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rgs

路径导航系统(RGS)主要是指以各种终端装置为驾驶员提供车辆行驶路径的诱导信息,辅助驾驶员为达到目的地而选择路径和沿既定路径行驶,必要时帮助驾驶员重新选择路径。根据路径优化及导航功能实现方法的不同,RGS有不同的分类方法。

rgs基本信息

rgs诱导方式划分

(1)路侧路径诱导系统

诱导设施为设置于路侧的各种道路标志和信息显示板,诱导的功能由驾驶员识别和理解这些标志和信息,按照交通规则或诱导信息实现。

(2)车载路径诱导系统

诱导设施为设置在车内的车载诱导装置,诱导的功能由诱导装置的定位计算和给出声音提示或者图文显示,引导驾驶员沿着优化路径行驶。

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rgs造价信息

  • 市场价
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高端办公照明——水天一色,上下透光T5灯管

  • RGS-Y007228
  • 锐达
  • 13%
  • 北京千灯照明器具有限公司
  • 2022-12-06
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高端办公照明——蝶形水天一色

  • RGS-Y009228
  • 锐达
  • 13%
  • 北京千灯照明器具有限公司
  • 2022-12-06
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高端办公照明——水天一色压铸铝灯体、上下透光亚克力灯罩、T5灯管L6

  • RGS-Y006421
  • 锐达
  • 13%
  • 北京千灯照明器具有限公司
  • 2022-12-06
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高端办公照明——水天一色压铸铝灯体、上下透光PS灯罩、T5、T8灯管L5

  • RGS-Y002435
  • 锐达
  • 13%
  • 北京千灯照明器具有限公司
  • 2022-12-06
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高端办公照明——水天一色压铸铝灯体、上下透光PMMA灯罩、T5、T8灯管

  • RGS-Y001258
  • 锐达
  • 13%
  • 北京千灯照明器具有限公司
  • 2022-12-06
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接地条

  • 产品RGS134B-1
  • 4171个
  • 1
  • 清华同方
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-10-20
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有填料快速熔断器

  • (500V﹑250V) RSO-100RGS31
  • 2390个
  • 1
  • 常安
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-06-30
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有填料快速熔断器

  • (500V﹑250V) RSO-400RGS33
  • 9287个
  • 1
  • 常安
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-06-01
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VGA矩阵切换器4×4

  • 4路输入 4路输出兼容输入信号:RGBHV、RGBS、RGs
  • 1台
  • 1
  • FLTCH
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-11-29
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有填料快速熔断器

  • (500V﹑250V) RSO-50RGS31
  • 5545个
  • 1
  • 常安
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-08-14
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rgs信息性质划分

(1)静态路径诱导系统

基于车辆行驶位置和路网地理分布的路线导航,即仅以路网结构中的距离最短路径实施诱导,我们可称之为静态路径诱导。

(2)动态路径诱导系统

结合实时的路段交通信息和环境信息,根据动态交通分配理论预测短期的路段旅行时间,从而以路段旅行时间最短路径来进行诱导,可以称之为动态路径诱导。静态路径诱导一般采用车载的全球卫星定位系统GPS装置来获取车辆的行驶位置,然后通过与预先描绘好的电子地图数据库实行地图匹配,得出车辆在路网中的位置,从而给出车辆达到目的地的行驶路径以及到达相应路段后的路径选择,并且可以存储和回放车辆的行驶轨迹。但由于考虑到当车辆行驶在地下隧道、高架桥下以及密集的高层楼群中时易与GPS失去联系,导致无法继续导航,所以一般在这类导航中还加入以车速传感器和陀螺传感器为主的航位推算,形成所谓的组合导航系统。

动态路径诱导系统在静态路径诱导的基础上加入道路网的实时交通信息并根据预测的路段行程时间在出行者达到目的地的可能的地理路径中选择旅行时间的最短路,将其作为推荐路径对驾驶员进行诱导,同时系统根据需要还可以向驾驶员提供路段的交通拥挤情况、行程时间、交通管制信息以及公交和停车方面的信息,从而有利于出行者选择最佳路径,并缩短旅行时间。

静态路径诱导系统是由车载装置本身完成路径寻找和诱导指示,我们称之为自主式诱导,而动态路径诱导一般采取的是中心诱导型系统,即由交通控制中心向车辆发出信息来进行路径行驶的诱导。因为只有交通控制中心在收集到整个路网的实时交通信息并在路网上优化分配以后,才能为每一特定车辆选择最优的路径,然后通过路侧通信装置将路径信息发送给车辆完成诱导。

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rgs地点划分

(1)自主型路径诱导系统

又称为局部决定的路径诱导系统,出行路径由车载计算机系统根据车内连装载数据的数据库和车载软件计算产生,车载数据库的路径行驶时间等信息可以通过与道路系统的双向通信得到更新。

(2)中心型路径诱导系统

又称为中心决定的路径诱导系统,出行路径由交通控制中心的计算机系统集中计算产生。中心计算机系统根据实际路况和交通条件为每一特定的车辆选择最优路径,并将选择结果通过通信装置传送给车载装置。

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rgs常见问题

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MOS管主要参数

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;

·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;

·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1~3pF

·CDS约在0.1~1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)

·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小

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CMOS逻辑电路MOS参数

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 。

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内 。

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大 ,一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内 。

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1~3pF

·CDS约在0.1~1pF之间。

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)

·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小 。2100433B

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绝缘栅场效应晶体管场效应晶体管的主要参数

(1)开启电压UT:在uDS为某一固定值的条件下能产生iD所需要的最小|UGS|值。

(2)夹断电压UP:在uDS为某一固定值的条件下,使iD等于某一微小电流(便于测量)时所对应的uGS。

(3)饱和漏极电流IDSS:在uGS=0的条件下,当uDS>Up时的漏极电流。

(4)直流输入电阻RGS(DC):栅源电压和栅极电流的比值。

(5)低频跨导gm:在uDS为某一固定值的条件下,iD的微小变化量和引起它变化的uGS的微小变化量之间的比值,即gm的单位为S(西)或mS。

(6)极间电容:场效应管的三个电极之间存在极间电容,即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。CGS、CGD的数值一般为1~3pF,CDS约为0.1~1pF。管子用于高频电路时,要考虑这些电容的影响。

(7)最大漏极电流IDM:管子在工作时允许的最大漏极电流。最大耗散功率PDM,是决定管子温升的主要参数。

(8)漏源击穿电压U(BR)DS和栅源击穿电压U(BR)GS:在增加漏源电压uDS时,使iD开始剧增时的uDS称为U(BR)DS;使栅源间PN结反向饱和电流(即栅极电流)急剧增加时的反向电压uGS称为U(BR)GS。

MOS场效应管的输入电阻极高,因此,由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏,而栅极上的SiO2绝缘层又很薄,将在栅极上产生很高的电场强度,以致引起绝缘层击穿而损坏管子。为此,管子在存放时,应将各极引线短接。焊接时,要将电烙铁外壳接上可靠地线,或者在焊接时,将电烙铁与电源暂时脱离。常在MOS管输入端加置保护措施。保护方法很多,但原理都一样,就是在输入端与栅极之间设置一个串联限流电阻和一个并联的钳位保护电路。图5所示是常用的一种保护电路。当发生过电压时(无论是正向还是反向),V1或V2中总有一只管子呈稳压状态,电流通过R产生电压降,从而限制了加在g、s间的正、负方向的电压,起到保护管子的作用。

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