可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。

尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式

βoff =IATM/IGM

βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处。

可关断晶闸管的特性曲线如图。

GTO和普通晶闸管一样，是PNPN四层半导体结构，外部也是引出阳极.阴极和门极。但和普通晶闸管不同的是，GTO是一种多元的功率集成器件。虽然外部同样引出三个极，但内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元，这些GTO单元的阴极和门极在器件内部并联，他是为了实现门极控制关断而设计的。

GTO的内部结构图和电气图形符号 GTO的工作原理

从图中可知PNP和NPN构成了二个晶闸管V1 V2分别有共基极电流增益a1和a2。

1 当a1+a2=1时，是器件临界导通的条件。

2 当a1+a2>1时，是二个晶体管过饱和导通的条件。

3 当a1+a2<1时，是不能维持饱和导通而关断的条件。

1)在设计器件时使a2较大，这样晶体管V2控制灵敏，这样GTO可以很容易关断。

2)使得a1+a2趋向于1，普通晶闸管的a1+a2>=1.15，而GTO的近似为1.05，这样GTO导通时饱和程度不深，更接近于临界饱和，为门极可关断控制提供了有力条件。不利因素，导通使管压降增大了。

3)集成结构中每个GTO单元的阴极面积小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2基区的横向电阻很小，使门极抽出较大的电流成为可能。

4)它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。