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碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。 虽然长出高质量大直径的SiC单晶极为重要，但是晶片加工则对晶片的表面质量起决定作用，其中把体块单晶切割成翘曲度小、厚度均匀、刀缝损失小的晶片非常重要，否则将给后续的磨抛工作带来极大的困难。由于SiC的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石（其莫氏硬度为10），加工难度很大。当晶体的直径达到2英寸时，常规的内圆切割机不能有效地工作，必须采用金刚石线切割技术。 2100433B
