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PMOS管种类

PMOS管种类

MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。

PMOS管造价信息

市场价
信息价
询价

PE管

规格型号：
PE管;型号、规格:PE16管;PE16管
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
绿态
材料税率：
13%
供应商：
深圳市宸洲环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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PE管

规格型号：
PE管;型号、规格:4/7毛管;PE4/7毛管
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
绿态
材料税率：
13%
供应商：
深圳市宸洲环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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PE管

规格型号：
PE管;型号、规格:PE20管;1.无规共聚聚丙烯(PE)给水管 DN20×2.0 PN1.252.壁厚:1.2mm
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
绿态
材料税率：
13%
供应商：
深圳市宸洲环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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通信管系列:PE实壁管

规格型号：
规格(mm)Ф25;壁厚(1.8)
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
公元牌
材料税率：
13%
供应商：
公元管道（广东）有限公司
报价时间：
2022-12-08

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通信管系列:PE实壁管

规格型号：
规格(mm)Ф25;壁厚(2)
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
公元牌
材料税率：
13%
供应商：
公元管道（广东）有限公司
报价时间：
2022-12-08

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф32
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф110
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф250
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф400
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф32
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2009年12月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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(1)种类:红继木

规格型号：
(1)种类:红继木 (2)冠丛高:自然高120,冠幅120
需求量：
6.0株
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2017-04-10

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(1)种类:多宝树

规格型号：
(1)种类:多宝树 (2)胸径或干径:≥18cm/杆 (3)株高、冠径:高800-900,冠幅550-600
需求量：
1.0株
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2017-04-10

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1.种类:幌伞枫

规格型号：
1.种类:幌伞枫 2.胸径:20-25cm 3.枝下高:300-350cm 4.树高:500-600cm 5.冠幅:300-350cm
需求量：
45株
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-08-03

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1.种类:银桦

规格型号：
1.种类:银桦 2.胸径:25-30cm 3.枝下高:250-300cm 4.树高:550-650cm 5.冠幅:650-700cm
需求量：
12株
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-08-03

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(1)种类:大腹木棉A

规格型号：
(1)种类:大腹木棉A (2)胸径或干径:40cm (3)株高、冠径:高800-900,冠幅400-500
需求量：
4.0株
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2017-04-10

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PMOS管介绍

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P 区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

PMOS管原理

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电压，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。 与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是 VGS 值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。 PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。 MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。 各种场效应管特性比较 在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。2100433B

PMOS管种类常见问题

耐磨管的种类

矿用耐磨陶瓷管由于陶瓷复合耐磨管具有耐磨、耐蚀、耐热性能,因此可广泛应用于电力、冶金、矿山、煤炭、化工等行业作为输送砂、石、煤粉、灰渣、铝液等磨削性颗粒物料和腐蚀性介质。离心浇铸陶瓷耐磨管离心浇铸复合...
清管器的种类

一般有橡胶清管球、皮碗清管器、直板清管器、刮蜡清管器、泡沫清管器、屈曲探测器等六大系列。
套管种类选择的问题？

1、如果有地下室，穿地下室楼板至首层，首层穿外墙应该选用什么套管？答；室内采用一般填料套管。外墙（含屋顶）采用刚性防水套管。2、如果没有地下室，首层穿外墙应该选用什么套管？答：钢套管。

PMOS管种类文献

pMOS金属栅极材料的研究进展

pMOS金属栅极材料的研究进展

pMOS金属栅极材料的研究进展

格式：pdf

大小：2.7MB

页数： 10页

随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.

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灯管种类

灯管种类

格式：pdf

大小：2.7MB

页数： 5页

灯管紫外线灯管紫外线灯管则简称 UV灯管，其中紫外线即 Ultraviolet ，简称 UV。按波段的不同，分别为 UV-A，UV-B，UV-C各具有不同的用途。 1、低压紫外线灯管即杀菌灯则主要用于杀菌消毒，另外 UV-B还主要用于紫外线检验，医疗治疗等。 2、强紫外线高压紫外线灯管由高品质的纯石英管材制造而成，使紫外线能高程度及大量的穿透，其弧长度 / 发光长度可由 5厘米至 300 厘米不等，常见功率为每厘米 30W至 200W，超大功率 UV灯一般在每厘米 200W或以上操作，该灯光谱有效范围在 350-450nm 之间，主波峰为 365nm，有 700 多个品种，功率由 100w-25kw。紫外线灯管的寿命一般指其能维持足够的能量进行操作的时间，在此期间其能量逐渐衰减直至低于可接受的范围为止，一般情况标准的 UV灯能放射足够的 UV能量达 800 小时

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Mos管开关电路P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

P沟MOS晶体管P沟MOS晶体管

改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。 PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图1所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。 MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

mos晶体管简介

MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC

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