在t→t1 时线圈中流过正向电流 ，则磁头下方将出现一个与此对应的磁化区。磁通进入磁层的一侧为S极，离开磁层的一侧为N极。如果磁化电流足够大，S极与N极之间被磁化到正向磁饱和，以后将留下剩磁 ，用箭头 表示。由于磁层是拒磁材料，剩磁 的大小与饱和磁感应强度 相差无几。

从t=t1 (电流方向变化前)，由于记录磁层向左运动，而磁化电流维持 不变，相应地出现(b)所示磁化状态。即S极左移一段距离 ，而N极仍位于磁头作用区右侧不变。

当t→t2 时，磁化电流改变方向， ，相应地磁层中的磁化状态也出现翻转，如(c)所示。移离磁头作用区的S极以及一段 区，维持原来磁化状态不变(剩磁)。而磁头作用区下出现新的磁化区，左侧为N极，右侧为S极，N-S之间是负向磁饱和区 ，用箭头 表示。

图3-2 读/写过程示意图

于是，在记录磁层中留下一个对应于 的位单元，它的起始处与结束处两侧各有一个磁化状态的转变区。根据转变区的存在及其性质(位置、方向、频率等)，体现所存储的信息。

读出时，磁头线圈不加磁化电流，作为读出线圈使用。当已经磁化的记录磁层位于磁头下方时，由于铁芯部分的磁阻远小于头隙磁阻，则记录磁层与磁头铁芯形成一个闭合磁路。大部分磁通将流经铁芯再回到磁层。如果记录磁层在磁头下方运动，则各位单元将依次经过磁头下方。每当转变区经过磁头下方时，铁芯中的磁通方向也将随之改变，于是在读出线圈产生相应的感应电势。

感应电势e即读出信号，它的方向取决于记录磁层转变区方向(由 变为 ，或者由 变为 )，其幅值大小则与 值有关(最大变化量 )。

如果记录磁层中没有转变区，维持一种剩磁状态( 或 )，则磁层经过磁头下方时，铁芯中磁通没有变化，也就没有读出信号。

根据上述读/写原理，归纳磁表面存储器具有如下特点:

①记录信息可以长期保存，属于非易失性存储器(原则上允许记录介质脱机保存，但要注意防止外界强磁场破坏其剩磁状态);

②非破坏性读出，读出不影响所存信息;

③记录介质可以重复使用;

④由于是连续记录，所以存取方式基本上是顺序存取方式，不能如RAM那样随机访问;

⑤由于是连续记录，需要比较复杂的寻址定位系统;

⑥由于在相对运动中进行读写，可靠性低于半导体存储器，需要比较复杂的校验技术。