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相变存储器

相变存储器，简称PCM，相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。相变存储器通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。 2015年，《自然·光子学》杂志公布了世界上第一个或可长期存储数据且完全基于光的相变存储器。

相变存储器基本信息

中文名相变存储器
外文名phase change memory
工作机理用化合物相变导电性存储数据
用途存储数据
所属学科自旋电子学
特点非易失性高集成度

相变存储器结构特征

PCM器件的典型结构由顶部电极、晶态GST、α/晶态GST[、热绝缘体、电阻（加热器）、底部电极组成。

相变存储器造价信息

市场价
信息价
询价

分布式存储设备

规格型号：
192 TB
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
分布式存储设备
材料税率：
13%
供应商：
江苏海通交通集团有限公司南宁分公司
报价时间：
2022-12-06

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爱国者存储器

规格型号：
加速度感应III代(P758)60G
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
江门市君信办公设备有限公司
报价时间：
2022-12-06

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视频存储器

规格型号：
型号:DS-AS80216S;
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
海康
材料税率：
13%
供应商：
辽宁宇维建筑工程技术有限公司
报价时间：
2022-12-06

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程序与组态存储器

规格型号：
CF FLASH 2GB
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
菲尼克斯
材料税率：
13%
供应商：
长沙市泽菲电气有限公司
报价时间：
2022-12-06

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图像存储器

规格型号：
3TB(硬盘)
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
慧利创达
材料税率：
13%
供应商：
北京慧利创达科技有限责任公司
报价时间：
2022-12-06

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低端路由器

规格型号：
包转发率不低于 1Mpps,盒式
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2022年2季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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Ⅱ型采集器

规格型号：
宽带载波方案1MHz～30MHz
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2022年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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Ⅱ型采集器

规格型号：
窄带载波方案3kHz～500kHz
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2022年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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Ⅱ型采集器

规格型号：
宽带载波方案1MHz～30MHz
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2021年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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Ⅱ型采集器

规格型号：
窄带载波方案3kHz～500kHz
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2021年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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数据存储器

规格型号：
DS3018XS 6盘位nas存储网络存储器
需求量：
1台
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2020-12-22

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安防信息存储器AF

规格型号：
安防信息存储器 AF
需求量：
1个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2017-03-09

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NVR存储器

规格型号：
"标准机架式IP存储,嵌入式处理器,嵌入式软硬件设计;≧64路,8盘位,配置应满足当前配置摄像头数量的需要;包含硬盘,硬盘容量应能满足当前项目以3个月回放数据的储存,储存视频数据分辨率为720P或
需求量：
1台
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-11-22

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后台存储器

规格型号：
8U机架式48盘位;64位多核处理器;16GB缓存;冗余电源;支持SATA硬盘;2个千兆网口;1个系统SSD盘. 支持视音频、图片、直接写入,支持视频高速预览、回放、下载,支持云内容灾备份,支持
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-06-06

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终端存储器

规格型号：
【16T硬盘】硬件规格网络接口:2个10/100/100
需求量：
6套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-05-30

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相变存储器工作原理

相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。 在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。冷却的速度对于非晶层的形成至关重要。非晶层的电阻通常可超过1兆欧。 在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。由于这种状态通常出现在SET操作之后，我们一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。晶态是一种低能态；因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。 典型的GST PCM器件结构顶部电极、晶态GST、α/晶态GST、热绝缘体、电阻（加热器）、底部电极组成。一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0，在器件上形成一片非晶层区域。擦除/RESET脉冲比写/SET脉冲要高、窄和陡峭。SET脉冲用于置逻辑1，使非晶层再结晶回到结晶态。

相变存储器发展背景

近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大的进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，研究者们建议采用新型NVM技术来替代传统的存储技术，以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为代表的多种新型NVM技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注。特别地，PCRAM因其具备非易失性、可字节寻址等特性而同时具备作为主存和外存的潜力，在其影响下，主存和外存之间的界限也正在逐渐变得模糊，甚至有可能对未来的存储体系结构带来重大的变革。因此，它被认为是极具发展前景、最有可能完全替代DRAM的新型NVM技术之一。

相变存储器常见问题

非易失性存储器故障有哪些？

在许多常见的应用中，微处理器要求用非易失性存储器来存放其可执行代码、变量和其他暂态数据。ROM、EPROM或Flash Memory(快闪存储器)常被用来存放可执行代码(因这些...
计算机存储器包括哪些部分？？

存储器：是计算机的重要组成部分.它可分为：计算机内部的存储器（简称内存）计算机外部的存储器（简称外存）内存储器从功能上可以分为：读写存储器 RAM、只读存储器ROM两大类计算机存储容量以字节为单位，它...
数码相机存储器怎么打开？

用数码相机照的照片一般放在专门的文件夹中，并且是统一的格式，网上找的照片，必须要是相机能识别的，并且要考到专门的文件夹中才能用相机浏览。相机与电脑连接时，出现的屏幕上显示着：存储卡+内部存储器，是指：...

相变存储器发展历史

二十世纪五十年代至六十年代，Dr. Stanford Ovshinsky开始研究无定形物质的性质。无定形物质是一类没有表现出确定、有序的结晶结构的物质。1968年，他发现某些玻璃在变相时存在可逆的电阻系数变化。1969年，他又发现激光在光学存储介质中的反射率会发生响应的变化。1970年，他与他的妻子Dr. Iris Ovshinsky共同建立的能量转换装置（ECD）公司，发布了他们与Intel的Gordon Moore合作的结果。1970年9月28日在Electronics发布的这一篇文章描述了世界上第一个256位半导体相变存储器。 2011年8月31日，中国首次完成第一批基于相变存储器的产品芯片。 2015年，《自然·光子学》杂志布了世界上第一个或可长期存储数据且完全基于光的相变存储器。

相变存储器应用

相变存储器材料具有存取速度快和可靠性高等优点,有比其他存储器更广阔的应用空间和更好的发展趋势，有望替代目前被公众熟知的传统存储技术，如应用于U盘的可断电存储的闪存技术，又如应用于电脑内存的不断电存储的DRAM技术等等。虽然人们渐渐的认识到了新存储技术的优越性，但如何将其应用在实际中却各有差异。 从目前的研究可以看出相变存储器主要可以用来替代计算机主存、硬盘和闪存： ①相变存储器访问相应时间短，并且具有字节可寻址特性，其写延迟约为DRAM的10倍，使他在设计参考中固件代码的直接执行上显现出优势，并广泛研究用来作为DRAM的替代品，传统使用的DRAM的方法是在计算机断电后主存的数据全部丢失，计算机重启需要重新从外存读取操作系统数据，消耗较多时间，之前部分研究者采用将NOR闪存作为主存，可以解决计算机掉电数据丢失问题，但是闪存有擦写次数有限，随机写性能较差，写延迟较大等的缺点，而采用相变存储器或者基于相变存储器的异构主存方法可以更好地解决上述问题； ②相变存储器的随机读写性能能够有效地解决大规模科学计算中小粒度随机I/O对磁盘访问所造成的I/O瓶颈，用相变存储器代替传统的硬盘具有很大的优势； ③闪存和相变存储器都是新型非易失性存储器，没有机械装置并且可随机读写，但是和相变存储器相比，闪存的读写性能略显不足，特别是写入前需要整块擦除的缺陷，导致闪存只能通过一系列更加复杂的技术化才能替代存储系统的部分功能。 相变存储器还有其他很多方面的应用，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备：比如应用在航天器领域中的嵌入系统中、用在智能电表中可以对其储存构架进行进一步整合等。另外，根据相变存储器存在的一些不足，在提高存储密度、降低成本和提高耐写能力方面需要进一步的研究，才能更好的推动相变存储器的应用与发展。

相变存储器文献

口香糖大小的便携存储器

口香糖大小的便携存储器

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大小：66KB

页数： 1页

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SOC基础教程9外部存储器控制器IP设计

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格式：pdf

大小：66KB

页数： 16页

SOC基础教程9外部存储器控制器IP设计

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可变电阻式存储器相变化内存

相变化内存（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM,PRAM,PCRAM,CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫属玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。它是可能取代快闪存储器的技术之一。 2100433B

淮安时代芯存相变存储器工厂启动运营

来源：内容来自中国江苏网，谢谢。 中国江苏网3月23日讯昨日，我市举行集成电路产业现场推进暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式。省经信委副主任龚怀进，市领导姚晓东、蔡丽新、戚寿余、李晓雷等参加活动。 龚怀进代表省经信委对时代芯存相变存储器工厂顺利竣工运营表示热烈祝贺，认为这是淮安和江苏集成电路产业发展的一件大事。他说，时代芯存相变存储器工厂从开工建设到竣工运营，历时1年22天，项目建设速度创造了集成电路产业界的奇迹，是淮安的速度，是新时代的速度，也反映了淮安各级政府对集成电路产业发展的支持。时代芯存相变存储器项目的顺利建设，填补了国内相关领域的空白，将极大地提升淮安作为新兴半导体产业基地影响力。龚怀进希望淮安市委、市政府一如既往地支持集成电路产业发展，预祝时代芯存半导体有限公司取得更大的成绩，为淮安、为江苏、为中国集成电路产业的发展作出更大的贡献。 江苏时代芯存半导体有限公司总投资130亿元，于2016年9月28日落户国家级淮安高新技术产业开发区，用时9个月实现厂房封顶，历时1年22天投入使用，同时完成所有设备采购，昨日首台设备进厂。这标志着淮安已成为全国地级市中唯一同时拥有两个12英寸高水准项目(另一个为德淮半导体项目)的地区。项目全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能，年可实现销售45亿元，利税3亿元，淮安将成为国内集成电路产业发展的重要增长极。 市委、市政府高度重视集成电路产业发展，将围绕存储器芯片和传感器芯片，做大集成电路制造业，同时提升产业配套能力，并向设计和设备制造延伸，力争建成国内有影响的第四代存储器芯片和传感器芯片研发及生产基地。

相变潜热相变的类型

相变的类型很多，根据相变的某种属性的特征可作粗线条的分类：根据热力学函数可分为一级相变、二级相变；根据对抗涨落的稳定性分为连续相变、非连续相变；根据新相生长时的控制环节，可分为扩散控制的相变和界面控制的相变；根据新相生成时原子迁移的特点，分为有扩散相变（散漫移动式相变）、无扩散相变（行列移动式相变）等。还有，由传质控制的相变，或由传热控制的相变（凝固）等。当然，有些相变不是这样截然划分所能概括的。矿物学家和陶瓷材料科学家在传统上将相变分为重构型相变和位移型相变，前者指相变时将原有的化学键拆开重新结合成新键而构成新晶体，后者则指相变时仅涉及结合键的长度和夹角大小的改变。2100433B

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