单晶硅电池虽然具备晶体缺陷少、织结构工艺下反射率低、机械强度高等优势，但其成本较高、光衰严重、电耗也高。多晶硅电池较单晶硅电池相比能耗少、衰减低、成本低，不过转换效率较差。直拉单晶和准单晶铸锭对比:

1.直拉单晶方法生产的单晶硅制造的太阳能电池最高转换效率为18.5%，采用准单晶铸锭生产的硅材料所制造的太阳能电池转换效率为18.3%;

2.直拉单晶硅每炉的投料约为100 公斤，准单晶硅铸锭炉的单次投料达到430 公斤，投料量增加为前者的四倍;

3.基于直拉单晶硅材料生产的电池片的衰减率为2%以上，基于准单晶铸锭所生产的电池片衰减率降低至0.5%以下，并且性能更稳定;

4.通过直拉法生产的单晶硅棒为圆柱形，制作太阳能电池片时需要将四周切掉，所有硅料利用率仅由50%左右，而准单晶铸锭法生产的方形单晶硅锭为方形，所以硅料利用率可以提升至65%;

5.工艺成本上，直拉单晶成本为160 元人民币/公斤，准单晶铸锭的成本仅为60 人民币/公斤，因此可以影响整个生产链的生产成本降低10%左右。

准单晶硅铸锭技术和普通多晶技术相比有如下优势:

1.电池片效率高，大晶粒硅片(100)面积大于70%，平均效率大于17.6%，较同条线普通多晶硅高出1.0%~1.3%;

2.制绒后可在表面得到焰光作用较好的金字塔结构，减少反射率;

3.整锭平均效率较常规锭高出0.5%~1.0%。

四，准单晶研发与量产的决定性因素

1.准单晶技术研发要点

(1)温度梯度改进。针对热场研发以改良温度梯度，同时还要注意热场保护;

(2)晶种制备。研究发现，准单晶晶种制备方向将朝着超大超薄的方向发展;

(3)精确熔化控制。这一环节非常难以控制，它决定准单晶是否能够稳定生产，因此需要一个与之对应的精准熔化控制设备。据了解，为获得稳定的控制工艺，凤凰光伏开发了一套针对准单晶专用的晶种融化控制设备，可以在0.5mm 的时候进入长晶阶段;

(4)位错密度。在很多生产过程中，效率衰减总是不可避免，为此把位错密度控制到最低，是此项工艺的关键;

(5)边角多晶控制，即合理有效控制边角多晶的比例;

(6)铸锭良率提升。目前良率大约在40%~60%之间，还有待提高。

2.准单晶量产决定性因素

(1)可行的工艺路线。如果开发出的准单晶没有可行的工艺路线，准单晶产品将只能处于实验室阶段;

(2)是稳定的控制方法;

(3)精准熔化控制设备;

(4)低廉的改造成本及生产成本，即在原有铸锭炉的基础上实现转型，从而降低成本。

五，工艺流程

将直拉法得到的(100)晶向单晶棒进行开方，得到断面尺寸为156×156mm 的方柱，将其切成40~50mm 厚的块状籽晶。将25 块籽晶按5×5 的方式紧密排列平铺在内部尺寸为840×840×400mm 的标准石英坩埚内。在坩埚底部，放置时尽量使籽晶居中，即周边籽晶的最边沿面距坩埚内壁尺寸相近。籽晶上面再放置原生多晶，包括籽晶在内共装料430kg，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50~2.0Ω.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度调节至1540℃，保持至籽晶熔化阶段，待坩埚底部温度为1350℃，且底部升温速率为0.07℃/min 上下时，结束熔化步骤，跳转至长晶阶段。进入长晶阶段，快速将温度由1540℃降至1440℃，并关闭隔热板(笼)保持1h，之后将隔热板(笼)快速打开5cm，底部散热实现定向凝固，待界面生长平稳后，再分段将温度降1415℃，隔热板(笼)打开速度先后按0.5cm/h、0.7cm/h 的速度打开至20cm，达到稳定长晶。

将上述长成后的硅晶体，经退火、冷却得到硅锭。