TSV(Thermal Sensation Vote)

硅片通道

通过硅通孔(TSV)铜互连的立体(3D)垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔(TSV)是三维叠层硅器件技术的最新进展。

TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的"通孔"，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接。TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。

TSV技术比引线键合和倒装芯片堆叠提供更大的空间效率和更高的互连密度。当结合微凸块接合和先进的倒装芯片技术时，TSV技术能够在更小的外形尺寸下实现更高水平的功能集成和性能。

半导体器件不断响应"更快，更便宜，更小"的需求。随着消费电子产品越来越复杂和更紧凑，预计设备将在更小的维度上以更高的速度提供更多的功能。过去，这些要求通过摩尔定律和现在的"更多摩尔"驱动的电路及其部件的小型化已经在很大程度上得到满足。然而，近年来，以导线键合和倒装芯片堆叠形式的3D集成已经进入了主流半导体制造，以解决物理扩展的局限性，同时提供更好的性能和功能。

"硅片通道"(TSV)正在成为3D集成的一种方法，为设计人员提供了比引线键合和倒装芯片堆叠更自由，更高的密度和空间利用率。

在TSV中，两个或多个垂直堆叠的芯片通过穿过堆叠的垂直互连(即跨越两个或更多个相邻芯片之间的接口)并且用作集成电路的组件而被连接。

堆叠和硅片通道连接(类似或不同)裸片:可以创建高性能器件。

虽然可以使用常规引线键合技术组合两个管芯，但是耦合损耗将降低数据交换的速度，从而降低性能。

TSV解决了引线接合的数据交换问题，并提供了其他一些有吸引力的优点，包括管芯之间更短的互连，减少水平布线引起的损耗，并消除缓冲区浪费的空间和功耗(通过冗长的电路推动信号的中继器)。

TSV还可以减少电路中的电气寄生耦合现象，提高设备切换速度。此外，TSV可以提供比引线键合更高的输入/输出密度。