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铝碳化硅IGBT基板
铝碳化硅(AlSiC)是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称,它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势,具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻,以及高硬度和高抗弯强度,是新一代电子封装材料中的佼佼者,满足了封装的轻便化、高密度化等要求,适于应用航空、航天、高铁及微波等领域,是解决热学管理问题的首选材料。
AlSiC7 MIQAM/QB
类别 | 标准 | 单位 | ||
A级品 | B级品 | C级品 | ||
热导率 | >210 | >180 | >150 | W/m.K(25℃) |
密度 | >3.00 | >2.97 | >2.95 | g/cm3 |
膨胀系数 | 7 | 8 | ppm/℃(25℃) | |
气密性 | <5*10 | atm·cm3/s,He | ||
抗弯强度 | >300 | MPa | ||
电阻率 | 30 | μΩ·cm | ||
弹性模量 | >200 | GPa |
封装之王进入LED应用铝瓷
受热绝不变形
导热性胜于金属
绝无界面热阻
人类所设计的最理想封装材料
轻:比铜轻三分之二,与铝相当
硬:碰不坏,摔不碎
刚:折不弯,不变形
巧:想做什么样就做成什么样
廉:平价材料,个个用得起
美:外表处理后与金属无异
无需复杂设计仅要薄薄一片
铝瓷 MIQAM/QB
类别 | 标准 | 单位 | ||
A级品 | B级品 | C级品 | ||
热导率 | >210 | >180 | >150 | W/m.K(25℃) |
密度 | >3.00 | >2.97 | >2.95 | g/cm3 |
膨胀系数 | 7 | 8 | ppm/℃(25℃) | |
气密性 | <5*10 | atm·cm3/s,He | ||
抗弯强度 | >300 | MPa | ||
电阻率 | 30 | μΩ·cm | ||
弹性模量 | >200 | GPa |
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最好的棕刚玉硬度是不是比碳化硅硬度会高一些。好的棕刚玉氧化铝含量能达到96,所以硬度很高,由于它们的生产原材料不同,所以硬度也有差别,棕刚玉的莫氏硬度9.0.,而碳化硅则可以达到9.5,所以棕刚玉不能...
碳化硅 SiC >99% 8000元/吨 以上 SiC <98% 3800-4200元/吨价格近期来不是很稳定,买卖都需慎重
铁水沟用高铝碳化硅砖的试制
铁水沟用高铝碳化硅砖的试制
烧成铝碳化硅砖执行YBT4167-2007标准
1 烧成铝碳化硅砖 1、范围: 1.1 本标准规定了烧成铝碳化硅砖的分类、形状尺寸、技术 要求、试验方法、质量评定程序、包装、标志、运输、储存 和质量证明书。 1.2 本标准适用于高炉本体、 混铁炉、 混铁车、 铁水罐(包)、 高炉出铁钩及建材窑炉等使用的烧成铝碳化硅砖。 2、分类、形状及尺寸: 2.1 砖按理化指标分为 GLT-8、GLT-10、GLT-13、GLT-16A 和 GLT-16B 五个牌号。其中 G、L、T 分别为高、铝、碳的 汉语拼音首字母,其后的数字为碳化硅的质量分数。 2.2 砖的形状及尺寸按用户图纸要求或其他设计要求。 3、技术要求: 3.1 砖的理化性能指标应符合表 1的规定。 3.2 砖的尺寸允许偏差及外观应符合表 2的规定。 表 1:砖的理化指标。 项目 指标 复验时单值允许 偏差GLT-8 GLT-10 GLT-13 GLT-16A GLT-16B ω(
高铝碳化硅砖(high alumina silicon carbidebrick)是指以高铝钒土料和碳化硅为主要原料制成的耐火制品 。
具有较高的耐火度和较好的导热性能,还具有较高的高温强度和抗热震性。高铝碳化硅砖的理化性能(举例)如下:Al2O3 70.88%,SiCl 0.78%,显气孔率20.4%,体积密度3.3g/cm3,常温耐压强度54.3MPa,荷重软化开始温度1640℃,耐火度大于1770℃ 。
铝碳化硅(AlSiC)是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称,它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势,具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻,以及高硬度和高抗弯强度,是新一代电子封装材料中的佼佼者。
铝碳化硅封装材料满足了封装的轻便化、高密度化等要求,适用于航空、航天、高铁及微波等领域,是解决热学管理问题的首选材料,其可为各种微波和微电子以及功率器件、光电器件的封装与组装提供所需的热管理,新材料——铝碳化硅的应用也因此具有很大的市场潜力。
时代亦可以材料命名
科技发展的主要方向之一是新材料的研制和应用,新材料的研究,是人类对物质性质认识和应用向更深层次的进军。
人类社会的发展也无时不伴随着对自然界物质的改造与利用,石器时代伴随人类度过原始生活,铁器时代带来农业文明,以及后来金、银、陶瓷在人类生活中的地位都表明,人类发展史同样也是一部物质材料的发展史。
“十三五规划”就明确就提出构建产业新体系,推动生产方式向柔性、智能、精细转变,促进新一代信息通信技术、新材料、生物医药及高性能医疗器械等产业发展壮大。
新材料在国防建设上作用重大。例如,超纯硅、砷化镓研制成功,导致大规模和超大规模集成电路的诞生,使计算机运算速度从每秒几十万次提高到每秒百亿次以上;航空发动机材料的工作温度每提高100℃,推力可增大24%;隐身材料能吸收电磁波或降低武器装备的红外辐射,使敌方探测系统难以发现等等。
铝碳化硅封装材料的发展已历经三代
第一代是以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装,主要的用途是将器件封装在一起,起到包封、支撑、固定、绝缘等作用,这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。
第二代封装材料,以可伐(Kovar)合金、钨铜合金产品为代表,其对于航天、航空、军工国防及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲,有先天的劣势。
第三代封装材料即是以铝碳化硅为代表的产品。铝碳化硅(AlSiC)是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合,能满足多功能特性及设计要求,具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能,是当今芯片封装的最新型材料。目前已大量应用到航空航天、新能源汽车、电力火车,微电子封装等领域。
铝碳化硅封装材料具有较大的市场潜力
目前,国内生产铝碳化硅产品的企业有3家左右,国外企业有7家左右,美国企业4家、欧盟企业1家、日本企业2家。其中,在国内有代理商的有两家企业。
从公开资料来看,多数企业技术研发实力较强、生产装备好、产品品种多、技术先进,具有各类管壳和平板基片产品的研发和生产能力。
日本DENKA化学株氏会社和美国CPS公司是目前世界上规模最大的生产铝碳化硅基板产品的两家企业。目前,上述两家公司占据了铝碳化硅行业绝大部分的市场份额。
铝碳化硅可实现低成本的、无须进一步加工的净成形,还能与高散热材料(金刚石、高热传导石墨等)的经济性并存集成,满足大批量倒装芯片封装、微波电路模块、光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求,同时也是大功率晶体管、绝缘栅双极晶体管的优选封装材料,提供良好的热循环及可靠性。
业内预计,未来中国新材料产值增长速度将保持在每年20%以上。到2020年,中国新材料产业市场规模有望达到数万亿元。巨大的市场需求为新材料产业提供了重要的发展机遇。
来源:铝加网