本设备能精确控制刻蚀速率、适用于对均匀性要求高的刻蚀和不易湿法刻蚀的薄膜： 1. 选择比（刻蚀速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，SiOx/SiNx＞1，SiNx/SiOx＞5，a-Si/光刻胶1， SiOx/光刻胶1， SiNx/光刻胶1； 2. ★ 刻蚀速率：SiO2 ＞80 nm/min，SiNx＞150 nm/min，a-Si＞150 nm/min，p-Si＞100 nm/min，ITO＞30 nm/min，光刻胶灰化速率＞300 nm/min； 3。
