绝缘栅场效应管工作原理

绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS=0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS=0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。 图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。同时在电场作用下，P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面，并被空穴所俘获而形成负离子，组成不可移动的空间电荷层（称耗尽层又叫受主离子层）。UGS愈大，电场排斥硅表面层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且UGS愈大，电场愈强；当UGS 增大到某一栅源电压值VT（叫临界电压或开启电压）时，则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后，就会吸引少数载流子-电子，继而在表面层内形成电子的积累，从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。由于与P型衬底的导电类型相反，故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层，把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来，形成导电沟道。 用图2所示电路来分析栅源电压UGS控制导电沟道宽窄，改变漏极电流ID 的关系：当UGS=0时，因没有电场作用，不能形成导电沟道，这时虽然漏源间外接有ED电源，但由于漏源间被P型衬底所隔开，漏源之间存在两个PN结，因此只能流过很小的反向电流，ID ≈0；当UGS>0并逐渐增加到VT 时，反型层开始形成，漏源之间被N沟道连成一体。这时在正的漏源电压UDS作用下；N沟道内的多子（电子）产生漂移运动，从源极流向漏极，形成漏极电流ID。显然，UGS愈高，电场愈强，表面感应出的电子愈多，N型沟道愈宽沟道电阻愈小，ID愈大。

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绝缘栅场效应管造价信息

市场价
信息价
询价

绝缘棒

规格型号：
玻璃布
价格行情：
材料单位：
kg
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
天津市金龙林橡塑制品销售中心
报价时间：
2022-12-06

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绝缘棒

规格型号：
玻璃布
价格行情：
材料单位：
kg
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
天津市津宝机电有限公司
报价时间：
2022-12-06

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绝缘腐补伤片

规格型号：
FRYФ22×500 材质聚乙烯阻燃性 17 耐温 100(℃)耐压 100(KV) 颜色黑色
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
成都市新都嘉瑞新材料厂
报价时间：
2022-12-06

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PR绝缘管束

规格型号：
19.1 - 21.7处理:电镀;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
SHF
材料税率：
13%
供应商：
上海新奇五金有限公司广州办事处
报价时间：
2022-12-06

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PR绝缘管束

规格型号：
38.1 - 42.7处理:电镀;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
SHF
材料税率：
13%
供应商：
上海新奇五金有限公司广州办事处
报价时间：
2022-12-06

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切管机

规格型号：
9A151
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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抓管机

规格型号：
功率120kW
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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抓管机

规格型号：
功率160kW
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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切管机

规格型号：
9A151
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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吊管机

规格型号：
功率240kW
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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场效应管

规格型号：
4953
需求量：
30个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2018-10-16

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MOS型场效应晶体管瞬态热阻测试仪

规格型号：
BJ2989
需求量：
6台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-11-17

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MOS场效应晶体管测试仪

规格型号：
BJ2990
需求量：
6台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-04-22

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拦污栅栅体安装

规格型号：
拦污栅栅体安装
需求量：
52t
报价数：
3
材料品牌：
/
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-04-19

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拦污栅栅体

规格型号：
拦污栅栅体
需求量：
1t
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2018-09-12

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绝缘栅场效应管主要参数

Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。 Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。 BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM—最大耗散功率。是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。2100433B

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绝缘栅场效应管结构和符号

图1是N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号。它是在一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N 区，在两个N 区之间的硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，然后在SiO2和两个N型区表面上分别引出三个电极，称为源极s、栅极g和漏极d。在其图形符号中，箭头表示漏极电流的实际方向。

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绝缘栅场效应管常见问题

场效应管做开关

两种方案：方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。
场效应管怎么接？

N型的增强型MOS管，驱动电路接栅极G，注意是电压驱动型，查看芯片手册看驱动方式，源极S可接负载或者地，漏极D接电源或者负载P型的S和D相反
怎么使用场效应管做开关

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。场效应管要...

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绝缘栅场效应管文献

场效应管基础知识介绍

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大小：118KB

页数： 3页

场效应管基础知识介绍一、场效应三极管的型号命名方法第二种命名方法是 CS××#， CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号， #用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G等。二、场效应管的参数 1、 I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压 U GS — 对漏极电流 I D的控制能力，即漏极电流 I D变化量与栅源电压 UGS变化量的比值。 gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压 UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加

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55V沟槽型功率场效应管设计

格式：pdf

大小：118KB

页数：未知

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

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新编国内外场效应管、晶闸管速查手册图书目录

上篇场效应管 一、场效应管基本知识及手册使用说明 1. 场效应管基本知识 1）场效应管的分类 2）结型场效应管 3）绝缘栅场效应管 4）场效应管的主要参数 5）场效应管的伏安特性曲线 2．手册使用说明 1）“型号”栏 2）“类型”栏 3）“用途”栏 4）“主要参数”栏 5）“外形”栏 6）“备注”栏 7）其他注意事项 二、场效应管参数速查表 表2-1 A系列场效应管参数 表2-2 B系列场效应管参数 表2-3 C、D、E系列场效应管参数 表2-4 F系列场效应管参数 表2-5 G、H系列场效应管参数 表2-6 I系列场效应管参数 表2-7 J、K系列场效应管参数 表2-8 L、M系列场效应管参数 表2-9 N系列场效应管参数 表2-10 O、P系列场效应管参数 表2-11 R、S系列场效应管参数 表2-12 T系列场效应管参数 表2-13 U、V、W系列场效应管参数 表2-14 X、Y、Z系列场效应管参数 表2-15 "para" label-module="para"> 表2-16 2N系列场效应管参数 表2-17 2SJ系列场效应管参数 表2-18 2SK系列场效应管参数 表2-19 3系列场效应管参数 下篇晶闸管 三、晶闸管基本知识及手册使用说明 1．晶闸管基本知识 1）晶闸管的分类 2）单向晶闸管 3）双向晶闸管 4）特殊晶闸管 5）晶闸管的主要参数 6）国产晶闸管型号的命名方法 2．手册使用说明 1）“型号”栏 2）“类型”栏 3）“用途”栏 4）“主要参数”栏 5）“外形”栏 6）“备注”栏 四、晶闸管参数速查表 表4-1 A、B系列晶闸管参数 表4-2 C、D系列晶闸管参数 表4-3 E、F系列晶闸管参数 表4-4 G、H系列晶闸管参数 表4-5 I、K系列晶闸管参数 表4-6 L、M、N系列晶闸管参数 表4-7 P、Q系列晶闸管参数 表4-8 R、S系列晶闸管参数 表4-9 T系列晶闸管参数 表4-10 U、W、X、Z系列晶闸管参数 表4-11 2N系列晶闸管参数 表4-12 其他系列晶闸管参数 附录A 场效应管及晶闸管外形参考图 ……2100433B

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场效应管型号命名

有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

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上篇场效应管 一、场效应管基本知识及手册使用说明 1. 场效应管基本知识 1)场效应管的分类 2)结型场效应管 3)绝缘栅场效应管 4)场效应管的主要参数 5)场效应管的伏安特性曲线 2.手册使用说明 1)"型号"栏 2)"类型"栏 3)"用途"栏 4)"主要参数"栏 5)"外形"栏 6)"备注"栏 7)其他注意事项 二、场效应管参数速查表 表2-1 A系列场效应管参数 表2-2 B系列场效应管参数 表2-3 C、D、E系列场效应管参数 表2-4 F系列场效应管参数 表2-5 G、H系列场效应管参数 表2-6 I系列场效应管参数 表2-7 J、K系列场效应管参数 表2-8 L、M系列场效应管参数 表2-9 N系列场效应管参数 表2-10 O、P系列场效应管参数 表2-11 R、S系列场效应管参数 表2-12 T系列场效应管参数 表2-13 U、V、W系列场效应管参数 表2-14 X、Y、Z系列场效应管参数 表2-15 ?PA系列场效应管参数 表2-16 2N系列场效应管参数 表2-17 2SJ系列场效应管参数 表2-18 2SK系列场效应管参数 表2-19 3系列场效应管参数 下篇晶闸管 三、晶闸管基本知识及手册使用说明 1.晶闸管基本知识 1)晶闸管的分类 2)单向晶闸管 3)双向晶闸管 4)特殊晶闸管 5)晶闸管的主要参数 6)国产晶闸管型号的命名方法 2.手册使用说明 1)"型号"栏 2)"类型"栏 3)"用途"栏 4)"主要参数"栏 5)"外形"栏 6)"备注"栏 四、晶闸管参数速查表 表4-1 A、B系列晶闸管参数 表4-2 C、D系列晶闸管参数 表4-3 E、F系列晶闸管参数 表4-4 G、H系列晶闸管参数 表4-5 I、K系列晶闸管参数 表4-6 L、M、N系列晶闸管参数 表4-7 P、Q系列晶闸管参数 表4-8 R、S系列晶闸管参数 表4-9 T系列晶闸管参数 表4-10 U、W、X、Z系列晶闸管参数 表4-11 2N系列晶闸管参数 表4-12 其他系列晶闸管参数 附录A 场效应管及晶闸管外形参考图 ……

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