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硅片测试仪部分技术参数

2018/06/1982 作者:佚名
导读: ■ 晶圆硅片测试尺寸: 50 mm - 300mm.■ 厚度测试范围: 1000 um , 可扩展到 1700 um.■ 厚度测试精度: +/-0.25um■ 厚度重复性精度: 0.050um■ TTV 测试精度 : +/-0.05um■ TTV 重复性精度 : 0.050um■ 弯曲度测试范围: +/-500um [+/-850um]■ 弯曲度测试精度: +/-2.0um■ 弯曲度重复性精

■ 晶圆硅片测试尺寸: 50 mm - 300mm.

■ 厚度测试范围: 1000 um , 可扩展到 1700 um.

■ 厚度测试精度: +/-0.25um

■ 厚度重复性精度: 0.050um

■ TTV 测试精度 : +/-0.05um

■ TTV 重复性精度 : 0.050um

■ 弯曲度测试范围: +/-500um [+/-850um]

■ 弯曲度测试精度: +/-2.0um

■ 弯曲度重复性精度: 0.750um

■ 晶圆硅片导电型号: P 或 N 型

■ 材料: Si , GaAs , InP , Ge 等几乎 所有半导体材料

■ 可用在: 切片后、磨片前、后, 蚀刻,抛光 以及出厂、入厂质量检测等

■ 平面 / 缺口:所有的半导体标准平面或缺口

■ 硅片安装:裸片,蓝宝石 / 石英基底, 黏胶带

■ 连续 5 点测量

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