自德国的Henky教授在1914年制造出第一个热流传感器以来:

第1阶段:线绕式热流传感器

上世纪20年代开始，在康铜丝或其它材料的热电偶丝上利用电镀工艺制造热电堆。

典型结构:用金属丝(如康铜)先在众多的绝缘板条上绕线圈，然后将此金属丝线圈(如康铜)的一半镀上另一种金属(如铜)，在绝缘板条的两面形成众多串联的热电偶一一即串联的热电偶线圈--铜与康铜的交接点形成热电偶的冷、热节点(热电堆)。多个热电堆再焊接串联或并联后，平铺粘结在两平面绝缘保护硅胶板间形成热流传感器。

第2阶段:半导体式热流传感器

上世纪60年代末开始，利用半导体工艺制造热电堆。

典型结构:在硅片上用半导体工艺制造热电堆，一般使用环氧树脂封装保护。

第3阶段:超薄(薄膜式)热流传感器

上世纪90年代中开始，利用大规模集成电路制造工艺:溅射或激光熔刻技术制造热电堆。

典型结构:使用溅射和激光熔刻技术制造热电堆，一般使用聚酰亚胺薄膜封装保护。