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砷化铟

砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。

砷化铟基本信息

中文名砷化铟
外文名indium arsenide
化学式InAs
分子量189.7396
密度5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)

砷化铟功能用途

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

砷化铟造价信息

市场价
信息价
询价

乳化沥青

规格型号：
乳化沥青;规格型号:PC-3 阳离子(+),破乳速度:中裂;蒸发残留物沥青含量≥50%;延度(25℃)≥40cm;溶解度≥97.5%;品牌:路洁
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
路洁
材料税率：
13%
供应商：
广州路洁经贸发展有限公司
报价时间：
2022-12-08

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矮化朱槿

规格型号：
高度25-35cm,冠幅25-35cm
价格行情：
材料单位：
株
材料品牌：
瀚艺
材料税率：
13%
供应商：
南宁瀚艺生态苗圃种植基地
报价时间：
2022-12-08

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矮化朱槿

规格型号：
高度35-45cm,冠幅25-35cm
价格行情：
材料单位：
株
材料品牌：
瀚艺
材料税率：
13%
供应商：
南宁瀚艺生态苗圃种植基地
报价时间：
2022-12-08

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三氧化二锑98

规格型号：
三氧化二锑98%
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
缘江牌
材料税率：
13%
供应商：
上海缘江化工有限公司
报价时间：
2022-12-08

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改性树脂专用固化剂

规格型号：
PCG310改性树脂专用固化剂
价格行情：
材料单位：
kg
材料品牌：
东方雨虹
材料税率：
13%
供应商：
深圳东方雨虹防水工程有限公司
报价时间：
2022-12-08

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钢化玻璃

规格型号：
6mmF绿钢化
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2009年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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钢化玻璃

规格型号：
12mmF绿钢化
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2009年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

钢化玻璃

规格型号：
6mmF绿钢化
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2008年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

钢化玻璃

规格型号：
10mmF绿钢化
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2008年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

钢化玻璃

规格型号：
12mmF绿钢化
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2008年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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砷标液

规格型号：
浓度1000mg/L50ml/瓶
需求量：
4瓶
报价数：
3
材料品牌：
国家有色金属及电子材料中心、北京环标科创、坛墨质检等
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2021-09-27

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砷标样

规格型号：
20mL安瓿瓶
需求量：
10瓶
报价数：
3
材料品牌：
国家有色金属及电子材料中心、北京环标科创、坛墨质检等
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2021-09-27

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砷检测套件

规格型号：
4053
需求量：
2台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2013-12-20

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砷、汞重金属在线分析仪

规格型号：
1.名称:砷、汞重金属在线分析仪 2.型号:满足设计要求 3.规格:0.005-10mg/lAs,0-2μg/lHg,智能更换, 220VAC供电,modbus输出,带继电器故障输出,IP655
需求量：
1套
报价数：
2
材料品牌：
杭州绿洁
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2017-06-21

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汞、砷工作电极

规格型号：
Istran E-T Au
需求量：
2.0个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2014-04-10

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砷化铟物理结构

常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。 InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。 InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

砷化铟常见问题

请问衬底对砷化镓电池的影响是什么？

太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有...
砷化镓光电池价格是多少?

1.剑沙数码专营店松下CR2032砷化镓光电池价格12.5元 2.盈洲数码专营店砷化镓光电池 &nb...
铟价还会涨吗

会的但是有长时间在会涨。

砷化铟文献

钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)

钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)

钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)

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钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)

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沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器

沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器

沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器

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页数：未知

半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.因此,努力改进其性能,特别是控制其横模得到了广泛的重视.本文所报导的沟槽衬底条形激光器工艺简单,而且在沿结平面方向因第一外延层n-Al_(0.3)Ga_(0.7) As厚度变化引起了有效折射率的变化,产生了一定的波导作用,从而稳定了横模.同时这种激光器的作用区是圆弧形的,有利于跟光纤的耦合.沟槽衬底条形激光器的横向电流限制是用沟槽区外的p-n-p-n结构实现的.它的制造工艺主要是采用普通的化学腐蚀和液相外延.首先在(100)取向的n-GaAs衬底上扩散Zn形成一层厚约 2微米的P-GaAs,

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氧化铟基本信息

中文名称：氧化铟 中文别名：氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟; 英文名称：Indium Oxide 英文别名：Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide; Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide; CAS号：1312-43-2 分子式：In₂O₃ 分子量：277.63400 精确质量：277.79200 PSA：43.37000

INP磷化铟（InP）

磷化铟 indium phosphide InP 分子式： InP 沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构，常温下带宽（Eg=1.35 eV） 熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。相对介电常数12.5。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。2100433B

铟锌氧化物简介

薄膜晶体管（TFT）在平板显示领域有着广泛的应用。铟锌氧化物薄膜晶体管具有电子迁移率高、开关比大、均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点，在平板显示及柔性集成电路等方面取得广泛应用。铟锌氧化物薄膜具有高迁移率和电阻率可控的特点，是一种有前景的氧化物半导体材料，已被用于制备氧化物薄膜晶体管。

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