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闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up),是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的"闩锁效应"。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
MOS工艺含有许多内在的双极型晶体管。在CMOS工艺下,阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。这些结构会导致VDD和VSS线的短路,从而通常会破坏芯片,或者引起系统错误。
例如,在n阱结构中,n-p-n-p结构是由NMOS的源,p衬底,n阱和PMOS的源构成的。当两个双极型晶体管之一前向偏置时(例如由于流经阱或衬底的电流引起),会引起另一个晶体管的基极电流增加。这个正反馈将不断地引起电流增加,直到电路出故障,或者烧掉。
可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。不过,现在已经不再是个问题了。在近些年,工艺的改进和设计的优化已经消除了闩锁的危险。
Latch up 的定义
Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流
随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大
Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一
李为被关进了天牢,被判处斩刑,即日处斩,大师来到天牢看望李为,李为坦然接受处决。云嫔到天牢里为李为送了最后一顿饭,云嫔为李为送行,两人对一生的感情纠葛做了了结。云嫔出来后收拾行李准备离开,大师却在路上...
声波在空气中传播时会产生压力及位移的波动。其实,声波的传播也会引起温度的波动。当声波所引起的压力、位移及温度的波动与一固体边界相作用时,就会发生明显的声波能量与热能的转换,这就是热声效应。 热声效应,...
对于这个词的解释听说是有一个故事的,有个故事,一个随意吐痰的人,偶尔到一装修靓丽,铺有地毯的朋友家做客,忽然有痰,但没有痰盂,活生生把痰咽了。这就是所谓地毯效应。环境可以强硬改变习惯。呵呵~
电插锁简介1
ED-211电插锁使用说明书 一、功能说明书: 电锁的工作电压为 DC12V 或 DC24V,电锁锁舌带有自锁功能,另外在电锁中还设计有门侦 测电路和锁芯侦测电路,通过引线连出锁体外,供用户侦测监视电锁及门的工作状态使用 ,另 外电锁内部还设有三档可选上锁延时供用户使用。 (图一 ) 二、使用及安装说明 1、用户在使用之前详细阅读此说明书,查看主要配件是否齐全。在安装前先模拟电锁工作方式 按电路接线图试接一次,电锁工作正常再进行实际安装。 2、电锁主要由两大部分组成( 1)铝合金磁铁座( 2)电锁。在安装时磁铁座与电锁正面的间隙 距离不得超过 3MM,磁铁座的锁舌孔要对准电锁锁舌,铝合金磁铁座与电锁要对齐。 (图五) 3、在电锁的尾部伸出有红、黑、蓝、白、黄、绿、灰、橙、紫九种引线(图一) 。当使用 12V 电源时,红线接电源正极( +),黑线接电源负极( -)(图二 B)。当使用 24
2MHz 单位增益带宽保证
SE4558 的电源电压为 ±22V,NE4558 的电源电压为 ±18V
具备短路保护功能
无需频率补偿
无闩锁效应
宽广的共模和差动电压范围
低功耗
绝对最大额定值
2MHz 单位增益带宽保证
SE4558 的电源电压为 ±22V,NE4558 的电源电压为 ±18V
具备短路保护功能
无需频率补偿
无闩锁效应
宽广的共模和差动电压范围
低功耗
绝对最大额定值
注释:
1. 在超过 25°C 时,按下面的比率递减:
N 型封装为 9.3mW/°C
D 型封装为 6.2mW/°C
2. 当电源电压小于 ±15V 时,绝对最大输入电压等于电源电压。
3. 此处仅指一个运放对地短路。对于 NE4558,额定值适用于 125°C 外壳温度或 75°C 环境温度,对于 SA4558,额定值适用于 85°C 环境温度。