六角反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在摸拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大。

碳化硅CMOS倒相器温度特性:建立了6H-SiC材料和器件模型，应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H-SiCCMOS倒相器的温度特性进行了研究。

研究结果表明，该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作，且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300~600K的温度范围内，倒相器阈值电压由1.218V变化到1.274V，变化幅度较小。

高性能功率放大器的输出级通常都采用推挽电路，推挽放大器的末级输出电子管，需要一个倒相器(phaseinverter)，以对其两边提供驱动信号，这是一种能使信号相位改变180°的一级电路，可用以使交流输入信号产生两个幅度相等相位相反的输出信号的网络或器件，如次级带中心抽头的变压器或分相电路，目前常用的倒相器电路主要有三种。

基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型，它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据，模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻合得很好。

高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究

摘要:本文主要研究高温SOICMOS倒相器在(27~300℃)宽温区的瞬态特性。研究结果表明:当采用N+PN+和P+PP+结构薄膜SOIMOSFET组合，并且其结构参数满足高温应用的要求，则SOICMOS倒相器实验样品在(27~300℃)具有良好的高温瞬态特性。SOIMOSFET依据其结构参数、工艺参数和外加偏置电压的不同可具有不同的工作模式，一般常用的有厚膜部分耗尽型、薄膜全耗尽增强型和薄膜全耗尽积累型。

与体硅MOSFET相比，薄膜全耗尽SOIMOSFET的高温泄漏电流明显减小、阈值电压随温度的变化率降低、消除了热激发闩锁效应，对高温应用尤为有利[1~3]。因而高温SOICMOS倒相器宜采用薄膜全耗尽MOSFET组合，有增强型-增强型、增强型-积累型、积累型-积累型三种组合方式。本文主要研究增强型-积累型MOSFET组合的高温SOICMOS倒相器在(27~300℃)的瞬态特性。高温SOICMOS倒相器实验样品的基本结构如图1所示，与一般体硅CMOS倒相器基本结构相比，其主要特点如下:(1)采用P+PP+结构积累型MOSFET代替P+NP+结构增强型MOSFET，避免了一次改型注入，可降低P管阈值电压，易使两管阈值电压匹配。

(2)由于无大面积的阱-衬底PN结，使泄漏电流显著减小;由于消除了PNPN可控硅结构，从而杜绝了热激发可控硅效应。对于高温SOICMOS倒相器在(27~300℃)宽温区瞬态特性的研究，主要是研究上升和下降时间在(27~300℃)宽温区随温度的变化。研究结果表明:当采用上述N+PN+和P+PP+结构薄膜SOIMOSFET组合，并且其结构参数满足高温应用的要求，实验样品在(27~300℃)宽温区内具有良好的高温瞬态特性。对于测试结果还有两个问题需要补充说明如下:(1)上升时间比下降时间偏长，主要是由于P管的导通电阻偏大及N管在截止态的泄漏电流偏大所致。(2)测试频率较低，主要是由于高温测试系统分布参数的影响。通过进一步改进样品的设计和测试系统可以得到改善。