(1)开启电压UT：在uDS为某一固定值的条件下能产生iD所需要的最小|UGS|值。
(2)夹断电压UP：在uDS为某一固定值的条件下，使iD等于某一微小电流(便于测量)时所对应的uGS。
(3)饱和漏极电流IDSS：在uGS=0的条件下，当uDS>Up时的漏极电流。
(4)直流输入电阻RGS(DC)：栅源电压和栅极电流的比值。
(5)低频跨导gm：在uDS为某一固定值的条件下，iD的微小变化量和引起它变化的uGS的微小变化量之间的比值，即gm的单位为S(西)或mS。
(6)极间电容：场效应管的三个电极之间存在极间电容，即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。CGS、CGD的数值一般为1～3pF，CDS约为0.1～1pF。管子用于高频电路时，要考虑这些电容的影响。
(7)最大漏极电流IDM：管子在工作时允许的最大漏极电流。最大耗散功率PDM，是决定管子温升的主要参数。
(8)漏源击穿电压U(BR)DS和栅源击穿电压U(BR)GS：在增加漏源电压uDS时，使iD开始剧增时的uDS称为U(BR)DS;使栅源间PN结反向饱和电流(即栅极电流)急剧增加时的反向电压uGS称为U(BR)GS。
MOS场效应管的输入电阻极高，因此，由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏，而栅极上的SiO2绝缘层又很薄，将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层击穿而损坏管子。为此，管子在存放时，应将各极引线短接。焊接时，要将电烙铁外壳接上可靠地线，或者在焊接时，将电烙铁与电源暂时脱离。常在MOS管输入端加置保护措施。保护方法很多，但原理都一样，就是在输入端与栅极之间设置一个串联限流电阻和一个并联的钳位保护电路。图5所示是常用的一种保护电路。当发生过电压时(无论是正向还是反向)，V1或V2中总有一只管子呈稳压状态，电流通过R产生电压降，从而限制了加在g、s间的正、负方向的电压，起到保护管子的作用。
