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led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光.
主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成.
1.按发光亮度分:
A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.
B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等
C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等
D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR
E.红外线接收管:PT
F.光电管: PD
2.按组成元素分:
A.二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等
B.三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR﹑HR﹑UR等
C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG
LED蓝宝石指的是用于加工LED衬底片的人造蓝宝石(氧化铝单晶)。人造蓝宝石(氧化铝单晶)可以应用于装饰(如珠宝、表玻等)、工业窗口材料和半导体衬底等,专用于LED衬底的蓝宝石要求特殊的晶向、低的位错...
led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。晶片的组成.主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成. 报价为54元, 价格来源网络,...
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主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成.
(详见下表介绍)
led晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)
SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595
SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP610
DBK较亮蓝色GaunN/Gan470 HE超亮桔色AlGalnP 620
SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620
DGL较亮青绿色LnGaN/GaN505 URF最亮红色AlGalnP 630
DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635
PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655
SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660
G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660
VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660
UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697
Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850
VY较亮黄色GaAsP/GaP585 SIR红外线GaAlAs 880
UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940
UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940
1.led晶片厂商名称: A.光磊(ED) B.国联(FPD) C.鼎元(TK) D.华上(AOC)
E.汉光(HL) F.AXT G.广稼
2.led晶片在生产使用过程中需注意静电防护2100433B
常见LED晶片尺寸与型号对照表
奇力晶片尺寸与型号对照表 C-C45X XX 后段第 5,6 码代表晶片尺寸,常见的尺寸如下 BE:9*12mil EE:12*12mil BH:9*15mil AM:8*20mil BN:9*21mil CP:10*23mil CS:10*26mil CT:10*30mil QQ:24*24mil ZZ:45*45mil 晶元晶片尺寸与型号对照表 ES-CEBLX XXX 后段第 5,6,7,8码代表晶片尺寸,常见的尺寸如下 J08A: 8*15mil V10J: 10*18mil V10F: 10*23mil PN10: 10*10mil PN14: 14*14mil PN28B:28*28mil
一种LED晶片支架送料系统的开发研究
LED晶片支架送料系统是实现LED焊线机全自动化关键技术之一。本项目从自动上料、下料和检测系统等整个晶片自动化生产过程进行开发研究,设计了一种LED晶片支架焊接自动送料系统,介绍了此系统的各模块组成及工作原理,实现了LED支架自动上下料,提高了产品的焊接效率,具有一定的社会价值。
晶片镊子用非常精密的硅晶片特别设计,牢固效果非常好,具有防压、防碎裂保护效果。晶片镊子表面非常光滑,根据不同场合适用的尺寸设计出不同的产品。
晶片镊子具有使宽口镊子可以更安全、更可靠的夹持晶片,以避免镊子在夹持晶片的过程中夹伤晶片表面层的结构。晶片镊子包括镊身和连接在镊身上的宽扁的镊头,镊头包括夹持面,所述镊头的夹持面上有一层弹性的橡胶体;橡胶体接触夹持物的一面凹陷形成吸盘。在不施加人手的夹紧力度的情况下,可以加大镊头对晶片的控制力。镊头上的吸盘可以增加晶片对镊头的附着力,这样在镊子更安全可靠的夹持晶片的时候,可以更大程度上的防止晶片表面层的损伤。
特点:
⒈ 晶片镊子因为其独特的设计,夹取晶片既稳妥又方便,可以避免人手直接接触而造成产品污染。
⒉ 手柄为防磁不锈钢设计。
⒊ 对称度及平衡度都属于一流,尾部磨光,无擦伤。
⒋ 晶片镊子的表面具有特殊的镀层,手感舒适。
⒌ 使用于半导体、微电子、光纤和微型光学零件、晶片的夹取等等。
晶片机械强度是晶片抗破碎与翘曲的内在力学性能。
硅锭生长需要大块的纯净多晶硅,将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中,这称为掺杂。加入的掺杂剂使那些长大的硅锭表现出所需要的电特性。最普通的掺杂剂是硼、磷、砷和锑。因使用的掺杂剂不同,会成为一个P型或N型的硅锭(P型/硼,N型/磷、锑、砷)。
然后将这些物质加热到硅的熔点——摄氏1420度之上。一旦多晶硅和掺杂剂混合物熔解,便将单晶硅种子放在熔解物的上面,只接触表面。种子与要求的成品硅锭有相同的晶向。为了使掺杂均匀,子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转。一旦达到晶体生长的条件,子晶就从熔化物中慢慢被提起。生长过程开始于快速提拉子晶,以便使生长过程初期中子晶内的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度,使晶体的直径增大。当达到所要求的直径时,生长条件就稳定下来以保持该直径。因为种子是慢慢浮出熔化物的,种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜,然后冷却。冷却时,已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。硅锭完全长大时,它的初始直径要比最终晶圆片要求的直径大一点。
接下来硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面,以显示晶向。一旦通过检查,就将硅锭切割成晶圆片。由于硅很硬,要用金刚石锯来准确切割晶圆片,以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金刚石锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。
切割晶圆片后,开始进入研磨工艺。研磨晶圆片以减少正面和背面的锯痕和表面损伤。同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的应力。
研磨后,进入刻蚀和清洗工艺,使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆,彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。倒角后,要按照最终用户的要求,经常需要对边缘进行抛光,提高整体清洁度以进一步减少破损。抛光(化学机械抛光,Chemical Mechanical Polishing) 生产过程中最重要的工艺是抛光晶圆片,此工艺在超净间中进行。超净间从一到一万分级,这些级数对应于每立方米空间中的颗粒数。这些颗粒在没有控制的大气环境下肉眼是不可见的。例如起居室或办公室中颗粒的数目大致在每立方米五百万个。为了保持洁净水平,生产工人必须穿能盖住全身且不吸引和携带颗粒的洁净服。在进入超净间前,工人必须进入吸尘室内以吹走可能积聚的任何颗粒。硅晶片大多数生产型晶圆片都要经过两三次的抛光,抛光料是细浆或者抛光化合物。多数情况下,晶圆片仅仅是正面抛光,而300毫米的晶圆片需要双面抛光。除双面抛光以外,抛光将使晶圆片的一面象镜面一样。抛光面用来生产电路,这面必须没有任何突起、微纹、划痕和残留损伤。
抛光过程分为两个步骤,切削和最终抛光。这两步都要用到抛光垫和抛光浆。切削过程是去除硅上薄薄的一层,以生产出表面没有损伤的晶圆片。最终抛光并不去除任何物质,只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑。抛光后,晶圆片要通过一系列清洗槽的清洗,这一过程是为去除表面颗粒、金属划痕和残留物。之后,要经常进行背面擦洗以去除最小的颗粒。这些晶圆片经过清洗后,将他们按照最终用户的要求分类,并在高强度灯光或激光扫描系统下检查,以便发现不必要的颗粒或其他缺陷。一旦通过一系列的严格检测,最终的晶圆片即被包装在片盒中并用胶带密封。然后把它们放在真空封装的塑料箱子里,外部再用防护紧密的箱子封装,以确保离开超净间时没有任何颗粒和湿气进入片盒。