2014年5月6日，《高压试验室电磁屏蔽效能要求与测量方法》发布。

2015年1月22日，《高压试验室电磁屏蔽效能要求与测量方法》实施。

主要起草单位：中国航天科工集团二院二0三所、中国电力科学研究院、常州新区金利达电子有限公司、常州市长城屏蔽机房设备有限公司、长屏(北京)电磁防护技术有限公司。

主要起草人：吴红森、邬雄、沈涛、张建功、韩玉峰、李妮、李志珍等。 2100433B

2021年5月21日，《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》发布。

2021年12月1日，《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》实施。

屏蔽体的有效性用屏蔽效能（SE）来度量。屏蔽效能的定义如下：

SE=20lg(E1/E2) (dB)

式中：E1 =没有屏蔽时的场强 E2 =有屏蔽时的场强

如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度，则称为磁场屏蔽效能，如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度，则称为电场屏蔽效能。屏蔽效能的单位是分贝(dB)，下表是衰减量与分贝的对应关系：

一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下，军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60dB，TEMPEST设备的屏蔽机箱屏蔽效能要达到80dB以上。屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到100dB。100dB以上的屏蔽体是很难制造的，成本也很高。

从上面给出的屏蔽效能计算公式可以得出一些对工程有实际指导意义的结论，根据这些结论，我们可以决定使用什么屏蔽材料，注意什么问题。下面给出的结论，初步一看，会感到杂乱无章，无从应用，但是结合上面第3和第4条仔细分析后，会发现这些结论都有着内在联系。深入理解下面的结论对于结构设计是十分重要的。

1）材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高，但实际的金属材料不可能兼顾这两个方面，例如铜的导电性很好，但是导磁性很差；铁的导磁性很好，但是导电性较差。应该使用什么材料，根据具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来决定是侧重导电性还是导磁性；

2）频率较低的时候，吸收损耗很小，反射损耗是屏蔽效能的主要机理，要尽量提高反射损耗；

3）反射损耗与辐射源的特性有关，对于电场辐射源，反射损耗很大；对于磁场辐射源，反射损耗很小。因此，对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗，应该选用磁导率较高的材料做屏蔽材料。

4）反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关，对于电场辐射源，距离越近，则反射损耗越大；对于磁场辐射源，距离越近，则反射损耗越小；正确判断辐射源的性质，决定它应该靠近屏蔽体，还是远离屏蔽体，是结构设计的一个重要内容。

5）频率较高时，吸收损耗是主要的屏蔽机理，这时与辐射源是电场辐射源还是磁场辐射源关系不大。

6）电场波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁场波是最难屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低频磁场，很难屏蔽。对于低频磁场，要采用高导磁性材料，甚至采用高导电性材料和高导磁性材料复合起来的材料。