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砷化铟功能用途

砷化铟功能用途

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

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砷化铟造价信息

  • 市场价
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  • 询价

稀土光电功能用途道钉

  • SPR1-35-105规格:透明PC基座,尺寸:105×103×21.5mm,49玻璃 微珠 反光片,自发光
  • 欣红
  • 13%
  • 广东欣红实业股份有限公司
  • 2022-12-08
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稀土光电功能用途道钉

  • SLR2-36-122规格:铝合金 基座尺寸:122×117×25mm,晶格 片反光,LED白光,锂 电池1800次反复充放电
  • 欣红
  • 13%
  • 广东欣红实业股份有限公司
  • 2022-12-08
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19mm多用途草皮

  • 175针M 2
  • m2
  • 13%
  • 广州市康建休闲设备有限公司
  • 2022-12-08
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一般用途单芯硬导体无护套电缆

  • 60227IEC01(BV)执行标准:GB/T5023-2008;结构:1/2.25;规格:4mm2;
  • m
  • 安通威尔
  • 13%
  • 沈阳安通线缆有限公司
  • 2022-12-08
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一般用途单芯硬导体无护套电缆

  • 60227/IEC/01(BV)品种:塑料绝缘电线;执行标准:GB/T5023-2008;标称截面(mm2):2.5;线芯材质:铜芯;结构:1/1.78;绝缘材料:聚氯乙烯;芯数(芯):1;
  • m
  • 安通
  • 13%
  • 沈阳安通线缆有限公司
  • 2022-12-08
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功能

  • 云浮市罗定市2010年4季度信息价
  • 建筑工程
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功能

  • EP5B1311
  • 云浮市罗定市2010年4季度信息价
  • 建筑工程
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功能

  • EP5B1311
  • 云浮市罗定市2009年3季度信息价
  • 建筑工程
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功能

  • 云浮市罗定市2009年1季度信息价
  • 建筑工程
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功能

  • EP5B1311
  • 云浮市罗定市2009年1季度信息价
  • 建筑工程
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功能用房标识(行政)

  • 150mm(高)300mm(宽)5mm(厚)
  • 42块
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-11-18
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设备间标识、功能用房标识

  • 450×300×40
  • 199套
  • 3
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2021-12-29
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功能用房标识牌

  • 120×250mm材质:5mm亚克力板+烤漆文字玻璃胶粘贴
  • 1个
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-10-18
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功能用房标识牌

  • 250×120mm,5厚亚克力板
  • 1个
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-06-17
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标液

  • 浓度1000mg/L50ml/瓶
  • 4瓶
  • 3
  • 国家有色金属及电子材料中心、北京环标科创、坛墨质检等
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2021-09-27
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砷化铟物理结构

常温呈银灰色固体,具有闪锌矿型的晶体结构,晶格常数为0.6058nm,密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁,禁带宽度(300K)0.45eV。

InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa,可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法,单晶直径达φ50mm。

InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In.As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm,室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s),空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In.As中的有效分凝系数接近1,故用作n型掺杂剂,以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。

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砷化铟功能用途常见问题

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砷化铟功能用途文献

制造建筑钢化玻璃的多功能用途 制造建筑钢化玻璃的多功能用途

制造建筑钢化玻璃的多功能用途

格式:pdf

大小:25KB

页数: 7页

制造建筑钢化玻璃的多功能用途 现代建筑为了制造舒适的生活环境和便利的工作条 件,对建筑材料也提出了越来越高的要求,玻璃已从传 统的采光到现在的多功能用途开始转变, 要求玻璃安全、 环保、结实等,在建筑领域,玻璃加热到钢化温度后, 用相同的冷却强度对整片玻璃进行均匀的冷却。由此制 得的钢化玻璃,其表面应力分布均匀。当其破碎时,整 片玻璃碎成不规则的网状小块。 Architecture moderne afin de cr é er un environnement de vie confortable et de conditions de travail pratique, sur des mat é riaux de construction a également présent é la demande de plus en plus, de verre dé j à t

防水预断隔离墙多功能用途的创新应用(1) 防水预断隔离墙多功能用途的创新应用(1)

防水预断隔离墙多功能用途的创新应用(1)

格式:pdf

大小:25KB

页数: 12页

防水预断隔离墙多功能用途的创新应用(1)

氧化铟基本信息

中文名称:氧化铟

中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;

英文名称:Indium Oxide

英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;

Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;

CAS号:1312-43-2

分子式:In2O3

分子量:277.63400

精确质量:277.79200

PSA:43.37000

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INP磷化铟 (InP)

磷化铟

indium phosphide InP

分子式: InP

沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构,常温下带宽(Eg=1.35 eV)

熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。相对介电常数12.5。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料,用于光纤通信技术。2100433B

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铟锌氧化物简介

薄膜晶体管(TFT)在平板显示领域有着广泛的应用。铟锌氧化物薄膜晶体管具有电子迁移率高、开关比大、均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点,在平板显示及柔性集成电路等方面取得广泛应用。铟锌氧化物薄膜具有高迁移率和电阻率可控的特点,是一种有前景的氧化物半导体材料,已被用于制备氧化物薄膜晶体管。

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