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碳纳米管场效应晶体管:
碳纳米管场效应晶体管就是用碳纳米管作为导电沟道来构成一种FET,其制造工艺过程可以是(见图示):Si片氧化→ 在SiO2上蒸发并光刻Al栅极→ Al在空气中自然氧化而形成nm厚的Al2O3 → 在Al2O3膜上用激光烧灼法制备单壁碳纳米管(SWCNT)→ 用原子力显微镜(AFM)选择直径约1nm的碳纳米管置于Al栅极之上→ 用电子束印刷法将Au真空沉积在碳纳米管的两端而构成S和D极。这样制成的CNT- FET是增强型的p沟道器件,增益可大于10。
实际上,CNT- FET的制造技术尚存在有很多问题,例如如何在特定位置上放置更多的碳纳米管?如何能够保证CNT三极管的性能一致?
碳纳米管的独特结构决定了它具有许多特殊的物理和化学性质。组成碳纳米管的 C=C 共价键是自然界最稳定的化学键,所以使得碳纳米管具有非常优异的力学性能。
⑴ 超级电容器:碳纳米管用作电双层电容器电极材料.电双层电容器既可用作电容器也可以作为一种能量存储装置.超级电容器可大电流充放电,几乎没有充放电过电压,循环寿命可达上万次,工作...
金刚石的导热系数最高,可以达到1000W/M*K,金属里面导热原理和导电的原理是一样的,银最高!
碳纳米管论文
碳纳米管看及其产业化 姓名:刘佳 班级:化学二班 学号: 2008600213 在 1991 年日本 NEC公司基础研究实验室的电子显 微镜 专家饭岛 (Iijima) 在高 分辨透 射电子 显微镜 下检验 石墨电 弧设 备中产 生的球 状碳分 子时,意外 发现了由管状的同轴纳米管组成 的碳分子 ,这就 是现在被称作的 “ Carbon nanotube”,即碳 纳米管 ,又名巴基 管。 1993 年。 S.Iijima 等和 DS。 Bethune 等同时 报道了采用电弧法,在石 墨电极中添加 一定的催化剂,可以得到仅仅具 有一层管壁的碳纳米管,即 单壁碳纳米管 产物。 1997 年,AC.Dillon 等报道了单壁碳纳米管的 中空管可储存和稳定氢 分子,引起广 泛的关注。相关的实验研究和理 论计算也相继展开。初步结 果表明:碳纳 米管自身重量轻,具有中空的结 构,可以作为储存氢气的优
与双极型晶体管相比,FET的特点是输入阻抗高,噪声小,极限频率高,功耗小,温度性能好,抗辐照能力强,多功能,制造工艺简单等。由于电荷存储效应小、反向恢复时间短,故开关速度快,工作频率高。器件特性基本呈线性或平方律,故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。FET是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。
一种单极的三层晶体管,它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子 - 电子或空穴的运动。对于一个"正常接通"器件,每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时,或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时,都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流受栅极电压的控制,为了"夹断"电流的流动,在N沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是负的;或者在P沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是正的。栅极电压被加在横跨PN结的沟道上,与此相反,在MOSFET中则是加在绝缘体上。
由于碳纳米管中碳原子采取SP2杂化,相比SP3杂化,SP2杂化中S轨道成分比较大,使碳纳米管具有高模量和高强度。
碳纳米管具有良好的力学性能,CNTs抗拉强度达到50~200GPa,是钢的100倍,密度却只有钢的1/6,至少比常规石墨纤维高一个数量级;它的弹性模量可达1TPa,与金刚石的弹性模量相当,约为钢的5倍。对于具有理想结构的单层壁的碳纳米管,其抗拉强度约800GPa。碳纳米管的结构虽然与高分子材料的结构相似,但其结构却比高分子材料稳定得多。碳纳米管是目前可制备出的具有最高比强度的材料。若将以其他工程材料为基体与碳纳米管制成复合材料, 可使复合材料表现出良好的强度、弹性、抗疲劳性及各向同性,给复合材料的性能带来极大的改善。
碳纳米管的硬度与金刚石相当,却拥有良好的柔韧性,可以拉伸。在工业上常用的增强型纤维中,决定强度的一个关键因素是长径比,即长度和直径之比。材料工程师希望得到的长径比至少是20:1,而碳纳米管的长径比一般在1000:1以上,是理想的高强度纤维材料。2000年10月,美国宾州州立大学的研究人员称,碳纳米管的强度比同体积钢的强度高100倍,重量却只有后者的1/6到1/7。碳纳米管因而被称“超级纤维”。
莫斯科大学的研究人员曾将碳纳米管置于1011 MPa的水压下(相当于水下10000米深的压强),由于巨大的压力,碳纳米管被压扁。撤去压力后,碳纳米管像弹簧一样立即恢复了形状,表现出良好的韧性。这启示人们可以利用碳纳米管制造轻薄的弹簧,用在汽车、火车上作为减震装置,能够大大减轻重量。
此外,碳纳米管的熔点是已知材料中最高的。
碳纳米管上碳原子的P电子形成大范围的离域π键,由于共轭效应显著,碳纳米管具有一些特殊的电学性质。
碳纳米管具有良好的导电性能,由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同,所以具有很好的电学性能。理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角。当CNTs的管径大于6nm时,导电性能下降;当管径小于6nm时,CNTs可以被看成具有良好导电性能的一维量子导线。有报道说Huang通过计算认为直径为0.7nm的碳纳米管具有超导性,尽管其超导转变温度只有1.5×10-4K,但是预示着碳纳米管在超导领域的应用前景。
常用矢量Ch表示碳纳米管上原子排列的方向,其中Ch=na1 ma2,记为(n,m)。a1和a2分别表示两个基矢。(n,m)与碳纳米管的导电性能密切相关。对于一个给定(n,m)的纳米管,如果有2n m=3q(q为整数),则这个方向上表现出金属性,是良好的导体,否则表现为半导体。对于n=m的方向,碳纳米管表现出良好的导电性,电导率通常可达铜的1万倍。
碳纳米管具有良好的传热性能,CNTs具有非常大的长径比,因而其沿着长度方向的热交换性能很高,相对的其垂直方向的热交换性能较低,通过合适的取向,碳纳米管可以合成高各向异性的热传导材料。另外,碳纳米管有着较高的热导率,只要在复合材料中掺杂微量的碳纳米管 ,该复合材料的热导率将会可能得到很大的改善。
碳纳米管还具有光学等其他良好的性能。