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《铁道科学技术名词》第一版。
1997年,经全国科学技术名词审定委员会审定发布。
电气特性EIA-RS-232C对电气特性、逻辑电平和各种信号线功能都作了规定。在TxD和RxD上:逻辑1(MARK)=-3V~-15V逻辑0(SPACE)=+3~+15V在RTS、CTS、DSR、DT...
电平衰减有主动衰减和被动衰减。信号在传输过程中的衰减是要尽量避免又是不可避免的,这是被动衰减。但是在某些场合下,为了适应下级放大器对输入信号幅度的要求,需要对信号强度作一定幅度的衰减,以避免产生大信号...
呵呵!这些东西太专业!~我和你讲讲都用在哪儿吧!ECL速度快,不过功耗大,典型的应用就是现在的p4! 不会在我的设计现的,我现在做嵌入式的芯片的设计,低功耗是一个重要的目标!LVDS是一种低摆幅的差分...
浅谈动态噪声开关门限电平的设计
1引言在HFC双向网络维护中,汇聚噪声及其它各类噪声干扰一直是不可根除的问题。虽然能通过缩小光节点覆盖范围,提高设备器件及线缆性能,加强施工工艺等方法使问题得到一定的缓解,但如何进一步有效降低噪声的影响程度,提高回传通道质量,仍然是广电人探索和追求的目标。动态噪声开关(DNIS)技术就是在这种情况下诞生的一种新技术,其通过突发式的回传通道开关,有效降低CMTS处、光站处、甚至是楼栋放大器处汇聚的各类侵入干扰噪声,从而提高整体回传通道的稳定性。
当调频接收机输入载波噪声比下降到某一特定电平时,输入信噪比开始急剧下降,产生这种突变的临界点所对应的特定电平。
U :上门限,U-:下门限
门限宽度
在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成,正面地充电流动孔作为载体。 当正面电压是应用的在门, 电场造成孔从接口被排斥,创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接受器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口,在什么称逆温层,或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。
如果门电压在门限电压之下,晶体管被关闭,并且理想地没有潮流从流失到晶体管的来源。 实际上,有潮流甚而为门偏心在门限之下(次于最低限度的漏出)潮流,虽然它是小的并且随门偏心变化指数地。
如果门电压在门限电压之上,晶体管在渠道起动,由于那里是许多电子在氧化物硅接口,创造低抵抗渠道,潮流可能从流失流动到来源。 重大电压在门限之上,这个情况被要求强的反向。 渠道逐渐变细,当 vD > 0 因为电压下落由于当前流动在抗拒渠道减少支持渠道的氧化物领域,当流失接近。2100433B