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本项目拟在一维SiC纳米线制备基础上，制备出一维锥形SiC纳米线，发展出一维纳米结构材料制备的新方法，开展场致电子发射性质研究, 得到一维纳米结构SiC的径度、微结构、成分与场致电子发射强度之间的规律，开发新型场发射平板显示器用高性能场发射一维纳米材料。发现与量子尺寸效应相关的其他物理性质，探索新物性，以期有所创新。这是一项有着重要应用背景且很前沿的研究课题，对探索其未知的基本物理性质，开发新材料及探索在器件上的应用有着非常重要的意义。
