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紫外探测器材料是对紫外光敏感的材料。主要采用氮化镓系列、金刚石等宽禁带半导体材料。
附图,按烟感探测器,修改主材就可以
对浓度的检测要求不同 。
感烟式火灾探测器分为点型与线型,点型分为离子型感烟和光电型感烟,线型分为激光感烟分离式红外光束感烟。 它是对警戒范围内某一线状窄条周围烟气参数响应的火灾探测器。它同前面两种点型感烟探测器的主要区别在于...
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.
ICE越过贾科比尼一津纳彗星时,穿越了四个互不相同的区域。国际紫外探测器穿过第四个区域——该彗星的离子尾,离彗核约16,000公里(10,000英里)。国际紫外探测器观测到,该区域是来自该彗星的一个较冷的电离气体区,它为一个磁场所围绕。科学家们相信,随着太阳风中的磁场在彗星周围集积起来,便会形成一条磁尾,它包围着该彗星的离子尾。
一、光电真空探测器,如光电倍增管、像增强器和EBCCD等;
二、光电导探测器,如GaN基和AlGaN基电光导探测器等;
三、光伏探测器,如Si,SiC,GaN P-N结和肖特基势垒光伏探测器以及CCD。
紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中,日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外(波长小于290nm),而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低;光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。
半导体SiC的禁带宽度为3.25eV,具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点,特别是该器件的反向漏电流低。SiC紫外探测器只对波长400nm一下的辐射选择性接收,其紫外辐射的接收与硅探测器相比,要大两个数量级,并且不需要表面加工处理,可保持长期的稳定性。另外,灵敏度和暗电流在使用温度条件下几乎不受温度变化的影响,可在700K的高温下使用 。
随着体单晶及其同质外延SiC材料性能的不断提高,可在不同的沉积条件下用直流溅射法在玻璃底衬的SiC衬底上沉积ITO:TIO和Ni膜,并可由此制成SiC金属-半导体-金属紫外辐射探测器。