l/f转折频率低于6 Hz，因而噪声密度响应很平坦。无论在30 Hz还是1 kHz测量噪声，其值仅为6 nV/√Hz。即使在需要较大输出摆幅时，输入级的JFET部分也能使OP275具有高压摆率，从而保持低失真。该器件的压摆率为22 V/µs，在所有标准音频放大器中最快。最可喜的是，实现这种低噪声和高速性能所耗用的电源电流不到5 mA，低于所有标准音频放大器。相对于纯双极性设计，偏置和失调电流大大降低，从而直流性能得以改善。输入失调电压能保证达到1 mV，通常低于200 µV。因此OP275可以用在许多直流耦合或求和应用中，无需进行特别选择，或者因采用附加失调电压调整电路而增加噪声。输出能够将600 Ω负载驱动至10 V(均方根),同时保持低失真。3 V(均方根)时THD+N低至0.0006%。OP275的额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围，采用塑封DIP和SOIC-8两种封装。SOIC-8封装以2500片卷盘形式提供。出于各种原因，许多音频放大器都不提供SOIC-8表贴封装;不过，OP275经过特别设计，采用表贴封装也能提供最高性能。