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InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
常温呈银灰色固体,具有闪锌矿型的晶体结构,晶格常数为0.6058nm,密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁,禁带宽度(300K)0.45eV。
InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa,可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法,单晶直径达φ50mm。
InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In.As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm,室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s),空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In.As中的有效分凝系数接近1,故用作n型掺杂剂,以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。
用 途:采用纯氢气、氨分解或氨燃烧气体作保护气, ZYGW系列连续式高温热处理网带炉适用于粉末冶金零件烧结、钎焊以及一些不锈钢件 的淬火和固溶处理。适用范围:A、粉末冶金零件的烧结;B、硬质合金工具及...
数字调谐器广泛应用于调频广播信号解调、调频广播信号监测监播、调频广播信号解调、调频广播信号转播、广告广播信号检测等场合。
一、互感器作用电力系统用互感器是将电网高电压、大电流的信息传递到低电压、小电流二次侧的计量、测量仪表及继电保护、自动装置的一种特殊变压器,是一次系统和二次系统的联络元件,其一次绕组接入电网,二次绕组分...
制造建筑钢化玻璃的多功能用途
制造建筑钢化玻璃的多功能用途 现代建筑为了制造舒适的生活环境和便利的工作条 件,对建筑材料也提出了越来越高的要求,玻璃已从传 统的采光到现在的多功能用途开始转变, 要求玻璃安全、 环保、结实等,在建筑领域,玻璃加热到钢化温度后, 用相同的冷却强度对整片玻璃进行均匀的冷却。由此制 得的钢化玻璃,其表面应力分布均匀。当其破碎时,整 片玻璃碎成不规则的网状小块。 Architecture moderne afin de cr é er un environnement de vie confortable et de conditions de travail pratique, sur des mat é riaux de construction a également présent é la demande de plus en plus, de verre dé j à t
防水预断隔离墙多功能用途的创新应用(1)
防水预断隔离墙多功能用途的创新应用(1)
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精确质量:277.79200
PSA:43.37000
磷化铟
indium phosphide InP
分子式: InP
沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构,常温下带宽(Eg=1.35 eV)
熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。相对介电常数12.5。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料,用于光纤通信技术。2100433B
薄膜晶体管(TFT)在平板显示领域有着广泛的应用。铟锌氧化物薄膜晶体管具有电子迁移率高、开关比大、均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点,在平板显示及柔性集成电路等方面取得广泛应用。铟锌氧化物薄膜具有高迁移率和电阻率可控的特点,是一种有前景的氧化物半导体材料,已被用于制备氧化物薄膜晶体管。