有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色,无定形硅为黑色,密度2.32-2.34克/立方厘米,熔点1410℃,沸点2355℃,晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。
系列 | 类金属 |
族 | ⅣA族 |
周期 | 3 |
元素分区 | p区 |
密度 | 2328.3 kg/m³ |
常见化合价 | +4 |
硬度 | 6.5 |
地壳含量 | 25.7% |
弹性模量 | 190GPa(有些文献中为这个值) |
密度 | 2.33g/cm³(18℃) |
熔点 | 1687K(1414℃) |
沸点 | 3173K(2900℃) |
摩尔体积 | 12.06×10⁻⁶m³/mol |
汽化热 | 384.22kJ/mol |
熔化热 | 50.55 kJ/mol |
蒸气压 | 4.77Pa(1683K) |
间接带隙 | 1.1eV (室温) |
电导率 | 2.52×10⁻⁴ /(米欧姆) |
电负性 | 1.90(鲍林标度) |
比热 | 700 J/(kg·K) |
原子核外电子排布:1s²2s²2p⁶ 3s²3p²;
晶胞类型:立方金刚石型;
晶胞参数:20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm;
颜色和外表: 深灰色、带蓝色调;
采用纳米压入法测得单晶硅(100)的E为140~150GPa;
电导率:硅的电导率与其温度有很大关系,随着温度升高,电导率增大,在1480℃左右达到最大,而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。
电负性 | 1.90(鲍林标度) |
热导率 | 148 W/(m·K) |
第一电离能 | 786.5 kJ/mol |
第二电离能 | 1577.1 kJ/mol |
第三电离能 | 3231.6 kJ/mol |
第四电离能 | 4355.5 kJ/mol |
第五电离能 | 16091 kJ/mol |
第六电离能 | 19805 kJ/mol |
第七电离能 | 23780 kJ/mol |
第八电离能 | 29287 kJ/mol |
第九电离能 | 33878 kJ/mol |
第十电离能 | 38726 kJ/mol |
同位素:
符号 | Z(p) | N(n) | 质量(u) | 半衰期 | 原子核自旋 | 相对丰度 | 相对丰度的变化量 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
22Si | 14 | 8 | 22.03453(22)# | 29(2)ms | 0+ | ||
23Si | 14 | 9 | 23.02552(21)# | 42.3(4)ms | 3/2+# | ||
24Si | 14 | 10 | 24.011546(21) | 140(8)ms | 0+ | ||
25Si | 14 | 11 | 25.004106(11) | 220(3)ms | 5/2+ | ||
26Si | 14 | 12 | 25.992330(3) | 2.234(13)s | 0+ | ||
27Si | 14 | 13 | 26.98670491(16) | 4.16(2)s | 5/2+ | ||
28Si | 14 | 14 | 27.9769265325(19) | 稳定 | 0+ | 0.92223(19) | 0.92205-0.92241 |
29Si | 14 | 15 | 28.976494700(22) | 稳定 | 1/2+ | 0.04685(8) | 0.04678-0.04692 |
30Si | 14 | 16 | 29.97377017(3) | 稳定 | 0+ | 0.03092(11) | 0.03082-0.03102 |
31Si | 14 | 17 | 30.97536323(4) | 157.3(3)min | 3/2+ | ||
32Si | 14 | 18 | 31.97414808(5) | 170(13)a | 0+ | ||
33Si | 14 | 19 | 32.978000(17) | 6.18(18)s | (3/2+) | ||
34Si | 14 | 20 | 33.978576(15) | 2.77(20) s | 0+ | ||
35Si | 14 | 21 | 34.98458(4) | 780(120) ms | 7/2-# | ||
36Si | 14 | 22 | 35.98660(13) | 0.45(6)s | 0+ | ||
37Si | 14 | 23 | 36.99294(18) | 90(60)ms | (7/2-)# | ||
38Si | 14 | 24 | 37.99563(15) | 90# ms [>1 µs] | 0+ | ||
39Si | 14 | 25 | 39.00207(36) | 47.5(20) ms | 7/2-# | ||
40Si | 14 | 26 | 40.00587(60) | 33.0(10) ms | 0+ | ||
41Si | 14 | 27 | 41.01456(198) | 20.0(25) ms | 7/2-# | ||
42Si | 14 | 28 | 42.01979(54)# | 13(4) ms | 0+ | ||
43Si | 14 | 29 | 43.02866(75)# | 15# ms [>260 ns] | 3/2-# | ||
44Si | 14 | 30 | 44.03526(86)# | 10# ms | 0+ |
备注:1.画上#号的数据代表没有经过实验的证明,只是理论推测而已,而用括号括起来的代表数据不确定性。
2.有三种天然的稳定同位素Si(92.2%)、Si(4.7%)和Si(3.1%),还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。
3.硅(原子质量单位: 28.0855,共有23种同位素,其中有3种同位素是稳定的。
硅有明显的非金属特性,可以溶于碱金属氢氧化物溶液中,产生(偏)硅酸盐和氢气。
硅原子位于元素周期表第IV主族,它的原子序数为Z=14,核外有14个电子。电子在原子核外,按能级由低硅原子到高,由里到外,层层环绕,这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子,第二层有8个电子,达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子,它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。
正因为硅原子有如此结构,所以有其一些特殊的性质:最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构,这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合,由于共价键比较结实,硅具有较高的熔点和密度;化学性质比较稳定,常温下很难与其他物质(除氟化氢和碱液以外)发生反应;硅晶体中没有明显的自由电子,能导电,但导电率不及金属,且随温度升高而增加,具有半导体性质。
加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。
分类:纯净物、单质、非金属单质。
(1)与单质反应:
Si + O₂ == SiO₂,条件:加热
Si + 2F₂ == SiF₄
Si + 2Cl₂ == SiCl₄,条件:高温
(2)高温真空条件下可以与某些氧化物反应:
2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO₂(硅热还原法炼镁)
(3)与酸反应:
只与氢氟酸反应:Si + 4HF == SiF₄↑ + 2H₂↑
(4)与碱反应:Si + 2OH⁻+ H₂O == SiO₃²⁻+ 2H₂↑(如NaOH,KOH)
注意:硅、铝是既能和酸反应,又能和碱反应,放出氢气的单质。
相关方程式:
Si+O₂=高温= SiO₂
Si + 2OH⁻ + H₂O == SiO₃²⁻+ 2H₂↑
Si+2F₂== SiF₄
Si+4HF== SiF₄↑+2H₂↑
SiO₂ + 2OH⁻== SiO₃²⁻+ H₂O
SiO₃²⁻+ 2NH₄⁺+ H₂O == H₄SiO₄↓ + 2NH₃↑
SiO₃²⁻+ CO₂ + 2H₂O == H₄SiO₃↓+ CO₃²⁻
SiO₃²⁻+ 2H⁺== H₂SiO₃↓
SiO₃²⁻+2H⁺+H₂O == H₄SiO₄↓
H₄SiO₄ == H₂SiO₃ + H₂O
3SiO₃²⁻+ 2Fe³⁺== Fe₂(SiO₃)₃↓
3SiO₃²⁻+2Al³⁺==Al₂(SiO₃)₃↓
Na₂CO₃ + SiO₂ =高温= Na₂SiO₃ + CO₂ ↑
相关化合物:
二氧化硅、硅胶、硅酸盐、硅酸、原硅酸、硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、
原子属性:
原子量:28.0855u;
原子核亏损质量:0.1455u;
原子半径:(计算值)110(111)pm;
共价半径:111 pm;
范德华半径:210 pm;
外围电子层排布:3s²3p²;引
电子在每个能级的排布:2,8,4;
电子层:KLM;
氧化性(氧化物):4(两性的)。