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雪崩光电二极管名词释义

雪崩光电二极管名词释义

  英文缩写: APD (Avalanche Photo Diode) 分 类: 电信设备 解 释: 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。在APD制造上,需要在器件表面加设保护环,以提高反向耐压性能;半导体材料以Si为优(广泛用于检测0.9um以下的光),但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs(噪音和暗电流较大)。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程,这将产生较大的散粒噪音(降低p区掺杂,可减小隧道电流,但雪崩电压将要提高)。一种改进的结构是所谓SAM-APD:倍增区用较宽禁带宽度的材料(使得不吸收光),光吸收区用较窄禁带宽度的材料;这里由于采用了异质结,即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度,使得其隧道电流得以减小(如果是突变异质结,因为ΔEv的存在,将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度,这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv的影响)。
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雪崩光电二极管造价信息

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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 5A 600V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 500A 1000V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 100A 1000V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 10A 2000V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 10A 2000V
  • 13%
  • 宁夏西北正泰电气有限公司
  • 2022-12-06
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发光二极管灯芯片

  • LBD全绿
  • 珠海市2015年7月信息价
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发光二极管灯芯片

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发光二极管灯芯片

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发光二极管灯芯片

  • LBD全黄
  • 珠海市2015年5月信息价
  • 建筑工程
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发光二极管

  • 型号 F5 材料 硅(Si) 频发光颜色 黄色最高反向压 3.0-3.2(V)
  • 6595pcs
  • 4
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2015-12-07
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发光二极管

  • 5050SMD LED Strip RGB
  • 9697支
  • 4
  • 启明
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-09-23
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发光二极管

  • 5050SMD LED Strip 绿光
  • 7338支
  • 4
  • 启明
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-09-16
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发光二极管

  • 型号 DS-5UW4C材料 镓 发光颜色 各种颜色
  • 4002k
  • 4
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2015-07-02
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发光二极管

  • 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 黄色最高反向压 3.0-3.2(V)
  • 5333k
  • 4
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-06-29
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雪崩光电二极管名词释义常见问题

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雪崩光电二极管名词释义文献

雪崩光电二极管(APD)低温控制系统的风冷散热和保温层设计 雪崩光电二极管(APD)低温控制系统的风冷散热和保温层设计

雪崩光电二极管(APD)低温控制系统的风冷散热和保温层设计

格式:pdf

大小:125KB

页数: 2页

本论文主要针对目前APD低温控制系统结构复杂、使用不方便的问题,提出了风冷散热和保温层设计,简化结构,为器件小型化提供了条件。

一、光电二极管前置放大器设计 一、光电二极管前置放大器设计

一、光电二极管前置放大器设计

格式:pdf

大小:125KB

页数: 4页

一、光电二极管前置放大器设计

APD雪崩光电二极管

英文缩写:APD(Avalanche Photo Diode)

中文译名:雪崩光电二极管

分类:电信设备

解释:光探测领域中使用的光伏探测器元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生"雪崩"(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为"雪崩光电二极管"。

工作原理:碰撞电离和雪崩倍增

一般光电二极管的反偏压在几十伏以下,而APD的反偏压一般在几百伏量级,接近于反向击穿电压。 当APD在高反偏压下工作,势垒区中的电场很强,电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。

它们与势垒区中的晶格原子碰撞产生电离,激发产生的二次电子与空穴在电场下得到加速又碰撞产生新的电子-空穴对,如此继续,形成雪崩倍增效应?。

特点:

(1)提高了光电二极管的灵敏度(具有内部增益102~104)。

(2)响应速度特别快,频带带宽可达100GHz,是目前响应速度最快的一种光电二极管。

常见结构: 图(a)在P型硅基片上扩散杂质浓度大的N+层,制成P型N结构;

图(b)在N型硅基片上扩散杂质浓度大的P+层,制成N型P结构;

图(c)所示为PIN型雪崩光电二极管。

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光电二极管概述

光电二极管" 英文通常称为 Photo-Diode

那么,它是怎样把光信号转换成电信号的呢?大家知道,普通二极管在反向电压作用在处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接 收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。

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铁路防护报警雪崩检测报警

常用防雪栅上附设电线,或用水银接点的倾斜接通和设雪崩受压式电路管制器进行报警。

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