可控硅整流电路采取过电压保护的原因
2015/01/272184
作者：佚名
导读：在可控硅整流电路的交流输人端、直流输出端及元件上。都接有RC吸收网络或硒堆等过电压保护，因为可控硅的耐受过电压的能力较差。而在交流侧及直流侧会经常产生一些过电压，如电
在可控硅整流电路的交流输人端、直流输出端及元件上。都接有RC吸收网络或硒堆等过电压保护，因为可控硅的耐受过电压的能力较差。而在交流侧及直流侧会经常产生一些过电压，如电网操作过电压、雷击过电压、直流侧电感负载电流突变时感应过电压、熔断器熔断引起过电压和可控硅换向时过电压等，都有可能导致元件损坏或性能下降。所以要采取过电压保护措施。
文章来源：造价通
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