半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前，离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间，注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺，粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速，利用磁场使其运动方向改变，这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后，会与硅原子碰撞而损失能量， 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子

采用俄歇电子能谱仪分析Ta离子注入铝青铜合金的Ta、Cu和Al元素分布,利用显微硬度仪测量注入Ta离子铝青铜的显微硬度,用摩擦磨损试验机分析QAl9-4铝青铜的摩擦系数和磨损质量损失。结果表明:随Ta离子注入剂量的增加,铝青铜中的Ta原子浓度升高,离子注入深度超过100 nm,显微硬度显著增高,在距合金表面约60 nm深处硬度达到最大值;铝青铜的摩擦系数显著降低,单位时间内磨损质量损失显著减小,因此明显提高了铝青铜的耐磨性能。