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建设工程知识

磁敏电阻器结构

2018/06/19351 作者：佚名
导读： 磁敏器结构：采用锑化铟（InSb）或神化铟（InAs）等材料，根据半导体的磁阻效应制成的。磁敏电阻器多采用片形膜式封装结构，有两端、三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。磁敏电阻器的文字符号： 用“RM”或“ R”表示。 

磁敏器结构：采用锑化铟（InSb）或神化铟（InAs）等材料，根据半导体的磁阻效应制成的。磁敏电阻器多采用片形膜式封装结构，有两端、三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。

磁敏电阻器的文字符号： 用“RM”或“ R”表示。 

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