离子体刻蚀。

1. 极限真空: 刻蚀室9.0×10-5 Pa (室内湿度≤55%) 进样取样室6.0×10-1 Pa。2. 刻蚀材料: 主要GaN、Sapphire材料，其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蚀速率: 0.01~ 2μ/min（据不同材料与工艺而定）。4. 刻蚀均匀性: ≤±5％(φ150mm范围内)。5. 电极尺寸: φ200mm。

刻蚀均匀性≤5％，金属刻蚀对氧化物及硅选择比≥3。

等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。

谐振感应耦合概述

该过程发生在谐振变压器中，该谐振变压器是由缠绕在相同铁芯上的高Q线圈组成的电气部件，电容器连接在线圈两端以形成耦合LC电路。

最基本的谐振电感耦合由初级侧的一个驱动线圈和次级侧的一个谐振电路组成。在这种情况下，当从初级侧观察次级侧的谐振状态时，观察到两对共振。其中之一就是所谓的反谐振频率（并联谐振频率1），以及另一种是所谓的谐振频率（串联谐振频率1' ）。所述的短路电感和次级线圈的谐振电容器被组合成的谐振电路。当初级线圈以次级侧的谐振频率（串联谐振频率）驱动时，初级线圈和次级线圈的磁场的相位被同步。其结果，在二次线圈中产生由于互感磁通的增加，并且所述初级线圈的铜损降低的最大电压，发热减少，效率相对提高。所述的谐振感应耦合是近场电能的无线传输磁耦合的线圈之间，这是一个的一部分谐振电路调谐到谐振以相同的频率作为驱动频率。

谐振感应耦合共振态的耦合系数

在变压器中，只有部分通过初级线圈的电流产生的磁通耦合到次级线圈，反之亦然。耦合的部分称为相互通量，不相耦合的部分称为漏磁通。当系统不处于共振状态，这将导致出现在次级小于由线圈的匝数比预测开路电压。耦合程度由称为耦合系数的参数捕获。耦合系数k被定义为变压器开路电压比与从一个线圈耦合到另一个线圈的所有磁通量所得到的比率之比。k的值介于0和±1之间。每个线圈电感可以概念上以比例k和（1-k）分成两部分。这些分别是产生相互磁通的电感和产生漏磁通的电感。

耦合系数是系统几何结构的函数。它由两个线圈之间的位置关系固定。在系统处于共振状态和不处于共振状态时，或者即使系统处于共振状态并且产生大于匝数比的次级电压时，耦合系数也不会改变。

据说谐振系统是紧耦合的，松耦合的，临界耦合的或过耦合的。如传统铁芯变压器一样，紧耦合是耦合系数大约为1时。过耦合是次级线圈如此接近并且互通量的形成受到反共振的影响而受到阻碍，并且当通带中的转移是最佳时临界耦合是。松散耦合是指线圈彼此远离时，大部分通量都会漏过辅助线圈。在特斯拉线圈中使用0.2左右，并且在更远的距离上，例如感应无线电力传输，它可能低于0.01。2100433B