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湿法刻蚀是一种刻蚀方法,是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
主要在较为平整的膜面上刻出绒面,从而增加光程,减少光的反射,刻蚀可用稀释的盐酸等。
简单来说,就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念,它是一种纯化学刻蚀,具有优良的选择性,刻蚀完当前薄膜就会停止,而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性,所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀,横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来,上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差,也就无法高质量地完成图形转移和复制的工作,因此随着特征尺寸的减小,在图形转移过程中基本不再使用。
目前,湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节,而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。2100433B
一般按张来算,一张多少钱加工费。
应该是用的吧,能和玻璃的主要成分二氧化硅反应。要能腐蚀玻璃的才行,B能与玻璃中的SiO2反应。烧碱碱反应很慢,而且光滑的表面还不能腐蚀。其他的不能反应。希望我的回答对你有帮助
含硫量是600mg吧,气量不大。好脱。塔径由处理气量和空塔气速决定,泵由循环量决定。楼上的没有做过脱硫吧。 你这个气量我算了算(粗略,吸收压力我不知道,按照常压计算的):塔径2m绰绰有余;塔高16m;...
干法刻蚀工艺总结
干法刻蚀工艺总结 离子束刻蚀机( IBE-150A) 背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子, 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面 进行物理轰击, 以达到刻蚀的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放 电室并使其电离形成等离子体, 然后由栅极将离子呈束状引出并加速, 具有一定 能量的离子束进入工作室, 射向固体表面撞击固体表面原子, 使材料原子发生溅 射,达到刻蚀目的,属纯物理过程。 技术指标: 装片:一片六英寸衬底、或 1片四英寸,向下兼容。 抽气速度: 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度: 2×10-4Pa 离子能量: 300eV-400eV ICP 刻蚀机( OXFORD ICP 180) 背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解, 产生的具有强化学活性 的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面, 对样品表面既进行化学
不锈钢的刻蚀
1 不锈钢刻蚀 【摘要】 本文依据工业生产原理 ,设计了新的能处理较大面积工件的化学刻蚀装置,研究 了实验室条件下对不锈钢进行图纹装饰的方法和工艺。 通过上感光材料、感光、刻蚀、 上色等工艺实现了不锈钢的图案刻蚀,成功地制作出一批作品。 【关键词】 图纹装饰,不锈钢板,感光材料,刻蚀。 Etching on Stainless Steel Sheet Zhao Libing Chen Peixian Li Jiahang Long Jieming Wang Junxia Liu Chang Zhang Zhijun Liu Xiaofang Lu Yujing Xie Guangbin L ü Xueyi (Class 99, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzh
1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
刻蚀方法
刻蚀最简单最常用分类是:干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见,它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。
湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是:
湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀
优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低
缺点是:钻刻严重、对图形的控制性较差,不能用于小的特征尺寸;会产生大量的化学废液
干法刻蚀种类很多,包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是:各向异性好,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,细线条操作安全,易实现自动化,无化学废液,处理过程未引入污染,洁净度高。缺点是:成本高,设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式,下游式,桶式),纯物理过程(如离子铣),物理化学过程,常用的有反应离子刻蚀RIE,离子束辅助自由基刻蚀ICP等。
干法刻蚀方式很多,一般有:溅射与离子束铣蚀, 等离子刻蚀(Plasma Etching),高压等离子刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反应离子刻蚀(RIE)。另外,化学机械抛光CMP,剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
本设备能精确控制刻蚀速率、适用于对均匀性要求高的刻蚀和不易湿法刻蚀的薄膜: 1. 选择比(刻蚀速率比): SiOx/Mo5,SiOx/Al20,SiOx/ITO>20,SiOx/SiNx>1,SiNx/SiOx>5,a-Si/光刻胶1, SiOx/光刻胶1, SiNx/光刻胶1; 2. ★ 刻蚀速率:SiO2 >80 nm/min,SiNx>150 nm/min,a-Si>150 nm/min,p-Si>100 nm/min,ITO>30 nm/min,光刻胶灰化速率>300 nm/min; 3。