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本项目拟在一维SiC纳米线制备基础上,制备出一维锥形SiC纳米线,发展出一维纳米结构材料制备的新方法,开展场致电子发射性质研究, 得到一维纳米结构SiC的径度、微结构、成分与场致电子发射强度之间的规律,开发新型场发射平板显示器用高性能场发射一维纳米材料。发现与量子尺寸效应相关的其他物理性质,探索新物性,以期有所创新。这是一项有着重要应用背景且很前沿的研究课题,对探索其未知的基本物理性质,开发新材料及探索在器件上的应用有着非常重要的意义。
批准号 |
60476003 |
项目名称 |
一维纳米SiC材料制备及场致电子发射性质研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
F0401 |
项目负责人 |
刘技文 |
负责人职称 |
教授 |
依托单位 |
天津理工大学 |
研究期限 |
2005-01-01 至 2009-12-31 |
支持经费 |
23(万元) |
你好,纳米陶瓷的制备方法为: 1.气相合成:主要有气相高温裂解法、喷雾转化法和化学气相合成法,这些方法较具实用性。化学气相合成法可以认为是惰性气体凝聚法的一种变型,它既可制备纳米非氧化物粉体,也可制备...
1、手感:纯涤纶毛巾摸上去的手感稍显粗糙,能够明显感觉到毛巾上的纤维不够细致与紧密;涤纶锦纶混合超细纤维毛巾触摸的手感是很柔软并且不刺手,外观看起来比较厚实,纤维紧致。 &...
纳米材料简单来说就是打破原来材料的分子组合方式,通过纳米级的结构改变从而改变材料的物理性质。金属、纤维等都可以通过纳米技术变成纳米材料。
纳米材料的制备
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一维Cu掺杂ZnO纳米材料的制备、性能及二次生长研究
一维Cu掺杂ZnO纳米材料的制备、性能及二次生长研究
采用射频磁控溅射随后退火或衬底原位加热制备纳米米晶及稀土掺杂纳米晶碳化硅薄膜,研究生长机理、纳米尺度、微结构和界面效应、掺杂种类和密度影响光发射和场发射的规律,通过改变以上条件,消除光发射温度猝灭效应,提高蓝光发射效率;调整电子亲和势,使其具有低阈值、强场发射特性,为发光器件、激光器件和平板显示开拓全新的半导体材料。.
粒子在任意电场中,会变为一个电偶极子,若电场强度很高,粒子中的电子可能被高电场作用从负端引出,称电子场致发射,或者粒子中的正离子可能被从正端引出,称正端子场致发射。
基本内容
摘 要:运用高能球磨法制备了纳米尺度的W和稀土氧化物混合粉体,通过热压烧结制得晶粒尺寸仍为纳米级的阴极块体材料。分析了纳米晶阴极材料引弧性能优于传统阴极材料的原因。
关键词:纳米W;高能球磨;阴极材料
随着钨极惰性气体保护焊(TIG)和等离子(PLASMA)等邻域内自动焊,等离子喷射、切割,高精度焊接等一系列新技术、新工艺的兴起,要求电极材料具有突出的可靠性和稳定性。热电子发射性能、起弧性能、高温耐烧蚀性能等是影响阴极材料使用性能的主要因素。纯金属钨极发射效率低、高温下再结晶形成等轴晶组织而变脆、易断裂。而致力于新型电极材料的研究目前集中在稀土(镧、铈、钇及其复合氧化物)钨电极材料方面。
金相学研究表明,电极的使用性能强烈依赖于稀土金属氧化物。燃弧过程中它们的行为是影响电极使用性能、电极温度、逸出功和电极稳定性的最重要的因素。通常情况下由于添加的稀土金属氧化物扩散速率远小于它的蒸发速率以及氧化物分布不均匀导致阴极的电弧烧蚀严重而限制了阴极材料的使用。因此稀土金属氧化物的补给与表面蒸发之间的平衡是实现稳定和长寿命工作的关键。另外,钨电极的晶粒形状也会影响稀土氧化物的行为和稳定性,并影响钨极的烧损情况。
纳米晶体由于小尺寸量子效应导致微粒熔点急剧下降、扩散性能增强、晶体稳定性提高等特性用于钨阴极材料制备可使阴极性能得以改善,同时可以实现稀土氧化物的均匀分布。本文通过试验研究的纳米阴极材料的制备过程并比较了其与常规阴极材料的使用性能。
1 试验
试验的工艺过程。
1.1 纳米粉的制备
高能球磨法具有设备和工艺简单等优点,被普遍接受为制备纳米材料的方法之一。它能制备常规方法难以获得的高熔点金属(如钨等)或合金纳米材料。高应变速率下由位错的密集网络组成的切变带的形成是高能球磨导致纳米晶结构的主要形变机制。球磨最终获得的材料是由相互间无规则取向的纳米微晶粒组成。合理控制工艺可以使得稀土氧化物在钨中均匀分布并使二者尺寸均达到纳米级。
1.2 杂质和氧化物的去除
高能球磨的主要缺点是杂质和氧化,杂质多为球磨设备引入如球磨筒壁、搅拌杆和磨球。氧化则主要由于材料在达到纳米级时活性增大而设备密封不严成形的。杂质的去除主要通过化学酸洗和碱洗,化学处理后的粉末须经干燥和分散处理。
(1)酸洗去除铁杂质:2Fe 2HCL=FeCL H