晶界层电容器概述

2018/06/1999 作者：佚名

导读：制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在电压和低限抗晶体管等线路，卜显示出非常优良的性能主要有铁酸钡系和钦酸惚系两类。工艺特点为施:E掺杂半导化，空气中次烧成或施卞掺杂高温中性〔氮气)或通氢还原烧成后，再经徐覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即一次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子汁算机、汽车和电子电路中

制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在电压和低限抗晶体管等线路，卜显示出非常优良的性能主要有铁酸钡系和钦酸惚系两类。工艺特点为施:E掺杂半导化，空气中次烧成或施卞掺杂高温中性〔氮气)或通氢还原烧成后，再经徐覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即一次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子汁算机、汽车和电子电路中