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大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,主要作空间电源用。以硅片作衬底,用MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。
GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,目前主要作空间电源用。以硅片作衬底,用MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。
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光电池是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。它是是能在光的照射下产生电动势的元件。用于光电转换、光电探测及光能利用等方面。
太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池,然而由于原材料多晶硅的供应能力有限,加上国际炒家的炒作,导致国际市场上多晶硅价格一路攀升,最近一年来,由于受经济危机影响,价格有...
德国阳光电池放电参数表 (2)
65AH 恒电流放电参数表( 20℃ 安培) 编号 型号 电 压 5min 10mi n 15mi n 20mi n 30mi n 45mi n 1h 2h 3h 4h 5h 8h 10 h NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.85 102.0 77.0 63.0 56.0 48.0 42.0 36.0 22.0 15.9 12.9 10.9 7.3 6.2 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.80 120.0 95.0 76.0 64.0 52.0 45.0 39.0 23.0 16.7 13.4 11.3 7.6 6.5 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.75 134.0 107.0 84.0 70.0 56.0 48.0 41.0 24.0 17.1 13.6 11
德国阳光电池放电参数表
65AH 恒电流放电参数表( 20℃ 安培) 编号 型号 电 压 5min 10mi n 15mi n 20mi n 30mi n 45mi n 1h 2h 3h 4h 5h 8h 10 h NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.85 102.0 77.0 63.0 56.0 48.0 42.0 36.0 22.0 15.9 12.9 10.9 7.3 6.2 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.80 120.0 95.0 76.0 64.0 52.0 45.0 39.0 23.0 16.7 13.4 11.3 7.6 6.5 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.75 134.0 107.0 84.0 70.0 56.0 48.0 41.0 24.0 17.1 13.6 11
1、光电转化率:
砷化镓的禁带较硅为宽,使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。单结的砷化镓电池理论效率达到30%,而多结的砷化镓电池理论效率更超过50%。
2、耐温性
常规上,砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池,有实验数据表明,砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作,但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
3、机械强度和比重
砷化镓较硅质在物理性质上要更脆,这一点使得其加工时比容易碎裂,所以,常把其制成薄膜,并使用衬底(常为Ge[锗]),来对抗其在这一方面的不利,但是也增加了技术的复杂度。
本报讯 连日来,落户涵江区的福联集成电路有限公司砷化镓项目建设现场,工人们正抢抓晴好天气对一期1万平方米的厂房进行加固改造,同时该项目相关设施配套生产双回路供电和倒班房建设也在叠加推进,力争年底前试产投片。
砷化镓芯片项目是省2016年重点建设项目,由台联电组织台湾联颖科技提供建设、运营和技术支撑,一期总投资10亿元人民币,计划建设一条月产能3000片的6英寸砷化镓集成电路芯片生产线。
据了解,砷化镓产品当前被广泛应用于卫星通讯、照明等诸多光电子领域,及雷达、激光制导导弹等军事领域,该项目建成后不仅将在产业模式上填补有关空白,也将在加工技术及产能方面实现4英寸到6英寸的突破。
(方薇 林亦霞)
砷化镓吸收式光纤温度传感技术特点:
1)传感材料为微型砷化镓芯片,芯片性能稳定、可靠性高,因此传感器可以长时间工作;
2)传感器体积小,亚毫米;
3)芯片材料一致性好,互换性好;
4)采用光谱分析方法,光源、传输效率、耦合程度、光纤弯折等强度相关参量的变化,不影响测量结果;
传感物质为绝缘性材料,性能稳定,可靠性高。基于光谱分析,不受光源劣化、光纤弯折等强度相关参量变化的影响。全介质,不受EMI干扰,普遍应用于强电场、强磁场坏境中。耐高电压,耐化学腐蚀,低损耗。传感器体积小,感温部分仅有 0.3mm,导体使用 62.5um 光纤,柔软,可靠,安装过程中不易受损。 砷化镓芯片基于微纳加工工艺,一致性高,同编号的传感器之间可互换,无需校准,无漂移,不受技术制约。传感器长度可达到500m以上。 光源寿命>30年,在线监测,稳定性超过30年。