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统常见问题

什么是等离子体膜

等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同，它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构，从而具有良好的均匀性及对基质的附着性［1，2］．有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多［3，4］，本室已...
问下如何产生等离子体

等离子体又叫做“电浆”，是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质在人工生成等离子体的方法中，气体放电法比加热的办法更加简便高效，如荧光灯、霓虹灯、电弧焊、电晕放电...
低温等离子体和热等离子体有什么区别？

低温等离子体：适合的应用材料的表面清洗活化焊接，油漆，打印，密封，起泡，涂覆及硅化前表面活化处理。气体裂解和高效灭菌加速化学反应产品特点：突破低气压限制，可在大气压下引发等离子体；可对材料连续在线处理...

感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统文献

电感耦合等离子体-质谱法测定食品中的总铬

电感耦合等离子体-质谱法测定食品中的总铬

电感耦合等离子体-质谱法测定食品中的总铬

格式：pdf

大小：175KB

页数：未知

食品样品使用微波消解处理后,选用质量数相近的钪(Sc)作为内标,使用电感耦合等离子体-质谱仪测定总铬含量。在0—150μg/L范围内,仪器响应值与总铬含量呈线性关系,线性方程为I=0.0429C,相关系数r=0.9998,检出限为0.022mg/kg,相对标准偏差(n=6)为4.58%,加标回收率在97.6%—104%之间。

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电感耦合等离子体质谱检测尿铅同位素比值

电感耦合等离子体质谱检测尿铅同位素比值

电感耦合等离子体质谱检测尿铅同位素比值

格式：pdf

大小：175KB

页数：未知

目的建立电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测尿铅同位素比值的测定方法。方法取10 ml尿样用浓硝酸及30%过氧化氢消解赶酸后用1%硝酸定容至5 ml测定;利用铅同位素标准物质(GBW04426)测定铅同位素比值校正系数,将铅同位素标准参考物NIST SRM981同样品一起经ICP-MS检测。结果优化检测方法后进行尿铅同位素检测,NIST SRM981同位素测定精密度RSD(204Pb/206Pb)<2%、RSD(207Pb/206Pb)<1%、RSD(208Pb/206Pb)<1%,NIST SRM981检测结果与证书值接近。结论该方法方便简捷、数据可靠,可满足尿铅同位素的测定。

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等离子体增强化学气相沉积设备主要功能

低温成膜，温度对基片影响小，可制备厚膜，膜层成分均匀；等离子体对基片有清洗作用；该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术，用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。

沉积反应化学气相沉积

化学气相沉积是制备各种薄膜材料的一种重要和普遍使用的技术，利用这一技术可以在各种基片上制备元素及化合物薄膜。化学气相沉积相对于其他薄膜沉积技术具有许多优点：它可以准确地控制薄膜的组分及掺杂水平使其组分具有理想化学配比；可在复杂形状的基片上沉积成膜；由于许多反应可以在大气压下进行，系统不需要昂贵的真空设备；化学气相沉积的高沉积温度会大幅度改善晶体的结晶完整性；可以利用某些材料在熔点或蒸发时分解的特点而得到其他方法无法得到的材料；沉积过程可以在大尺寸基片或多基片上进行。 化学气相沉积的明显缺点是化学反应需要高温；反应气体会与基片或设备发生化学反应；在化学气相沉积中所使用的设备可能较为复杂，且有许多变量需要控制。 化学气相沉积有较为广泛的应用，例如利用化学气相沉积，在切削工具上获得的TiN或SiC涂层，通过提高抗磨性可大幅度提高刀具的使用寿命；在大尺寸基片上，应用化学气相沉积非晶硅可使太阳能电池的制备成本降低；化学气相沉积获得的TiN可以成为黄金的替代品从而使装饰宝石的成本降低。而化学气相沉积的主要应用则是在半导体集成技术中的应用，例如：在硅片上的硅外延沉积以及用于集成电路中的介电膜如氧化硅、氮化硅的沉积等。 沉积反应一、一般化学气相沉积反应 在化学气相沉积中，气体与气体在包含基片的真空室中相混合。在适当的温度下，气体发生化学反应将反应物沉积在基片表面，最终形成固态膜。在所有化学气相沉积过程中所发生的化学反应是非常重要的。在薄膜沉积过程中可控制的变量有气体流量、气体组分、沉积温度、气压、真空室几何构型等。因此，用于制备薄膜的化学气相沉积涉及三个基本过程：反应物的输运过程，化学反应过程，去除反应副产品过程。广义上讲，化学气相沉积反应器的设计可分成常压式和低压式，热壁式和冷壁式。常压式反应器运行的缺点是需要大流量携载气体、大尺寸设备，膜被污染的程度高；而低压化学气相沉积系统可以除去携载气体并在低压下只使用少量反应气体，此时，气体从一端注入，在另一端用真空泵排出。因此，低压式反应器已得到广泛应用和发展。在热壁式反应器中，整个反应器需要达到发生化学反应所需的温度，基片处于由均匀加热炉所产生的等温环境下；而在冷壁式反应器中，只有基片需要达到化学反应所需的温度，换句话说，加热区只局限于基片或基片架。 下面是在化学气相沉积过程中所经常遇到的一些典型的化学反应。 1．分解反应 早期制备Si膜的方法是在一定的温度下使硅烷SiH₄分解，这一化学反应为： SiH₄（g） ——→Si（s） 2H₂（g） 许多其他化合物气体也不是很稳定，因而利用其分解反应可以获得金属薄膜： Ni（CO）₄（g）——→Ni（s） 4CO（g） Til2（g）——→Ti（s） 2I（g） 2．还原反应 一个最典型的例子是H还原卤化物如SICl₄获得Si膜： SiCl4（g） 2H2（g）——→Si（s） 4HCl（g） 其他例子涉及钨和硼的卤化物： WCl₆（g） 3H₂（g）——→W（s） 6HCl（g） WF₆（g） 3H₂（g）——→W（s） 6HF（g） 2BCl₃（g） 3H2（g）——→2B（g） 6HCI（g） 氯化物是更常用的卤化物，这是因为氯化物具有较大的挥发性且容易通过部分分馏而钝化。氢的还原反应对于制备像Al、Ti等金属是不适合的，这是因为这些元素的卤化物较稳定。 3．氧化反应 SiO₂通常由SiH₄的氧化制得，其发生的氧化反应为： SiH₄（g） O₂（g）——→SiO₂（s） 2H₂（g）反应可以在450℃较低的温度下进行。 常压下的化学气相反应沉积的优点在于它对设备的要求较为简单，且相对于低压化学气相反应沉积系统，它的价格较为便宜。但在常压下反应时，气相成核数将由于使用的稀释惰性气体而减少。 SiCl₄和GeCl₄的直接氧化需要高温： SiCl₄（g） O₂（g）——→SiOz（s） 2Cl₂（g） GeCl₄（g） O₂（g）——→GeO₂（s） 2Cl₂（g） 由氯化物的水解反应可氧化沉积Al： Al₂Cl₆（g） 2CO₂（g） 3H₂（g）——→Al₂O₃（s） 6HCl（g） 3CO（g） 4．氮化反应和碳化反应 氮化硅和氮化硼是化学气相沉积制备氮化物的两个重要例子： 3SiH₄（g） 4NH₃（g）——→Si₃N₄（s） 12H₂（g） 下列反应可获得高沉积率： 3SiH₂Cl₂（g） 4NH₃（g）——→Si₃N₄（s） 6HCI（g） 6H2（g） BCl₃（g） NH₃（g）——→BN（s） 3HCl（g） 化学气相沉积方法得到的膜的性质取决于气体的种类和沉积条件(如温度等)。例如，在一定的温度下，氮化硅更易形成非晶膜。在碳氢气体存在情况下，使用氯化还原化学气相沉积方法可以制得TiC： TiCl₄（g） CH₄（g）——→TiC（s） 4HCl（g） CH₃SiCl₃的热分解可产生碳化硅涂层： CH₃SiCl₃（g）——→SiC（s） 3HCl（g） 5．化合反应 由有机金属化合物可以沉积得到Ⅲ～V族化合物： Ga(CH3)₃（g） AsH₃（g）——→GaAs（s） 3CH₄（g） 如果系统中有温差，当源材料在温度T1时与输运气体反应形成易挥发物时就会发生化学输运反应。当沿着温度梯度输运时，挥发材料在温度T2(T1>T2)时会发生可逆反应，在反应器的另一端出现源材料： 6GaAs（g） 6HCI（g）↔As₄（g） As₂（g）) 6GaCI（g） 3H₂（g）（T1正反应，T2逆反应） 在逆反应以后，所获材料处于高纯态。 沉积反应二、化学气相沉积制备薄膜的传统方法 下表给出了化学气相沉积制备薄膜时所使用的化学气体以及沉积条件。 膜 反应气体 沉积温度/℃ 基底 ZnO （C2H5）₂Zn和O₂ 200~500 玻璃 Ge GeH₄ 500~900 Si SnO₂ SnCl₂和O₂ 350~500 玻璃 Nb/Ge NbCl₅和GeCl₄ 800和900 氧化铝 BN BCl₃和NH₃ 600~1000 SiO₂和蓝宝石 TiB2 H2，Ar，TiCl₄和B₂H₅ 600~900 石墨 BN BCl₃和NH₃ 250~700 Cu a-Si ：H Si₂H₄ 380~475 Si CdTe CdTe和HCl 550~650 CdTe（110） Si SiH₄ 570~640 Si（001） W WF₆，Si和H₂ 300 热氧化Si片 Si3N4 SiH₂Cl₂:：NH3=1:3 800 n型Si(111) B B₁₀H₁₄ 600~1200 350~700 Al2O3和Si Ta片 Si SiH₄ 775 Si片 TiSn2 SiH₄和TiCl₄ 650~700 Si片 W WF₆和Si 400 多晶Si

热解化学气相沉积简介

热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。

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