仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

测量范围 电阻率:10-4~105 Ω.cm(可扩展);

方块电阻:四探针测试仪

电导率:10-5~104 s/cm;

电阻:10-4~105 Ω;

可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台);

200mmX200mm(配S-2B型测试台);

400mmX500mm(配S-2C型测试台);

恒流源 电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调

数字电压表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;

分辨力:10μV;

输入阻抗:>1000MΩ;

精度:±0.1% ;

显示:四位半红色发光管数字显示;极性、超量程自动显示;

四探针探头基本指标 间距:1±0.01mm;

针间绝缘电阻:≥1000MΩ;

机械游移率:≤0.3%;

探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;

探针压力:5~16 牛顿(总力);

四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)

模拟电阻测量相对误差

( 按JJG508-87进行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整机测量最大相对误差 (用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试)≤±5%

整机测量标准不确定度 ≤5%

计算机通讯接口 并口

标准使用环境 温度:23±2℃;

相对湿度:≤65%;

无高频干扰;

无强光直射;

数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准

而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专

用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测

量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到

计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。

四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。

测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析

尺寸:

A、测试方法:用直尺和游标卡尺测量待测玻璃原片的长度、宽度、厚度。

B、判定标准:测量结果在供货商所提供的参数范围之内为合格。

面电阻:

A、测试方法:把待测试玻璃整个区域做为测试区域，然后测试区域分成九等份后再用四探针测试仪分别测试各区域的面电阻。

B、判定标准:根据测试结果计算出电阻平均值及电阻资料分散值，结果在要求范围内既是合格。

ITO层温度性能

A、测试方法:把待测玻璃原片在3000C的空气中，加热30分钟，测试其加温前后的同一点面电阻阻值。B、判定标准:ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%为合格。

蚀刻性能:

A、测试方法:把待测玻璃原片放入生产线所用的蚀刻液中测试其蚀刻完全的时间。

B、判定标准:蚀刻完全的时间值小于生产工艺所设定时间的一半值为合格。

尺寸:

A、测试方法:用直尺和游标卡尺测量待测玻璃原片的长度、宽度、厚度。

B、判定标准:测量结果在供货商所提供的参数范围之内为合格。

面电阻:

A、测试方法:把待测试玻璃整个区域做为测试区域，然后测试区域分成九等份后再用四探针测试仪分别测试各区域的面电阻。

B、判定标准:根据测试结果计算出电阻平均值及电阻资料分散值，结果在要求范围内既是合格。

ITO层温度性能

A、测试方法:把待测玻璃原片在3000C的空气中，加热30分钟，测试其加温前后的同一点面电阻阻值。B、判定标准:ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%为合格。

蚀刻性能:

A、测试方法:把待测玻璃原片放入生产线所用的蚀刻液中测试其蚀刻完全的时间。

B、判定标准:蚀刻完全的时间值小于生产工艺所设定时间的一半值为合格。