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多层片式压敏电阻应用

2018/06/19186 作者:佚名
导读: 正是由于多层片式压敏电阻器具有诸多优点,因而在生产实际中得到广泛使用。(一)IC保护在印刷线路板上为防止瞬态能量对线路破坏,通常采用在电源的输入端口并联一个耦电容来吸收瞬态的能量,但电容储存的能量(E=1/2 CV²)太小,因而没有起到有效地保护作用。也有人采用在输入端并联较大体积的电解电容的方法,但这些电容在高频下响应速度十分缓慢,容易致使保护失败。而多层片式压敏电阻器的使用,就能够十分有

正是由于多层片式压敏电阻器具有诸多优点,因而在生产实际中得到广泛使用。

(一)IC保护

在印刷线路板上为防止瞬态能量对线路破坏,通常采用在电源的输入端口并联一个耦电容来吸收瞬态的能量,但电容储存的能量(E=1/2 CV²)太小,因而没有起到有效地保护作用。也有人采用在输入端并联较大体积的电解电容的方法,但这些电容在高频下响应速度十分缓慢,容易致使保护失败。而多层片式压敏电阻器的使用,就能够十分有效地保护5V和2V电源输入的集成电路。

对PC板对板、不同功能线路与线路、电器与线路之间,也必须考虑消除瞬态能量的问题,长期以来,也有人曾使用过较小的放电间隙和硅压敏电阻对线路进行保护。但就放电间隙而言,它在线路中仍然需要齐纳二极管来降低触发放电间隙的初始上升电压,虽然硅压敏电阻器具有优良的V-I特性,也被广泛地应用在集成电路保护等方面。但是由于硅压敏电阻器的齐纳效应,使其具有较低的浪涌能量吸收值,其结果是硅芯片把能量转化成热量,随着温度的升高,致使部分芯片蚀化,从而引起元件失效。而使用多层片式压敏电阻器后,就能有效地弥补了上述两种原器件的不足,并且提高了保护集成电路免遭大电流破坏的能力。

(二)CMOS器件的保护

闭锁现象是CMOS器件结构的固有现象,主要由外部因素引起,而且是很随机的。一旦引发是很难恢复的,唯一的办法就是断掉芯片上的电源。对它的保护我们可以通过并联多层压敏电阻器来防止上述现象的产生,一个多层片式压敏电阻器与接地端串联,就可消除大部分由于输入过电压引起的闭锁现象。此外在输入端与接地端之间另外接一个多层片式压敏电阻器,也可以有效地帮助保护静态放电引起的瞬态浪涌电压产生的闭锁现象。

(三)汽车电路系统的保护

随着表面安装技术的广泛应用,使得汽车电路需要体积小、能封装于线路板中的电子元件,且具有良好的电气特性。多层片式压敏电阻器正好适应这种要求。

在汽车电路中经常会产生许多瞬态浪涌脉冲,这是人们最容易理解的事情。如当发电机正在给蓄电池充电时,突然负载断开,瞬态浪涌电压的峰值可达到125V,延续时间200-400ms。另外,汽车突然启动,也会产生很高的瞬态浪涌电压,且延续3-5min.汽车的点火脉冲可产生75V的电压,延续90min,其他的瞬态浪涌电压来源于汽车电子线路中的继电器动作和电磁开关的动作。目前国际上普遍采用多层片式压敏电阻器对上述浪涌电压进行有效抑制,以避免对汽车线路的危害。

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