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本标准规定了继电器触点用合金内氧化法银氧化锡氧化铟线材(以下简称线材)的术语和定义、标注、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、标签、贮存、包装、运输、质量承诺等内容。
本标准适用于继电器触点用以合金内氧化法制造的银氧化锡氧化铟线材产品。 2100433B
本标准由宁波市标准化研究院牵头组织制定。 本标准主要起草单位:宁波汉博贵金属合金有限公司。 本标准参与起草单位:宁波市标准化研究院、机械工业电工材料产品质量监督检测中心、中国电器工业协会电工合金分会、全国电工合金标准化技术委员会、厦门理工学院、厦门金波贵金属制品有限公司、三友联众集团股份有限公司、宁波电工合金材料有限公司、佛山通宝精密合金股份有限公司(排名不分先后)。
本标准起草人:刘远廷、周山山、何伟、马林泉、崔得锋、石建华、许龙山、郑东风、康如喜、乐平、盘志雄、刘承峰、杨根涛、王圣明、姚金秋、邹力、颜文龙、潘宇、陈小明。
加热,黑银是由于氧化所致,氧化银(Ag2O)是黑色的故银的表面会呈现出黑色状。因此可以通过使用强还原剂甲醛(HCHO)通过氧化还原反应来将氧化银还原成银。另外还有一种方法是用碱性物质洗涤或者擦拭,这是...
基本信息 tin oxide ; stannic oxide:stannic anhydride; 别名 氧化锡 化学式 SnO2 白色四角晶体,密度7,熔点1127摄氏度.不溶于水,...
氧化锆氧量分析仪工作原理及维护使用:一、前言由于氧探头与现有测氧仪表(如磁氧分析器、电化学式氧量计、气象色谱仪等)相比,具有结构简单,响应时间短(0.1s~0.2s),测量范围宽(从ppm到百分含量)...
氧化沟简介及氧化沟的主要优点
氧化沟简介及氧化沟的主要优点 一、 氧化沟简介 氧化沟利用循环环式反应池( Continuous Loop Reator )作为生物反应池,并使用一种带 方向控制的曝气和搅动装置向反应池中液体传递水平速度, 从而使液体在池中循环。 氧化沟 是活性污泥法的一种变型, 在水力流态上不同于传统的活性污泥法, 氧化沟是一种首尾相连 的循环流动曝气沟渠。最早的氧化沟渠是土沟渠,间歇进水、间歇曝气,从这一点上来说, 氧化沟最早是以序批方式处理污水的。 1954年荷兰建成了世界上第一座氧化沟污水处理厂, 为一个环形跑道,斜坡式池壁反应池,采用间歇运行方式,白天做曝气池用,晚上做沉淀池 用,结构简单,处理效果好。 氧化沟处理污水的整个过程如进水、 曝气、沉淀、污泥稳定和出水全部集中在氧化沟内完 成,最早的氧化沟不需要设初次沉淀池、 二沉池和污泥回流设备, 采用延时曝气、 连续进出 水,所产生的污泥在污水净
中华人民共和国机械行业标准 银氧化锡氧化铟电触头材料化学分析方法(报批稿)碘量法测定锡量
中华人民共和国机械行业标准 银氧化锡氧化铟电触头材料化学分析方法(报批稿)碘量法测定锡量
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精确质量:277.79200
PSA:43.37000
用于搪瓷和电磁材料,并用于制造乳白玻璃、锡盐、瓷着色剂、织物媒染剂和增重剂、钢和玻璃的磨光剂等。
二氧化锡(SnO₂)电极广泛应用于高档光学玻璃的熔炼以及电解铝行业,二氧化锡电级尤其适用于火石类玻璃、钡火石、钡冕,以及重冕玻璃等的熔炼,且对玻璃不产生污染。此项成果已通过河南省科技厅组织的专家鉴定,整体性能指标在国内处于领先水平,二氧化锡电级主要指标已达到国际先进水平。
SnO2电极性能技术指标
1、体积密度6.38-6.58g/cm3
2、抗弯强度
室 温 1155kg/cm2
1000℃ 641kg/cm2
1200℃ 166kg/cm2
1400℃ 95kg/cm2
3、电阻率(Ω· cm)
室 温 93
400℃ 6.1000
600℃ 1.4000
800℃ 0.0200
900℃ 0.0150
1000℃ 0.0098
1100℃ 0.0084
4、抗钠钙玻璃侵蚀速率(mm/h)
1000℃ 0.53 x 10-3
1100℃ 0.63 x 10-3
5、热膨胀率(1200℃ )
0.69%
SnO₂是一种重要的半导体传感器材料,用它制备的气敏传感器灵敏度高,被广泛用于各种可燃气体、环境污染气体、工业废气以及有害气体的检测和预报。以SnO2为基体材料制备的湿敏传感器,在改善室内环境、精密仪器设备机房以及图书馆、美术馆、博物馆等均有应用。通过在SnO2中掺杂一定量的CoO、Co2O3、Cr2O3、Nb2O5、Ta2O5等,可以制成阻值不同的压敏电阻,在电力系统、电子线路、家用电器等方面都有广泛的用途。
SnO₂由于对可见光具有良好的通透性,在水溶液中具有优良的化学稳定性,且具有特定的导电性和反射红外线辐射的特性,因此在锂电池、太阳能电池、液晶显示、光电子装置、透明导电电极、防红外探测保护等领域也被广泛应用。而SnO₂纳米材料由于具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面较传统SnO₂而言都会发生显著的变化,所以可以通过运用纳米材料来改善传感器材料的性能。
英文名称:Stannic oxide
中文别名:二氧化锡
分子式(Formula): SnO₂
分子量(Molecular Weight): 150.69
CAS No.: 18282-10-5
质量指标(Specification)
外观(Appearance): 白色、淡黄色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末
含量(Purity): 99.60%-99.99%)
物化性质(Physical Properties)
化学成分:SnO2:99.85%;Cu:0.0014%
SnO2同时是一种优秀的透明导电材料。它是第一个投入商用的透明导电材料,为了提高其导电性和稳定性,常进行掺杂使用,如SnO₂:Sb、SnO₂:F等。SnO2和其掺杂都具有正方金红石结构(tetragonal rutile),如图所示。红色为O,黑色为Sn,SnO2由两个Sn和四个O原子组成,晶格常数为a=b=0.4737nm,c=0.3186nm,c/a=0.637。O^2-=0.140nm,Sn^4+=0.071nm。SnO2是n型宽能隙半导体,禁带宽度为3.5-4.0eV,可见光及红外透射率为80%,等离子边位于3.2μm处,折射率>2,消光系数趋于0.SnO2附着力强,与玻璃和陶瓷的结合力可达20MPa,莫氏硬度为7—8,化学稳定性好,可经受化学刻蚀。SnO2作为导电膜,其载流子主要来自晶体缺陷,即O空位和掺杂杂质提供的电子。