PLZT属于ABO3钙钛矿型结构，立方晶系，晶胞参数a=4.078Å，A离子（Pb2 或La3 ）处于立方体的八个角顶上；B离子（Ti4 或Zr4 ）处于体心位置；O2-离子位于六个面心位置，共同构成氧八面体。B离子处于氧八面体中心。Zr4 （或Ti4 ）-O2-八面体的8个{111}面均垂直于<111>轴。

立方α相PLZT结构示意图

PLZT系统室温相图

在PLZT中，A位由Pb2 及La3 离子填充，根据电中性条件，由B位（Ti4 或Zr4 ）形成空位来补偿电荷，每置换入4个La4 ，在B位上产生一个空位。因此，PLZT陶瓷材料的化学式为Pb1- X La X（ZrYTi1-Y）1-X/4O3。

PLZT系统在室温下的相图。PLZT在室温时保持了PbTiO3-PbZrO3陶瓷的各相。随着La加入量的增加，使反铁电相（AFE）和四方铁电相（FETet）扩大，相对而言，菱方铁电相（PERh）减小。由于组成点更接近于顺电相（FECub），可见La的增加，降低了居里温度TC。相图中交叉线所示区域为菱方铁电（PERh）、四方铁电（FETet）、正交反铁电相（AFE）、和顺电相（FECub）的共存介稳区，在该相中的组成具有电光性质。居里点下降到室温时，介电常数达到最大值，其相变为扩散型相变，即使在TC以上的一定温度内，加上电场或应力也会诱导铁电相。

锆钛酸铅镧陶瓷( PLZT) 是属PZT锆钛酸铅系压电陶瓷。Haertling G H是在1970年用球磨和热压烧结工艺制备了透明的光电陶瓷PLZT。一种铁电陶瓷光电材料。其光学特性可被电场或者通过拉伸或压缩而改变。用于各种光电存储器和显示设备中。亦称为掺镧锆[酸铅]钛酸铅。

PLZT电光陶瓷是一种典型的透明铁电陶瓷，这种材料具有较高的光透过率和电光效应，人工极化后还具有压电、光学双折射等特性。随着其制备工艺的发展，拓宽了 PLZT 材料的应用范围。PLZT 的电光效应是最具有应用意义的方面。透明PLZT陶瓷具有电光系数大、响应速度快、可得到大尺寸材料等优点，是一种很好的电光陶瓷材料。由于PLZT 组分的变化，其电光效应表现为多样性，适当地选择组分可满足实际应用的需要。因其具有优异的电光效应，使之成为光通讯领域重要的候选材料之一。利用 PLZT 透明陶瓷的电光效应可以实现对入射光的相位、强度、偏振和方向的控制，也可通过电调节使入射的白光成有色光，成为电控滤色片；通过组分的调节，还可以用作为光存储、光显示、图象处理等光电器件的关键部件。PLZT透明陶瓷在电场作用下呈现的光学行为，实质是由电畴在电场作用下的转向引起的，而这类转向可以在很小的范围内单独进行并不影响其周围区域的状态，因此PLZT的开关、衰减、滤色的作用可在很小范围内单独实现，具有高灵敏度、高分辨率的优点。其主要应用领域有光闸、光滤波、显示和空间光调制等。利用PLZT陶瓷的电控可变双折射效应能制作二维 Si/PLZT混合集成空间光调制器，它由硅集成电路做成的光探测器和放大器以及PLZT光调制器组成，具有将硅集成计算效能与光互连通讯效能相结合的能力以及提高并行速度的特点；利用 PLZT的电控变双折射特性，采用偏置应变技术，可以制成映像存储器件、偏振应变PLZT编页器等。

利用PLZT陶瓷的电控可变光散射效应，可以开发出一系列具有不同性能的光开关器件，如新型偏振无关光开关、宽谱严格无阻塞 PLZT空分矩阵光开光、全波段亚微秒级响应的单片PLZT门集成尾纤封装关开关等。另一方面，PLZT 薄膜的制备，特别是非晶薄膜的成功制备，更加吸引了人们的兴趣。因为非晶薄膜比晶体薄膜的生长要容易得多，这将大大降低成本；最重要的是这种非晶薄膜表现出铁电性或者叫类铁电性。铁电薄膜具有许多优良的物理性质和效应，如铁电开关特性、压电效应、热释电效应、电光效应、声光效应、光折变效应和非线性光学效应等。因此铁电薄膜在微电子、光电子、集成光学和微机械学等领域有着重要的应用，如热电传感器、铁电记忆元件、电光开关以及电子元器件的微集成等。这些正是人们关注的热点。

因原料类型、制法差异、所得产品品种不同，还分别具有、耐高温、耐腐蚀、耐冲刷、高强度等优异特性。

常用的光学陶瓷有氧化铝、氧化镁、三氧化二钇(Y2O3)、氟化钙、氧化铍、三氧化二钆(Gd2O3)、氧化钙、氧化钍(ThO2)和锆钛酸铅镧陶瓷(PLZT)等。

提出以压电体(PZT、PLZT或PMN)为驱动源构造一种新型高频疲劳试验机构，研究它的系统构成方法，以及在结构设计、交变加载、精度控制、频率跟踪等方面的基础理论与基本技术问题，解决系统谐振与慢变参数下系统动态稳定性问题。为高频率、小体积的压电驱动式高频疲劳试验机设计与制造提供依据，为微小与硬脆材料构件、高频受力构件疲劳性能的检测提供一种新方法。实现压电驱动下较高稳定性与准确性的高频拉压交变加载，并以数个试样的有效性试验为例，确认高频疲劳检测的可行性；试制双晶片压电振子式、压电叠堆驱动式高频疲劳试验样机构每种最少2台。计划发表论文总数不少于10篇，完成博士论文2部、硕士论文2部，申报或获得专利权两项。