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常温呈银灰色固体,具有闪锌矿型的晶体结构,晶格常数为0.6058nm,密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁,禁带宽度(300K)0.45eV。
InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa,可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法,单晶直径达φ50mm。
InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In.As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm,室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s),空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In.As中的有效分凝系数接近1,故用作n型掺杂剂,以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
物理结构,就是在计算机内存中的存储关系。比如数组,在计算机上的存储是一段连续的内存块。链式存储,是在计算机中不连续的内存使用间接寻找方式连接的,是物理内存的表现。 逻辑结构是指数据的逻辑关系,比如二叉...
太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池,然而由于原材料多晶硅的供应能力有限,加上国际炒家的炒作,导致国际市场上多晶硅价格一路攀升,最近一年来,由于受经济危机影响,价格有...
1.剑沙数码专营店 松下CR2032砷化镓光电池 价格12.5元 2.盈洲数码专营店 砷化镓光电池 &nb...
钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)
钢铁中痕量砷的测定(苯—碘化砷萃取—砷钼兰光度法)
沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器
半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.因此,努力改进其性能,特别是控制其横模得到了广泛的重视.本文所报导的沟槽衬底条形激光器工艺简单,而且在沿结平面方向因第一外延层n-Al_(0.3)Ga_(0.7) As厚度变化引起了有效折射率的变化,产生了一定的波导作用,从而稳定了横模.同时这种激光器的作用区是圆弧形的,有利于跟光纤的耦合.沟槽衬底条形激光器的横向电流限制是用沟槽区外的p-n-p-n结构实现的.它的制造工艺主要是采用普通的化学腐蚀和液相外延.首先在(100)取向的n-GaAs衬底上扩散Zn形成一层厚约 2微米的P-GaAs,
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精确质量:277.79200
PSA:43.37000
磷化铟
indium phosphide InP
分子式: InP
沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构,常温下带宽(Eg=1.35 eV)
熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。相对介电常数12.5。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料,用于光纤通信技术。2100433B
薄膜晶体管(TFT)在平板显示领域有着广泛的应用。铟锌氧化物薄膜晶体管具有电子迁移率高、开关比大、均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点,在平板显示及柔性集成电路等方面取得广泛应用。铟锌氧化物薄膜具有高迁移率和电阻率可控的特点,是一种有前景的氧化物半导体材料,已被用于制备氧化物薄膜晶体管。